SK Hynix sẽ mở rộng công suất sản xuất NAND tại Đại Liên khoảng 50%, nhà máy thứ hai tại Đại Liên dự kiến sẽ đi vào sản xuất trong nửa đầu năm sau

Tin tức từ ChainCatcher, SK Hynix đã khởi động lại việc xây dựng nhà máy NAND flash thứ hai tại Đại Liên, dự kiến sẽ nâng cao công suất hàng tháng của khu vực này khoảng 50%. Dây chuyền sản xuất mới được thiết kế với công suất khoảng 50.000 tấm wafer mỗi tháng, cộng với công suất hàng tháng 100.000 tấm của nhà máy Đại Liên 1, tổng công suất NAND của SK Hynix tại Trung Quốc sẽ tăng lên khoảng 150.000 tấm mỗi tháng. Nhà máy này đã được khởi công cách đây bốn năm, nhưng đã tạm dừng do thị trường chip lưu trữ suy giảm và các hạn chế xuất khẩu thiết bị của Mỹ sang Trung Quốc, chỉ hoàn thành khung cấu trúc.

Đầu tư cho nhà máy Đại Liên 2 được thúc đẩy bởi công ty con NAND của SK Hynix là Solidigm, dự kiến sẽ bắt đầu chuyển thiết bị vào tháng 11 năm nay, với kế hoạch thiết lập hệ thống sản xuất hàng loạt trong nửa đầu năm sau. Do sự mở rộng của trung tâm dữ liệu AI, nhu cầu SSD cho doanh nghiệp tăng vọt, giá NAND đã tăng gần 10 lần so với một năm trước, thúc đẩy việc khởi động lại đầu tư. SK Hynix sẽ áp dụng chiến lược hai đường: nhà máy Đại Liên sẽ sử dụng kiến trúc cổng nổi trưởng thành của Intel để sản xuất NAND cấp 100 lớp, trong khi các nhà máy trong nước như Cheongju M17 sẽ tập trung vào sản xuất NAND tiên tiến trên 300 lớp, nhà máy sau đã công bố đầu tư 19,1 triệu tỷ won Hàn Quốc. Ngành công nghiệp dự đoán rằng cấu hình thiết bị của nhà máy Đại Liên 2 sẽ tương tự như nhà máy 1, với công suất hàng tháng duy trì trong khoảng từ 40.000 đến 60.000 tấm.