nand

Сообщение ChainCatcher, исследовательская компания Sigmaintell опубликовала индикатор цен на память, показывающий, что в третьем квартале 2026 года общий спрос и предложение на рынке памяти по-прежнему остаются напряженными. Цены на все категории DRAM (динамическая оперативная память) и NAND Flash (флеш-память) продолжают расти по сравнению с предыдущим периодом, но по сравнению с ростом цен во втором квартале, темпы роста значительно замедлились, и для некоторых чипов памяти рост цен по сравнению с предыдущим периодом сократился до 10% и менее.

Сообщение ChainCatcher, генеральный директор SK Hynix Квак Нох-Джун заявил, что компания изучает способы углубления сотрудничества с японскими клиентами и поставщиками чипов памяти и осторожно оценивает, как совместно развивать рынок NAND флэш-памяти. Что касается важной косвенной доли компании в Kioxia, он отметил, что в настоящее время «нет никаких определенных планов».После сокращения доли Toshiba в этом месяце инвестиционный инструмент SK Hynix, BCPE Pangea Cayman2, стал крупнейшим акционером Kioxia с долей в 14,19%. SK Hynix владеет облигациями, которые могут быть конвертированы в почти все голосующие права этого инвестиционного инструмента; согласно ранее достигнутому соглашению, без согласия Kioxia его голосующие права не могут превышать 15% до 2028 года.Кроме того, SK Hynix инвестирует более 4 миллиардов долларов в строительство своего первого завода по упаковке HBM в США, штат Индиана. Ожидается, что чистая комната завода будет запущена в октябре 2028 года, а массовое производство следующего поколения HBM начнется во второй половине 2029 года; после полного запуска ожидается, что будет трудоустроено около 1000 человек. Компания также продолжает оценивать возможность выхода на биржу своего американского дочернего предприятия NAND Solidigm, но пока не приняла решения.

Сообщение ChainCatcher, исследователи P Equity Research и SemiAnalysis, включая Ника Дойла, обсуждают высокобандwidth флэш-память HBF в X Space. Ник отметил, что в настоящее время слишком рано судить о том, насколько может сократиться премия по стоимости HBF относительно HBM, так как существующие данные в основном исходят от производителей, например, Sandisk утверждает, что стоимость за бит составляет примерно одну восьмую от HBM. Уровень выхода, тестирование и другие факторы будут улучшаться с увеличением масштаба, но структурные затраты, такие как TSV, стековые технологии и режимы pSLC, будут существовать постоянно, а долговечность является ключевой неизвестной; если износ превысит ожидания, это приведет к увеличению затрат.Сценарии применения HBF узки, они предназначены только для AI-выводов, особенно для моделей MoE с низким объемом пакетирования и длинным контекстом, и не являются заменой HBM. Фактическая цель по пропускной способности составляет около 1,6 ТБ/с, что соответствует уровню HBM3E, подходит для последовательного чтения для загрузки весов модели, более соответствующей потребностям небольшого количества GPU в локальных или частных компаниях, а не для сценариев с очень высокой пропускной способностью. Надежность охлаждения еще не решена, флэш-память рядом с GPU при высокой температуре будет ускорять деградацию, меры по разделению UCIe и ежедневному обновлению еще не были проверены.Что касается производства, Sandisk/Kioxia обладают опытом в 3D NAND, а SK Hynix дополняет возможности стековой технологии HBM, но массовое производство еще предстоит подтвердить. В целом, рынок хранения данных движется к специализированной сегментации, нехватка NAND, как ожидается, продлится до 2028 года, HBF может еще больше повлиять на спрос и предложение.

