Samsung Electronics lên kế hoạch ba mẫu zNAND, hướng tới lưu trữ AI tùy chỉnh

Theo báo cáo của ZDNet Korea vào ngày 12 tháng 10, Samsung Electronics đang mở rộng phạm vi ứng dụng của bộ nhớ flash NAND thế hệ tiếp theo zNAND, và dự kiến sẽ phân loại sản phẩm thành 3 loại: zNAND-O, zNAND-T, zNAND-I ngoài zNAND-O đã được công bố. Báo cáo cho biết, Samsung Electronics chưa chính thức công bố hai sản phẩm sau, nhưng ngành công nghiệp đã biết rằng các kế hoạch liên quan đã bước vào giai đoạn phát triển ban đầu để đáp ứng nhu cầu lưu trữ tùy chỉnh ngày càng tăng trong cơ sở hạ tầng AI.

zNAND-O hướng đến AI phía đầu cuối. Khác với phương pháp gắn dây truyền thống, giải pháp này xếp chồng NAND theo chiều dọc 4 lớp hoặc 8 lớp thông qua lỗ xuyên silicon, rút ngắn đường truyền dữ liệu và nâng cao tốc độ cũng như hiệu suất năng lượng. Samsung Electronics đã lần đầu tiên công bố mô hình zNAND-O tại một sự kiện liên quan đến bộ nhớ ở Mỹ vào tháng 8 năm nay.

zNAND-T tập trung vào thông lượng, hướng đến các trung tâm dữ liệu AI có dung lượng cao và hiệu suất cao, cũng sử dụng xếp chồng theo chiều dọc và lỗ xuyên silicon để mở rộng băng thông, ngành công nghiệp gọi đây là bộ nhớ flash băng thông cao. zNAND-I tập trung vào việc nâng cao số lần nhập xuất mỗi giây, được sử dụng cho việc xử lý thường xuyên các dữ liệu tạm thời dung lượng nhỏ như bộ nhớ cache khóa-giá trong suy diễn AI. Báo cáo cũng đề cập rằng SK Hynix cũng đang phát triển các dòng sản phẩm AI NAND như AIN P, AIN D, AIN B.