Changxin Storage объявила о ключевых достижениях в структуре 4F² и планирует выпустить серверную память

Компания по производству чипов памяти из Китая Changxin Storage (CXMT) заявила, что достигла ключевых успехов в новой структуре хранения. Samsung Electronics и SK Hynix также продвигают аналогичные структуры для повышения плотности хранения. Президент компании Цао Канью на отраслевом мероприятии в Шанхае заявил, что Changxin Storage планирует выпустить новые серверные продукты памяти на основе этой структуры до конца 2026 года, соответствующее заявление было сделано компанией.

Эта структура имеет дизайн 4F², то есть каждый ячейка памяти занимает площадь 4F², где F — минимальная ширина линии полупроводника. Компания утверждает, что этот запатентованный дизайн транзистора может повысить плотность хранения и улучшить эффективность за счет размещения большего количества ячеек памяти на одном чипе. В настоящее время в основном коммерческом DRAM используется структура ячеек 6F².