Сообщение ChainCatcher, согласно корейским СМИ Chosun Biz, SK Hynix отстает в переходе на старые производственные линии NAND, и разрыв в эффективности трудно сократить. По состоянию на второй квартал этого года, доля их 176-слойных продуктов все еще составляет около 50%, в то время как Samsung завершила переход на 236-слойные продукты в качестве основного. Данные Omdia показывают, что доля Micron 232-слойных продуктов составляет 53%, а YMTC достигает 68%.В период роста цен на NAND компании с высоким процентом передовых технологий лучше улучшают свои затраты и прибыль. Доля выручки от NAND SK Hynix (включая Solidigm) снизилась с 21,4% в четвертом квартале прошлого года до 16,4% в первом квартале этого года, в то время как YMTC увеличилась с 11,5% до 16,2%. Инвестиции SK Hynix в оборудование в первую очередь направлены на DRAM и HBM, инвестиции в NAND сокращаются третий год подряд, с 3,5 миллиарда долларов в 2023 году до 2,9 миллиарда долларов в 2025 году, что замедляет переход. В настоящее время рассматривается возможность списания устаревших активов NAND для оптимизации затрат.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету Nikkei Asia, производитель чипов для хранения Kioxia Holdings планирует построить новое производственное предприятие на своем заводе на севере Японии, инвестиции в проект ожидаются более 1 триллиона иен (примерно 62,7 миллиарда долларов США).Kioxia в настоящее время занимает третье место на мировом рынке NAND флэш-памяти, уступая только Samsung Electronics и SK Hynix. Этот шаг компании направлен на то, чтобы следовать за корейскими конкурентами в увеличении производственных мощностей для удовлетворения рыночного спроса.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету DIGITIMES, Longsys и Yangtze Memory продолжают расширяться, в последнее время Apple активно ищет возможность интеграции двух китайских поставщиков памяти, и общественность обращает внимание на их вхождение в цепочку поставок Apple. В отрасли сообщают, что обе компании на самом деле используют Apple, чтобы доказать, что качество китайского DRAM и NAND Flash достигло международного уровня, а под столом через третьи стороны организуют сборку и экспортируют к новым облачным операторам в Северной Америке (neocloud), расширяя долю на рынке облачных и корпоративных услуг.Материнская компания Longsys, Longsys Technology, завершила сбор средств в размере 29,5 миллиарда юаней, а Yangtze Memory планирует IPO для привлечения около 33 миллиардов юаней, которые будут использованы для модернизации производственных линий и исследований. Yangtze Memory уже вышла на прибыль в 2024 году, а в первом квартале 2026 года чистая прибыль составила 33,379 миллиарда юаней; их новый завод третьей фазы начнет производство раньше, в четвертом квартале 2026 года, с общей мощностью 100 000 пластин в месяц, из которых около 20% будут пробными LPDDR, что станет их первой базой DRAM. По данным цепочки поставок, обе компании могут повысить уровень самодостаточности китайской памяти до более чем 50% к концу 2027 года или 2028 году.Yangtze Memory продает NAND третьим производителям модулей и собирает их в корпоративные SSD, избегая чувствительности к месту производства; Longsys уже сертифицировала малые и средние облачные компании в США, Канаде и других странах. Частные компании в США в принципе могут закупать у обеих компаний, физический список в основном ограничивает их доступ к американским технологиям, но не запрещает полностью частные закупки. Облачные операторы также снижают риски соблюдения норм, арендуя вычислительные мощности или используя активы третьих сторон. В отрасли считают, что влияние Apple на спрос и предложение в индустрии снижается, обе компании не намерены массово поставлять Apple или конкурировать по ценам, и расширение производства все еще не сможет в краткосрочной перспективе удовлетворить спрос Apple на китайском рынке.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету ZDNet Korea, Samsung Electronics и SK Hynix планируют продолжить инвестиции в оборудование для массового производства NAND флеш-памяти в Китае до следующего года, чтобы укрепить местные производственные мощности. С начала этого года Samsung уже продвигает инвестиции в преобразование V9 NAND на производственной линии X2 в Сиане, этот продукт представляет собой передовую технологию с примерно 280 слоями. Ожидается, что месячная производственная мощность составит от 40 до 50 тысяч штук; для стабилизации массового производства компания утвердила план дополнительных инвестиций, основное внимание уделяется добавлению оборудования для травления, соответствующие заказы на закупку, как ожидается, будут уточнены к концу года, дополнительные инвестиции планируется начать с второй половины следующего года.SK Hynix с третьего квартала этого года начинает инвестиции в модернизацию оборудования для NAND продукции на заводе в Даляне, обсуждаемый масштаб составляет около 30 тысяч штук в месяц, ключевое производственное оборудование начнет поступать с следующего месяца и планируется завершить развертывание до середины следующего года. Завод в Даляне является активом, который был приобретен после покупки подразделения NAND Intel во второй половине 2020 года, в 2022 году была проведена церемония начала строительства второго завода для расширения производства, но затем из-за рыночных условий ввод оборудования был приостановлен, сейчас инвестиции вновь запускаются.Отраслевые эксперты указывают, что вышеуказанные планы направлены на поэтапное расширение производственных мощностей по передовым NAND в Китае, чтобы справиться с быстрым ростом спроса на высококачественную память в таких областях, как серверы искусственного интеллекта.

