dram

Công ty Công nghệ Trường Tân tổ chức buổi họp giải thích kết quả nửa năm 2026. Có nhà đầu tư hỏi về tình hình giá DRAM quý ba của Công ty Công nghệ Trường Tân, Phó Chủ tịch cao cấp, người phụ trách tài chính Hoàng Đan Dương cho rằng, nhìn về nửa cuối năm 2026, tình hình cung cấp sản phẩm DRAM toàn cầu sẽ tiếp tục khan hiếm.

Công ty chứng khoán Hàn Quốc KB Securities cảnh báo rằng tồn kho bán dẫn lưu trữ của Samsung Electronics và SK Hynix đã giảm xuống dưới 10 ngày cung cấp, và nguồn cung có sẵn vào năm tới sẽ rõ ràng không đủ. Cơ quan này đã báo cáo vào thứ Hai rằng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo đang mở rộng với tốc độ chưa từng có, thị trường chip lưu trữ đang đối mặt với tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng. Yếu tố chính là việc chuyển đổi sang HBM4, cần khoảng ba lần wafer so với DRAM truyền thống, và công suất wafer hạn chế sẽ giảm khả năng cung cấp DRAM truyền thống.KB Securities dự đoán rằng nhu cầu DRAM và NAND vào năm tới sẽ vượt quá cung cấp hơn 10%. Giám đốc nghiên cứu Kim Dong-won cho biết, máy chủ trí tuệ nhân tạo sẽ tiêu thụ HBM, DDR5 máy chủ và ổ cứng thể rắn cấp doanh nghiệp, có thể dẫn đến tình trạng thiếu hụt lịch sử. Các nhà điều hành trung tâm dữ liệu siêu lớn toàn cầu đã điều chỉnh dự báo đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo lên 1,3 nghìn tỷ USD vào năm tới, tăng 60% so với năm trước. Cơ quan này dự đoán rằng vào năm tới, bán dẫn lưu trữ sẽ chiếm 57% tổng đầu tư vào cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo, cao hơn so với 14% của năm trước, TrendForce dự đoán tỷ lệ này có thể lên tới 68%. Giá cổ phiếu của Samsung Electronics đã giảm gần 28% so với mức cao nhất, trong khi SK Hynix giảm gần 40%.

Công ty Long Xin Technology tổ chức hội nghị giải thích kết quả nửa năm 2026. Giám đốc độc lập của công ty, Trần Vũ Triều, trong khi trả lời câu hỏi của nhà đầu tư cho biết, trong nửa đầu năm 2026, tình hình thị trường sản phẩm DRAM toàn cầu được cải thiện, giá cả tăng lên.Hiện tại, công ty vẫn đang trong giai đoạn đầu tư quan trọng cho việc mở rộng công suất và nâng cấp công nghệ, cần phải dần dần tạo ra lợi nhuận cho cổ đông trong khi đảm bảo chi tiêu vốn cần thiết. Khi khả năng sinh lời tiếp tục được cải thiện, công ty sẽ tiến hành xác minh kế hoạch chia cổ tức theo đúng quy định pháp luật.

Theo nghiên cứu mới nhất của TrendForce về ngành công nghiệp bộ nhớ, vào quý 2 năm 2026, giá hợp đồng của DRAM thông thường (Conventional DRAM) tăng mạnh, đẩy doanh thu toàn ngành DRAM tăng 59,5% theo quý, gần 154,73 tỷ USD.Với việc đào tạo mô hình LLM và nhu cầu máy chủ AI do AI suy diễn thúc đẩy, HBM3e, LPDDR5X và RDIMM dung lượng cao đồng thời tăng trưởng về lượng xuất xưởng, ứng dụng AI Agentic đã thúc đẩy việc tiêu thụ RDIMM ở các thông số dung lượng khác nhau. Về phía cung, tồn kho của nhà sản xuất đang ở mức thấp nhất, và nguồn cung mới ưu tiên đáp ứng nhu cầu ứng dụng máy chủ, lượng xuất xưởng DRAM tổng thể trong quý 2 tăng nhẹ.

