Samsung планирует внедрение технологии High-NA EUV с 1-нм процессом в 2030 году

Сообщение ChainCatcher, команда разработки технологии Foundry исследовательского института полупроводников Samsung Electronics под руководством Пак Чанмина на "Конференции по фотолитографии следующего поколения 2026 года" заявила, что компания планирует начать применение технологии High-NA EUV с процесса 1 нанометр (A10), с целью достижения массового производства около 2030 года. В настоящее время Samsung использует существующую многократную схему паттернизации с 0.33 NA EUV для процессов 2 нанометра и ниже, планируя массовое производство 1.4 нанометра в 2029 году, а затем продвинуться к 1 нанометру.

High-NA EUV увеличивает числовую апертуру (NA) объектива с 0.33 до 0.55, обеспечивая более высокое разрешение, что позволяет упростить ранее требуемую многократную паттернизацию сверхтонких процессов до однократной паттернизации, что способствует снижению производственных затрат, повышению производственной эффективности и гибкости дизайна. Однако эта технология имеет высокую сложность, дорогостоящее оборудование и требует синхронного обновления сопутствующих материалов. Пак Чанмин ожидает, что процессы 1.4 нанометра и 1 нанометр по-прежнему будут в основном использовать многократную паттернизацию с 0.33 NA EUV, после чего паттернизация High-NA станет ключевой технологией нового поколения процессов.