Samsung và SK Hynix tăng cường cơ sở NAND tại Trung Quốc, thúc đẩy đầu tư thiết bị trước năm mới

Theo thông tin từ ChainCatcher, theo báo cáo của ZDNet Korea, Samsung Electronics và SK Hynix dự kiến sẽ tiếp tục đầu tư vào thiết bị cho dây chuyền sản xuất NAND flash tại Trung Quốc cho đến năm sau, nhằm củng cố các cơ sở sản xuất địa phương. Kể từ nửa đầu năm nay, Samsung đã thúc đẩy đầu tư chuyển đổi V9 NAND trên dây chuyền sản xuất X2 tại Tây An, sản phẩm này có khoảng 280 lớp xếp chồng và dự kiến sẽ đạt công suất sản xuất hàng tháng từ 40.000 đến 50.000 tấm; để ổn định sản xuất hàng loạt, công ty đã xác định kế hoạch đầu tư bổ sung, trọng tâm là thêm thiết bị quy trình khắc, các đơn đặt hàng liên quan dự kiến sẽ được làm rõ vào cuối năm nay, và đầu tư bổ sung dự kiến sẽ được thực hiện từ nửa cuối năm sau.

SK Hynix thì từ quý ba năm nay đã thúc đẩy đầu tư vào thiết bị nâng cấp sản phẩm NAND tại nhà máy số 2 ở Đại Liên, quy mô đang thảo luận khoảng 30.000 tấm công suất hàng tháng, các thiết bị sản xuất quan trọng sẽ lần lượt được đưa vào từ tháng tới và dự kiến sẽ hoàn thành việc triển khai trước nửa đầu năm sau. Nhà máy Đại Liên là tài sản mà họ tiếp nhận sau khi mua lại bộ phận NAND của Intel vào nửa cuối năm 2020, vào năm 2022 đã tổ chức lễ khởi công cho việc mở rộng nhà máy số 2, nhưng sau đó do tình hình thị trường và các yếu tố khác đã tạm hoãn việc đầu tư thiết bị, hiện tại việc đầu tư đã được khởi động lại.

Các chuyên gia trong ngành chỉ ra rằng, các sắp xếp trên nhằm mở rộng công suất sản xuất NAND tiên tiến tại Trung Quốc theo từng giai đoạn, để đáp ứng nhu cầu lưu trữ cao cấp đang tăng nhanh trong các lĩnh vực như máy chủ trí tuệ nhân tạo.