Samsung dự kiến đưa công nghệ High-NA EUV vào quy trình 1 nanomet vào năm 2030

Tin tức từ ChainCatcher, đội ngũ phát triển quy trình Foundry của Viện Nghiên cứu Bán dẫn Samsung do Park Chang-min dẫn đầu đã cho biết tại "Hội nghị Khoa học Kỹ thuật Quang khắc và Hóa học Hình mẫu Thế hệ tiếp theo 2026", công ty dự định bắt đầu áp dụng công nghệ High-NA EUV từ quy trình 1 nanomet (A10), với mục tiêu đạt sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2030. Hiện tại, Samsung vẫn sử dụng giải pháp đa hình mẫu EUV 0.33 NA cho các quy trình 2 nanomet và nhỏ hơn, dự kiến sản xuất hàng loạt quy trình 1.4 nanomet vào năm 2029, sau đó sẽ tiến tới quy trình 1 nanomet.

High-NA EUV sẽ nâng cao độ mở khẩu độ (NA) của ống kính từ 0.33 lên 0.55, mang lại độ phân giải cao hơn, có thể đơn giản hóa quy trình siêu vi mô cần đa hình mẫu trước đây thành một lần hình mẫu, giúp giảm chi phí sản xuất, nâng cao hiệu quả sản xuất và linh hoạt trong thiết kế. Tuy nhiên, công nghệ này có độ khó cao, thiết bị đắt tiền và cần nâng cấp đồng bộ công nghệ vật liệu đi kèm. Park Chang-min dự đoán rằng quy trình 1.4 nanomet và 1 nanomet vẫn sẽ chủ yếu sử dụng đa hình mẫu EUV 0.33 NA, sau đó High-NA sẽ trở thành công nghệ cốt lõi của thế hệ quy trình mới.