Yangtze Memory Technologies sẽ thử sản xuất LPDDR5 vào cuối năm 2026, Changxin dự định tiến quân vào thị trường NAND

Nguồn cung bộ nhớ toàn cầu tiếp tục thiếu hụt nghiêm trọng, ứng dụng AI và điện toán đám mây đã thúc đẩy nhu cầu và giá cả của DRAM và NAND Flash. Hai nhà sản xuất bộ nhớ lớn của Trung Quốc, Yangtze Memory Technologies và Changxin Memory Technologies, sẽ phá vỡ thế cân bằng hiện tại.

Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu thử nghiệm sản xuất LPDDR5 DRAM vào cuối năm 2026, trong khi Changxin Memory Technologies sẽ chuyển từ DRAM sang NAND Flash. Ngành công nghiệp dự đoán hai công ty sẽ đối đầu trực tiếp vào năm 2028. Yangtze Memory Technologies đã hoàn thành phát triển 3D NAND 294 lớp bằng công nghệ Xtacking, Samsung sẽ ký thỏa thuận cấp phép bằng sáng chế với công ty này vào năm 2025, bắt đầu áp dụng các bằng sáng chế liên quan từ thế hệ V-NAND thứ 10.

Kế hoạch giai đoạn ba của Yangtze Memory Technologies sẽ bắt đầu sản xuất vào cuối năm 2026, với công suất ban đầu khoảng 25.000 tấm DRAM, hoàn thành giai đoạn tăng trưởng vào năm 2027, nhắm đến LPDDR5, và có kế hoạch mở rộng sản xuất cũng như HBM, 3D DRAM trong tương lai. Changxin được cho là sẽ thiết lập dây chuyền nghiên cứu và sản xuất NAND tại Bắc Kinh, dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt sớm nhất vào năm 2028 đến 2029.