Samsung Electronics dự kiến hoàn thành phát triển 3D Cube-H vào đầu năm 2027

Samsung Electronics dự kiến hoàn thành việc phát triển công nghệ đóng gói tiên tiến 3D Cube-H vào đầu năm 2027, và hoàn thành bộ thiết kế đầu tiên, sau đó sẽ khởi động đánh giá với các khách hàng tiềm năng. Công nghệ này dựa trên liên kết hỗn hợp để thực hiện xếp chồng chip theo chiều dọc, chủ yếu hướng đến các bán dẫn AI hiệu suất cao, có thể được sử dụng để xếp chồng các chip logic như GPU, hoặc tích hợp chip logic trên các chip lưu trữ như HBM.

Samsung Electronics trước đó đã phát triển 3D Cube-T sử dụng công nghệ liên kết nhiệt áp, hiện đang thúc đẩy 3D Cube-H với khoảng cách chân khoảng 6 micron, trong khi khoảng cách chân tối thiểu của chip liên kết nhiệt áp khoảng 25 micron. Liên kết hỗn hợp thông qua việc kết nối trực tiếp các vật liệu đồng giữa các chip có thể thu hẹp khoảng cách chân, tăng mật độ kết nối và giảm tiêu thụ năng lượng mỗi bit, đồng thời đặc tính tản nhiệt của nó cũng khác với giải pháp liên kết nhiệt áp.