Samsung и SK Hynix справляются с тепловыделением HBM4E, посреднический уровень AI может увеличиться до 40 раз

TrendForce 12 октября со ссылкой на Chosun Biz сообщает, что с увеличением количества вычислительных и накопительных чипов в AI упаковке, промежуточный слой, соединяющий вычислительные чипы с HBM, ожидается, что значительно увеличится, и охлаждение следующего поколения HBM станет более важным. Samsung Electronics готовит несколько технологий для решения проблем охлаждения HBM4E, массовое производство которого начнется в следующем году.

В настоящее время площадь промежуточного слоя AI составляет примерно 5,5 раза больше максимальной площади одного экспонирования EUV фотолитографической машины в 858 квадратных миллиметров. Представители полупроводникового оборудования ожидают, что промежуточный слой, несущий HBM, может увеличиться до 9, 12 раз этой площади, а в конечном итоге до примерно 40 раз. Причины включают ограничения в миниатюризации процессов и распространение чиплетной 2.5D упаковки, где несколько вычислительных чиплетов и HBM укладываются на одном промежуточном слое.

Samsung рассматривает смешанное соединение меди и тепловых путей. Первое заменяет микровыпуклости между слоями DRAM на прямое соединение медь-к-меди, что может уменьшить межслойные зазоры, сделать укладку тоньше и улучшить охлаждение, что Samsung демонстрировала на NVIDIA GTC в марте 2026 года. Тепловые пути отвечают за создание специализированного теплового пути в области D2D PHY, обеспечивающей высокоскоростную передачу с GPU, Samsung проверяет это с HBM4E и планирует внедрить в HBM5. По данным ETNews, iHBM от SK Hynix размещает охлаждающие материалы с высокой теплопроводностью, но электрической изоляцией вокруг D2D PHY, где сосредоточено тепло, что, как ожидается, снизит тепловое сопротивление примерно на 30%.