Samsung Electronics планирует завершить разработку 3D Cube-H в начале 2027 года

Samsung Electronics планирует завершить разработку передовой упаковочной технологии 3D Cube-H в начале 2027 года и завершить первый комплект проектирования, после чего начнет оценку с потенциальными клиентами. Эта технология основана на смешанном соединении для вертикальной укладки чипов и в основном ориентирована на высокопроизводительные AI полупроводники, которые могут использоваться для укладки логических чипов, таких как GPU, или для интеграции логических чипов на таких чипах памяти, как HBM.

Ранее Samsung Electronics разработала 3D Cube-T с использованием технологии горячего прессования, в настоящее время продвигается 3D Cube-H с расстоянием между выводами около 6 микрон, минимальное расстояние между выводами чипов горячего прессования составляет около 25 микрон. Смешанное соединение позволяет уменьшить расстояние между выводами, повысить плотность соединения и снизить энергопотребление на бит, а его тепловые характеристики отличаются от решений горячего прессования.