Kioxia tăng tốc AI bằng cách bố trí NAND, sản xuất hàng loạt sản phẩm PCIe 6.0 và UFS 5.0 để đuổi kịp các nhà máy Hàn Quốc

ChainCatcher tin tức, nhà sản xuất NAND Nhật Bản Kioxia đang tăng tốc triển khai thị trường NAND cho AI, năm nay đã khởi động sản xuất hàng loạt thế hệ thứ 10 (BiCS 10) 332 lớp 3D NAND, và dựa trên đó ra mắt eSSD trung tâm dữ liệu hỗ trợ PCIe 6.0 "CM10", hiệu suất đọc tuần tự tăng 92% so với thế hệ trước. Ngoài ra, Kioxia dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt bộ nhớ nhúng UFS 5.0 vào cuối năm nay, tốc độ truyền dữ liệu tăng khoảng 2 lần so với UFS 4.1, chủ yếu nhắm vào thị trường thiết bị di động AI ở đầu cuối. Theo dữ liệu từ TrendForce, thị phần NAND toàn cầu của Kioxia trong quý đầu năm nay là 13.9%, đứng thứ ba, sau Samsung Electronics (31.6%) và SK Hynix (17.6%).

Các nhà sản xuất Hàn Quốc cũng đang tăng tốc. Samsung đã sản xuất hàng loạt eSSD PCIe 6.0 "PM1763" vào tháng trước, trang bị V-NAND thế hệ thứ 9 và bộ điều khiển 4nm, kế hoạch UFS 5.0 sẽ được sản xuất hàng loạt vào quý 4. Samsung cũng đã thông báo sẽ sản xuất hàng loạt V-NAND thế hệ thứ 10 (khoảng 430 lớp) từ tháng này, lần đầu tiên áp dụng công nghệ liên kết hỗn hợp và ba chồng. Các nhà phân tích trong ngành cho rằng Kioxia có tính cạnh tranh cao về tốc độ lặp lại công nghệ, nhưng quy mô sản xuất vẫn còn chênh lệch so với các nhà sản xuất Hàn Quốc, và cạnh tranh trong thị trường lưu trữ AI sẽ ngày càng gay gắt hơn.