Производственные мощности Samsung по 4-нм технологии близки к полному загружению, расширение 5-нм бизнеса
Согласно отчету издания «Северная Корея Biz» от 20 октября, подразделение контрактного производства Samsung Electronics увеличило производственные мощности по 4-нм технологии из-за роста заказов клиентов, и мощности уже близки к полному загружению. Компания также расширяет привлечение новых клиентов для 5-нм технологии. В отчете говорится, что контракты на самую современную 2-нм технологию с крупными мировыми технологическими компаниями все еще задерживаются, и Samsung вместо этого повышает коэффициент использования 4-нм и 5-нм технологий, которые имеют относительно стабильный выход годной продукции, чтобы улучшить доходность.
4-нм технология используется в процессорах приложений для смартфонов, полупроводниках для искусственного интеллекта и чипах для высокопроизводительных вычислений. В отчете говорится, что после расширения рынка полупроводников для искусственного интеллекта не все чипы требуют самой современной технологии; производственные затраты на 4-нм и 5-нм технологии относительно низки, при этом они все еще могут обеспечить высокую производительность и могут быть использованы для некоторых чипов для вывода искусственного интеллекта и специализированных интегральных схем.
Что касается 2-нм технологии, Samsung ведет обсуждения контрактов на производство с крупными мировыми технологическими компаниями, но некоторые переговоры задерживаются по сравнению с первоначальными ожиданиями. Для самой современной технологии, помимо выхода годной продукции, необходимо также комплексное подтверждение энергоэффективности, проектных активов и стабильной способности к массовому производству, что требует длительного времени от подписания контракта до начала массового производства. Samsung рассматривает 2-нм технологию как основной двигатель роста своего бизнеса по контрактному производству следующего поколения и планирует продолжить использование структуры транзисторов с полным окружением затворов, впервые внедренной в 3-нм технологии, для улучшения энергоэффективности и производительности.






