SK 하이닉스는 다롄에서 NAND 생산 능력을 약 50% 확대할 예정이며, 다롄 제2공장은 내년 상반기 가동을 계획하고 있습니다

SK 하이닉스는 다롄 제2 NAND 플래시 메모리 공장 건설을 재개했으며, 이 지역의 월 생산 능력을 약 50% 향상시킬 것으로 예상하고 있습니다. 새로운 생산 라인은 월 약 5만 장의 웨이퍼를 생산할 수 있도록 설계되었으며, 기존 다롄 제1공장의 월 10만 장 생산 능력과 합쳐져 SK 하이닉스의 중국 내 NAND 총 생산 능력은 월 약 15만 장으로 증가할 것입니다. 이 공장은 4년 전에 착공되었으나, 메모리 칩 시장의 하락과 미국의 대중 장비 수출 제한으로 인해 중단되었으며, 구조 프레임만 완공되었습니다.

다롄 제2공장의 투자는 SK 하이닉스의 NAND 자회사 Solidigm이 주도하며, 가장 빠르면 올해 11월에 장비 반입을 시작하고 내년 상반기에는 양산 체계를 구축할 계획입니다. AI 데이터 센터의 확장에 힘입어 기업용 SSD 수요가 급증하였고, NAND 가격은 1년 전보다 거의 10배 상승하여 투자가 재개되었습니다. SK 하이닉스는 이중 트랙 전략을 채택할 예정입니다: 다롄 공장은 인텔의 성숙한 플로팅 게이트 아키텍처를 이용해 100층급 NAND를 생산하고, 청주 M17 등 국내 공장은 300층 이상의 고급 NAND 생산에 집중할 예정이며, 후자는 19.1조 원의 투자를 발표했습니다. 업계에서는 다롄 제2공장의 장비 구성은 제1공장과 유사할 것으로 예상되며, 월 생산 능력은 4만에서 6만 장 사이를 유지할 것으로 보입니다.