Yangtze Memory Technologies планирует начать пробное производство LPDDR5 в конце 2026 года, Changxin намерен выйти на рынок NAND

Глобальный рынок памяти продолжает испытывать серьезный дефицит, а приложения на базе ИИ и облачных технологий поднимают спрос и цены на DRAM и NAND Flash. Два крупнейших производителя памяти в Китае, Yangtze Memory Technologies и Changxin Memory, собираются изменить сложившуюся ситуацию, в которой они занимают половину рынка.

Yangtze Memory Technologies начнет пробное производство LPDDR5 DRAM в конце 2026 года, а Changxin Memory планирует перейти от DRAM к NAND Flash. В отрасли предполагают, что обе компании могут столкнуться в 2028 году. Yangtze Memory Technologies завершила разработку 294-слойной 3D NAND с использованием технологии Xtacking, а Samsung заключила соглашение о лицензировании патентов с ней в 2025 году, начиная с 10-го поколения V-NAND.

Третий этап проекта Yangtze Memory Technologies планируется к запуску в конце 2026 года с первоначальной мощностью около 25 000 пластин DRAM, с завершением наращивания производства в 2027 году, нацеливаясь на LPDDR5, и планируя дальнейшее расширение производства, а также HBM и 3D DRAM. Changxin сообщила о намерении создать линию для разработки и производства NAND в Пекине, и, по оценкам, массовое производство может начаться в 2028-2029 годах.