장신 저장소 연말 DRAM 월 생산능력이 35만 개에 이를 것이며, 마이크론에 근접합니다

TechPowerUp에 따르면, 중국 DRAM 제조업체인 장신 저장(CXMT)은 2026년 말까지 DRAM 웨이퍼 월 생산능력이 약 35만 장에 이를 것으로 예상하고 있으며, 마이크론은 같은 기간 동안 약 37.5만 장을 예상하고 있습니다. 장신 저장의 클린룸 건설 주기는 약 12개월로, 업계 일반적인 21개월에서 24개월보다 짧습니다.

미국의 제재로 EUV를 확보할 수 없는 장신 저장은 구형 DUV 노광 및 다중 패터닝 기술을 사용하고 있습니다. 이 회사는 이미 16 Gb DDR5 칩을 출하하기 시작했으며, 속도는 8000 MT/s, 칩 면적은 67 mm², 밀도는 0.239 Gb/mm²로, G4 셀은 G3보다 20% 작습니다. 24 Gb 모듈은 약 6000 MT/s로 양산되고 있으며, LPDDR5X-10667 모듈(12 Gb 및 16 Gb)도 양산되었습니다. 중국 정부는 장신 저장이 JHICC, Swaysure 및 장강 저장 자회사 XMC와 같은 국내 업체로 DRAM IP를 이전하도록 장려하고 있습니다.