基底

三星電子のウェハ受託製造部門は、4ナノプロセスにおいて、第6世代高帯域幅メモリHBM4用の基板チップの量産比率が最近50%を突破したと発表しました。業界では、この部門が今年下半期に4ナノウェハの半分以上をHBM4基板チップの製造に投入する見込みで、NVIDIA、Broadcom、AMDなどへの供給を拡大する計画です。三星は今年2月にHBM4の量産出荷を開始し、第三四半期から供給量を拡大する予定で、年の中頃から関連ウェハの投入を大幅に増加させる計画です。このチップは三星のウェハ受託製造4ナノ（SF4）プロセスに基づいています。先月までに、全ての4ナノ生産能力の50%以上がHBM4基板チップに割り当てられました。関係者によると、三星の4ナノは現在フル稼働しており、その中でHBM4基板チップの割合は約50%から60%であり、下半期も高い割合を維持する見込みです。三星は平沢の2工場と3工場で4ナノから7ナノ級のプロセスを量産しており、4ナノの生産能力は月に約3万枚です。これに基づくと、HBM4基板チップ関連のウェハ投入は月に約1.5万枚と推定されます。三星は第二四半期の業績電話会議で、第三四半期のHBM4収益が前四半期比で3倍以上に拡大する見込みであり、下半期のHBM4収益は会社全体のHBM収益の60%を超えると予想しています。