Сообщение ChainCatcher, 24 августа, по данным Reuters, материнская компания крупнейшего в Китае производителя флеш-чипов Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (YMTC) - компания Yangtze Memory Technologies Corp. (CCSH Corporation) - получила одобрение на подачу заявки на листинг на научно-технической бирже Шанхая, и ожидается, что компания выйдет на биржу в следующем году. Ожидается, что в ходе IPO будет привлечено 33 миллиарда юаней (около 4,9 миллиарда долларов США). CCSH планирует выпустить от 1,98 до 2,43 миллиарда новых акций.В проспекте эмиссии указано, что выручка компании в первом квартале 2026 года (с января по март) составила 47 миллиардов юаней, что на почти 5 раз больше по сравнению с прошлым годом; чистая прибыль составила 33,38 миллиарда юаней, что более чем в два раза превышает чистую прибыль за весь 2025 год в 14,21 миллиарда юаней. Заводы YMTC в настоящее время работают почти на полную мощность и продолжают увеличивать объемы продаж на рынке NAND-флеш-памяти, где наблюдается нехватка предложения. Средняя цена NAND-флеш-памяти в первом квартале 2026 года достигла 2,73 раза от среднего уровня 2025 года, а валовая прибыль увеличилась с 35,3% в 2025 году до 76,8%.CCSH планирует использовать 20,8 миллиарда юаней из средств, привлеченных в ходе этого IPO, для расширения производственных мощностей, а 12,2 миллиарда юаней - для разработки следующего поколения NAND-флеш-памяти и высокоскоростных накопителей.

Сообщение ChainCatcher, SK Hynix возобновила строительство своего второго завода по производству NAND флеш-памяти в Даляне, ожидается, что месячная мощность в этом регионе увеличится примерно на 50%. Новый производственный поток спроектирован с месячной мощностью около 50 000 пластин, в сочетании с существующей мощностью первого завода в Даляне в 100 000 пластин в месяц, общая мощность SK Hynix по производству NAND в Китае увеличится до примерно 150 000 пластин в месяц. Завод был заложен четыре года назад, но был приостановлен из-за падения рынка чипов памяти и ограничений на экспорт оборудования в Китай со стороны США, завершив лишь структурные работы.Инвестиции в второй завод в Даляне инициированы дочерней компанией SK Hynix по производству NAND Solidigm, которая планирует начать установку оборудования в ноябре этого года и создать систему массового производства в первой половине следующего года. Под воздействием расширения центров обработки данных AI спрос на корпоративные SSD резко возрос, цена на NAND увеличилась почти в 10 раз по сравнению с прошлым годом, что способствовало возобновлению инвестиций. SK Hynix применит двойную стратегию: завод в Даляне будет использовать зрелую архитектуру Intel для производства NAND уровня 100 слоев, в то время как отечественные заводы, такие как Cheongju M17, сосредоточатся на производстве передовых NAND более 300 слоев, последний из которых уже объявил об инвестициях в 19,1 триллиона вон. Ожидается, что конфигурация оборудования второго завода в Даляне будет схожа с первой, а месячная мощность останется в диапазоне от 40 000 до 60 000 пластин.