Theo báo cáo của nhật báo Triều Tiên vào ngày 7 tháng 9, SK Hynix đang tăng tốc nâng cao tỷ lệ sản xuất DRAM thế hệ thứ sáu (1c) 10 nanomet. Dữ liệu trong ngành cho thấy, tỷ lệ DRAM 1c của họ đã tăng từ khoảng 10% trong quý đầu năm lên khoảng 13% trong quý hai, và dự kiến sẽ đạt khoảng 24% trong quý ba, khoảng 34% trong quý bốn; quý đầu năm sau có thể tăng lên khoảng 35%, lần đầu tiên vượt qua 1b (khoảng 33%) và trở thành quy trình chính. Tỷ lệ DRAM 1b (thế hệ thứ năm 10 nanomet) đã đạt đỉnh khoảng 43% trong quý hai năm nay và sau đó bắt đầu giảm.Cuối quý hai, tỷ lệ 1c của Samsung Electronics khoảng 16%, Micron khoảng 19%, đều cao hơn khoảng 13% của SK Hynix. Báo cáo cho biết, SK Hynix sẽ tăng tốc chuyển đổi trong nửa sau năm nay, quý bốn có thể vượt qua khoảng 34% của Samsung Electronics khoảng 31%. SK Hynix đã cho biết trong cuộc gọi hội nghị kết quả quý hai rằng, việc cung cấp DRAM sử dụng quy trình 1c đã bắt đầu thực sự từ quý hai, nửa sau năm nay sẽ tăng trưởng cùng với việc tăng sản lượng HBM4 và xuất khẩu DRAM 1c, tỷ lệ tăng trưởng bit cao hơn so với nửa đầu năm.Samsung Electronics đã sử dụng DRAM 1c từ HBM4, với tốc độ hoạt động khoảng 11.7Gbps; SK Hynix trước đó đã ưu tiên đảm bảo tính ổn định sản xuất hàng loạt với DRAM 1b đã được xác nhận và gói MR-MUF tiên tiến, từ thế hệ HBM4E tiếp theo sẽ lần đầu tiên sử dụng DRAM 1c làm chip lõi HBM. Counterpoint Research và các tổ chức khác dự đoán, trong năm nay, thị phần HBM4 của Nvidia, Google, AMD tổng hợp dưới quy mô khoảng 50% giữa SK Hynix, 20% cuối của Samsung Electronics, và 10% cuối của Micron.

Nhà sản xuất DRAM Đài Loan Nanya Technology (mã chứng khoán: 2408) đã công bố vào ngày 2 tháng 9, doanh thu hợp nhất chưa kiểm toán cho tháng 8 năm 2026 đạt 44.690268 tỷ Đài tệ, tăng 1.88% so với 43.867609 tỷ Đài tệ của tháng 7, và tăng 560.85% so với 6.762501 tỷ Đài tệ của tháng 8 năm 2025.Công ty cũng đồng thời công bố, doanh thu hợp nhất từ đầu năm 2026 đến nay đạt 220.194 tỷ Đài tệ, tăng 638.19% so với cùng kỳ năm trước. Dữ liệu chi tiết có thể được tham khảo tại mục quan hệ nhà đầu tư trên trang web của công ty hoặc trên trang web của Sở giao dịch chứng khoán Đài Loan.

Giám đốc cấp cao về cơ sở hạ tầng chuỗi cung ứng của Google, Nikhil Cherian, tiết lộ rằng để vượt qua nút thắt về bộ nhớ, Google đang phát triển các giải pháp phần mềm và phần cứng, đồng thời tháo dỡ các máy chủ đã nghỉ hưu để thu hồi các thành phần DDR4 nhằm xây dựng chuỗi cung ứng tái chế nội bộ. Google đã thiết kế các bộ chuyển đổi phần cứng đặc biệt, có thể kết nối DDR4 thế hệ trước với máy chủ trí tuệ nhân tạo thế hệ mới, đồng thời nhập khẩu các máy chủ đã nghỉ hưu để tháo dỡ các mô-đun DDR4 của chúng để tái sử dụng.Cherian cho biết, ngành công nghiệp trí tuệ nhân tạo đã nhanh chóng chuyển từ việc bị giới hạn bởi tính toán sang bị giới hạn bởi bộ nhớ, bộ nhớ hiệu suất cao chiếm khoảng 75% chi phí danh sách vật liệu của một máy chủ trí tuệ nhân tạo nhất định. Báo cáo của Goldman Sachs chỉ ra rằng giá bộ nhớ trong quý ba sẽ tiếp tục tăng, dự kiến giá DRAM máy tính cá nhân sẽ tăng từ 18% đến 23%, giá DRAM máy chủ sẽ tăng từ 13% đến 18%. Dữ liệu từ Trendforce cho thấy, trong thị trường giao ngay tháng 8, giá DDR4 8GB và DDR5 8GB lần lượt đã tăng lên 142 USD và 133 USD.Hai loại TPU ASIC mà Google ra mắt trong năm nay đã được tối ưu hóa thiết kế cho bộ nhớ, được cho là có khả năng giảm nhu cầu bộ nhớ xuống còn một phần sáu so với trước đây. Chip TPU8i sử dụng thiết kế bộ nhớ phân lớp chuyên dụng, dựa vào kiến trúc bộ nhớ DDR5 tốc độ cao để thực hiện các nhiệm vụ cấp máy chủ, mỗi chip được trang bị 288GB bộ nhớ HBM3e băng thông cao.

