2ナノプロセス

三星電子はアメリカのテキサス州テイラー市に第二のウェハファウンドリを建設し、AMDとNVIDIAのために高帯域幅メモリチップの基礎裸チップを生産します。この工場は今月着工する予定で、2ナノメートルプロセス技術を採用し、面積は約270万平方フィートで、最初の工場の1.5倍の規模です。2029年2月に設備を設置し、2030年に量産を開始する予定です。