Сообщение ChainCatcher, согласно отчету Nikkei, крупнейшим акционером японского производителя NAND Kioxia стал специальный инвестиционный фонд BCPE Pangea Cayman 2 (SPC2), который владеет 14,19% акций Kioxia, что немного выше 14,06%, после того как Toshiba сократила свою долю. SPC2 является субъектом инвестиций SK Hynix через конвертируемые облигации (CB).С 15 июля по 3 августа Toshiba семь раз сократила свою долю в Kioxia, снизив ее с 15,10% до 14,06%. В 2018 году SK Hynix инвестировала около 40 триллионов вон в Kioxia через два SPC, из которых SPC1, совместно финансируемый с Bain Capital, завершил продажу акций в июне этого года, когда Bain Capital вышел из проекта, в то время как SPC2, финансируемый только SK Hynix на сумму около 13 триллионов вон, продолжает держать свою долю. Если CB будет конвертирована в акции, SK Hynix получит право голоса. Однако в отрасли оценивают, что реальное влияние на управление Kioxia будет низким, поскольку осуществление права голоса требует одобрения конкуренции и антимонопольных органов в разных странах, и японское правительство, учитывая защиту своей полупроводниковой цепочки поставок, может не дать легкого разрешения. В настоящее время Kioxia является третьим по величине производителем NAND в мире, уступая только Samsung Electronics и SK Hynix.

ChainCatcher Сообщение, японский производитель NAND Kioxia ускоряет свои шаги на рынке NAND для ИИ, в этом году запустив массовое производство 10-го поколения (BiCS 10) 332-слойного 3D NAND и выпустив на его основе eSSD "CM10" для дата-центров с поддержкой PCIe 6.0, производительность последовательного чтения увеличилась на 92% по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, Kioxia планирует начать массовое производство встроенной памяти UFS 5.0 в конце этого года, скорость передачи данных увеличится примерно в 2 раза по сравнению с UFS 4.1, основной акцент будет сделан на рынок мобильных устройств с ИИ. Согласно данным TrendForce, доля Kioxia на мировом рынке NAND в первом квартале этого года составила 13.9%, что позволяет занять третье место, уступая Samsung Electronics (31.6%) и SK Hynix (17.6%).Корейские компании также ускоряют свои шаги. Samsung в прошлом месяце начала массовое производство PCIe 6.0 eSSD "PM1763", оснащенного 9-м поколением V-NAND и контроллером 4nm, массовое производство UFS 5.0 планируется на четвертый квартал. Samsung также объявила, что с этого месяца начнет массовое производство 10-го поколения V-NAND (около 430 слоев), впервые применяя смешанное склеивание и трехслойную технологию. Аналитики отрасли считают, что Kioxia обладает конкурентоспособностью в скорости технологической итерации, но масштаб производства все еще отстает от корейских компаний, и конкуренция на рынке ИИ-памяти станет еще более напряженной.

Сообщение ChainCatcher, аналитик Citrini Jukan опубликовал ответ на недавние слухи на рынке о пессимистичных заметках по NAND и негативных новостях о переговорах по ценам на QLC. То, что SanDisk согласился на цену ниже первоначального предложения при подписании долгосрочного соглашения с Meta, не является неожиданным, так как SanDisk является одной из самых активных компаний среди производителей NAND, стремящихся к LTA, планируя выделить более 50% от общего объема поставок на такие соглашения. Исходя из этой стратегии, они естественно готовы принять цену LTA ниже текущей контрактной цены квартала, и нельзя делать вывод, что "SanDisk не может бесшовно перепродать все заказы клиентам из Северной Америки, предлагающим более высокие цены".Отвечая на слухи о том, что китайские производители модулей не смогли продать eSSD местным CSP, Jukan объяснил, что китайские CSP имеют прямые каналы закупки у Yangtze Memory, а не из-за недостатка спроса. Что касается утверждения о том, что давление со стороны крупных облачных компаний на цены QLC eSSD привело к тому, что часть объемов не была продана, он считает, что новые облачные компании имеют достаточный спрос, чтобы поглотить эти объемы.В заключение Jukan отметил, что негативные заголовки легче поддаются преувеличению, когда акции хранения показывают плохие результаты, но фундаментальные показатели не претерпели существенного ухудшения. Он повторил, что "по-прежнему позитивно смотрит на сектор хранения". Ранее Jukan заявлял, что контрактные цены на DRAM имеют потенциал для роста примерно на 40% до конца 2027 года, а предложение HBM продолжает оставаться ограниченным, и это разъяснение по NAND дополнительно укрепило его оптимистичную позицию по всему сектору хранения.