Ngày 3 tháng 9, Nikkei Chinese Network đưa tin rằng nhu cầu liên quan đến máy chủ trí tuệ nhân tạo từ NVIDIA đang thúc đẩy giá DRAM của bộ nhớ bán dẫn tăng nhanh. Giá sản phẩm DRAM thông dụng dùng cho máy tính cá nhân và các thiết bị khác tăng 5% so với tháng trước, trong khi sản phẩm dành cho thiết bị công nghiệp tăng hai chữ số. Các nhà sản xuất bộ nhớ ưu tiên cung cấp bộ nhớ chuyên dụng cho máy chủ AI, và hiệu ứng dây chuyền của nó đang lan rộng hơn nữa.DRAM không chỉ được sử dụng cho máy tính cá nhân, máy ảnh, điện thoại thông minh mà còn được trang bị trên các thiết bị như máy chủ AI trong trung tâm dữ liệu, đảm nhận chức năng lưu trữ tạm thời dữ liệu. Các nhà sản xuất bộ nhớ với tư cách là bên bán, các nhà sản xuất thiết bị và nhà sản xuất mô-đun với tư cách là bên mua, tiến hành đàm phán hàng tháng hoặc hàng quý để xác định giá giao dịch lớn. Giá giao dịch lớn cho sản phẩm DDR5 16Gb, mô hình thông dụng dùng cho PC, máy chơi game và máy chủ, đã được xác định vào tháng 7 khoảng 40,2 USD, tăng 5% so với tháng trước. Giá đã tăng liên tiếp trong 7 tháng, các giám đốc điều hành của các công ty thương mại điện tử cho biết đã thiết lập mức giá cao nhất trong lịch sử.

Tin tức từ ChainCatcher, tổ chức nghiên cứu Sigmaintell đã công bố chỉ số giá lưu trữ cho thấy, trong quý 3 năm 2026, nhu cầu và cung cấp toàn cầu trên thị trường lưu trữ vẫn còn thiếu hụt, giá của tất cả các loại DRAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động) và NAND Flash (bộ nhớ flash) vẫn duy trì tăng trưởng theo tháng, nhưng so với mức tăng giá trong quý 2 đã rõ ràng chậm lại, một số chip lưu trữ đã thu hẹp mức tăng theo tháng xuống dưới 10%.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của tờ "Seoul Economic" Hàn Quốc vào ngày 31 tháng 8, giá HBM và DRAM mà AI tăng tốc sử dụng tiếp tục tăng cao. Dữ liệu từ Hiệp hội Thương mại Hàn Quốc cho thấy, lượng xuất khẩu DRAM giảm từ khoảng 681.7 triệu chiếc vào tháng 5 xuống còn 591.74 triệu chiếc vào tháng 7, giảm 13.2%, trong khi giá trị xuất khẩu tăng từ 11.428 tỷ USD lên 13.552 tỷ USD, tăng 18.5%, giá xuất khẩu đơn vị tăng từ 16.76 USD lên 22.9 USD, tăng 36.6%.HBM4 cung cấp cho khách hàng như Nvidia được mở rộng, và tỷ lệ sản xuất ban đầu thấp hơn HBM3E, làm trầm trọng thêm tình trạng thiếu hụt cung DRAM tổng thể. Bộ phận bộ nhớ của Samsung Electronics được cho là sẽ phân bổ khoảng 70% công suất cho các hợp đồng cung cấp dài hạn đến năm 2031, với các đối tượng chính bao gồm Nvidia, Microsoft, Google. Dữ liệu từ Mega Grid Supply cho thấy, giá HBM3E 36GB trên thị trường giao ngay là 2100 USD, gấp 4 đến 5 lần giá hợp đồng dài hạn; giá HBM4 16 lớp đang được sản xuất hàng loạt khoảng 3500 USD.Ngành đầu tư tài chính dự đoán doanh thu quý 3 của Samsung Electronics đạt 206.64 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động đạt 116.38 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động sẽ lần đầu tiên vượt qua 100 triệu tỷ won Hàn Quốc. Doanh thu quý 3 của SK Hynix dự kiến đạt 101.76 triệu tỷ won Hàn Quốc, lợi nhuận hoạt động 79.16 triệu tỷ won Hàn Quốc. Samsung Electronics đang xem xét việc chuyển đổi dây chuyền sản xuất wafer duy nhất S5 tại khu vực Pyeongtaek sang sản xuất bộ nhớ sớm nhất vào năm sau.

