Samsung Electronics планирует три модели zNAND, ориентированные на кастомизированное AI хранилище

Согласно отчету ZDNet Korea от 12 октября, Samsung Electronics расширяет область применения следующего поколения NAND флеш-памяти zNAND и планирует разделить продукцию на три модели: zNAND-O, zNAND-T и zNAND-I, помимо уже представленного zNAND-O. Сообщается, что Samsung Electronics еще не объявила официально о двух последних продуктах, но в отрасли стало известно, что соответствующие решения уже находятся на стадии начальной разработки, чтобы соответствовать растущему спросу на кастомизированные решения для хранения данных в инфраструктуре ИИ.

zNAND-O ориентирован на AI на стороне клиента. В отличие от традиционного соединения проводами, это решение использует кремниевые сквозные отверстия для вертикального стекания NAND на 4 или 8 слоев, что сокращает путь передачи данных и повышает скорость и энергоэффективность. Samsung Electronics впервые публично продемонстрировала модель zNAND-O на мероприятии, связанном с памятью, в США в августе этого года.

zNAND-T сосредоточен на пропускной способности и предназначен для высокоемких и высокопроизводительных AI дата-центров, также используя вертикальное стекание и кремниевые сквозные отверстия для увеличения ширины канала, в отрасли его называют флеш-памятью с высокой пропускной способностью. zNAND-I ориентирован на увеличение количества операций ввода-вывода в секунду и используется для частой обработки временных данных небольшого объема, таких как кэш значений, в задачах ИИ. В отчете также упоминается, что SK Hynix разрабатывает серию AI NAND продуктов, таких как AIN P, AIN D, AIN B.