TSMC N2 начинает массовое производство, цепочка поставок Zhongsha Shengyang получает выгоду

Тайваньская компания TSMC начала массовое производство 2-нанометрового чипа N2, переходя от технологии FinFET к поколению GAA. Эксперты отмечают, что с увеличением сложности технологии, количества этапов CMP, частоты мониторинга пластин и спецификаций материалов, растет спрос на оборудование, расходные материалы CMP, восстановленные пластины и передовые материалы, что создает возможности для роста в цепочке поставок таких компаний, как Zhongsha, Shengyang Semiconductor, Xinying Materials и Songsheng. Чипы N2 от TSMC используют технологию nanosheet GAA, что позволяет повысить производительность на 10%–15% при том же уровне потребления энергии по сравнению с N3E, или снизить потребление энергии на 25%–30% при той же скорости, увеличивая плотность чипов более чем на 15%.

У Zhongsha, крупнейшего клиента в бизнесе Diamond Disk, доля передовых технологий составляет 63%, при этом N3 и N2 занимают по 22%, а 1.4 нанометра уже начали небольшие поставки; после перехода N3 на N2, стоимость содержания CMP увеличилась на 10%–15%. Shengyang Semiconductor к концу 2026 года планирует увеличить месячную мощность по восстановленным пластинам до 1.1–1.2 миллиона штук, а бюджет капитальных затрат на 2026 год составит 48.2 миллиарда юаней, ожидается, что среднегодовой темп роста восстановления пластин в период с 2025 по 2029 год составит 25%–30%. Ожидается, что поставки трех основных продуктов компании Xinying Materials: Rinse, BARC и EBR будут расти по мере увеличения мощностей N2, а в первой половине года доля доходов Songsheng от полупроводников составила 66%, увеличившись примерно на 25% в год, доходы TSMC также увеличились на 170% в год.