Tin tức từ ChainCatcher, Changxin Technology đã phát hành báo cáo nửa năm 2026, doanh thu trong nửa đầu năm đạt 1503.10 tỷ nhân dân tệ, tăng 873.64% so với cùng kỳ năm trước; lợi nhuận ròng thuộc về cổ đông đạt 776.05 tỷ nhân dân tệ, trong khi cùng kỳ năm trước lỗ 23.32 tỷ nhân dân tệ; dòng tiền thuần từ hoạt động kinh doanh đạt 1311.56 tỷ nhân dân tệ, tăng 2985.64% so với cùng kỳ năm trước; tỷ lệ lợi nhuận gộp đạt 84.84%, chi phí nghiên cứu và phát triển đạt 68.59 tỷ nhân dân tệ, chiếm 4.56% doanh thu. Tính đến cuối kỳ báo cáo, tổng tài sản đạt 4680.78 tỷ nhân dân tệ, tài sản ròng đạt 2707.49 tỷ nhân dân tệ.Công ty là nhà sản xuất DRAM IDM lớn thứ tư thế giới và lớn nhất Trung Quốc, sản phẩm bao gồm DDR5, LPDDR5/5X, LPDDR6, đã hợp tác với các khách hàng hàng đầu như Alibaba Cloud, Byte, Tencent, Lenovo, Xiaomi, OPPO, vivo, nền tảng công nghệ quy trình thế hệ thứ năm đang tiến hành chứng nhận khách hàng. Tính đến ngày 30 tháng 6, công ty sở hữu tổng cộng 4484 bằng sáng chế trong nước và 3400 bằng sáng chế nước ngoài, có 7491 nhân viên nghiên cứu và phát triển, chiếm 33.42%. Công ty không có cổ đông kiểm soát và người kiểm soát thực tế, cổ đông lớn nhất là Qinghui Jidian nắm giữ 21.67%. Công ty đã niêm yết trên Sàn giao dịch Khoa học và Công nghệ vào ngày 27 tháng 7, giá phát hành là 8.66 nhân dân tệ/cổ phiếu, giá trị thị trường trong ngày đầu niêm yết vượt 3.5 nghìn tỷ nhân dân tệ.

ChainCatcher tin tức, theo báo chí Hàn Quốc 《朝鲜日报》 đưa tin, giá xuất khẩu DRAM của Hàn Quốc tiếp tục tăng vọt, sản xuất HBM do AI điều khiển đang gây áp lực lên nguồn cung bộ nhớ thông thường. Dữ liệu cho thấy, từ ngày 1 đến 20 tháng này, giá xuất khẩu DRAM của Hàn Quốc đạt 92,183 USD mỗi kg, tăng 401% so với cùng kỳ năm trước, và tăng khoảng 12,5 lần so với mức thấp vào tháng 1 năm 2023.Goldman Sachs dự đoán rằng khoảng cách cung cấp DRAM sẽ mở rộng từ 5,0% trong năm nay lên 5,9% vào năm tới, và cho rằng HBM cần thiết cho máy chủ AI cũng như DRAM cho máy chủ dung lượng lớn đang hấp thụ năng lực sản xuất hạn chế, dẫn đến nguồn cung DRAM thông thường càng trở nên khan hiếm hơn, tình trạng thiếu hụt có thể kéo dài đến năm 2028. TrendForce dự đoán, đến cuối năm sau, lượng wafer mà Samsung, SK Hynix và Micron sử dụng cho sản xuất HBM sẽ chiếm 30% tổng lượng wafer DRAM, nhưng HBM chỉ chiếm khoảng 13% trong tổng cung bit DRAM thực tế.Các nhà sản xuất bộ nhớ cảnh báo, tình trạng căng thẳng về cung cấp DRAM và NAND do nhu cầu AI thúc đẩy có thể kéo dài đến sau năm 2027. SK Hynix cho biết, từ phía cung cấp, năm 2027 có thể trở thành năm thiếu hụt nghiêm trọng nhất trong lịch sử ngành bộ nhớ.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của DIGITIMES, Changxin Storage và Yangtze Memory Technologies tiếp tục mở rộng, gần đây Apple tích cực tìm kiếm để đưa vào hai chuỗi cung ứng bộ nhớ Trung Quốc, công chúng quan tâm đến việc họ gia nhập hệ thống cung ứng của Apple. Ngành công nghiệp tiết lộ, hai nhà sản xuất thực tế mượn Apple để chứng minh chất lượng DRAM và NAND Flash của Trung Quốc đã đạt tiêu chuẩn quốc tế, dưới bề mặt thì thông qua lắp ráp bên thứ ba, chuyển tiếp xuất khẩu cho các nhà cung cấp đám mây mới ở Bắc Mỹ (neocloud), mở rộng thị phần đám mây và doanh nghiệp.Công ty mẹ của Changxin Storage, Changxin Technology, đã hoàn thành huy động vốn 29,5 tỷ nhân dân tệ, Yangtze Memory Technologies dự định huy động khoảng 33 tỷ nhân dân tệ thông qua IPO, để nâng cấp dây chuyền sản xuất và nghiên cứu phát triển. Yangtze Memory Technologies đã có lãi vào năm 2024, lợi nhuận ròng thuộc về mẹ trong quý đầu tiên của năm 2026 đạt 33,379 tỷ nhân dân tệ; nhà máy mới giai đoạn ba sẽ đi vào sản xuất sớm hơn vào quý bốn năm 2026, tổng công suất mỗi tháng là 100.000 tấm, trong đó khoảng 20% sẽ thử nghiệm LPDDR, trở thành điểm DRAM đầu tiên của họ. Chuỗi cung ứng cho biết, hai công ty có khả năng nâng tỷ lệ tự cung cấp bộ nhớ nội địa Trung Quốc lên trên 50% vào cuối năm 2027 đến năm 2028.Yangtze Memory Technologies bán NAND cho các nhà sản xuất mô-đun bên thứ ba và lắp ráp thành SSD cấp doanh nghiệp, tránh nhạy cảm về nguồn gốc; Changxin Storage đã đưa vào chứng nhận từ các nhà cung cấp đám mây vừa và nhỏ ở Mỹ, Canada và các nơi khác. Các doanh nghiệp tư nhân ở Mỹ về nguyên tắc có thể mua sắm từ hai công ty này, danh sách thực thể chủ yếu hạn chế việc tiếp cận công nghệ Mỹ, không cấm hoàn toàn việc mua sắm tư nhân. Các nhà cung cấp đám mây cũng giảm thiểu rủi ro tuân thủ thông qua việc thuê sức mạnh tính toán hoặc sở hữu tài sản bên thứ ba. Ngành công nghiệp cho rằng, ảnh hưởng của Apple đối với cung cầu trong ngành giảm, hai công ty không có ý định cung cấp số lượng lớn cho Apple hoặc cạnh tranh giảm giá, việc mở rộng sản xuất vẫn khó đáp ứng nhu cầu của Apple trên thị trường Trung Quốc trong ngắn hạn.

Tin tức từ ChainCatcher, phân tích chỉ ra rằng, các nhà sản xuất DRAM chính của Trung Quốc như CXMT đã đạt sản lượng wafer hàng tháng khoảng 240.000 chiếc vào cuối năm 2025 và dự kiến sẽ giữ nguyên vào năm 2026. Do ảnh hưởng của việc Mỹ siết chặt kiểm soát xuất khẩu thiết bị bán dẫn tiên tiến, đặc biệt là máy in EUV, khả năng mở rộng sản xuất của họ bị hạn chế, việc mở rộng sản xuất thực chất sớm nhất phải đến năm 2027 và phụ thuộc vào tiến độ chuỗi cung ứng thiết bị trong nước. Dữ liệu từ Goldman Sachs cho thấy, tỷ lệ bao phủ nhu cầu DRAM trong nước của CXMT chỉ khoảng 41% vào năm 2026 và khoảng 50% vào năm 2028, cho thấy một nút thắt cấu trúc kéo dài nhiều năm.Dữ liệu từ TrendForce cho thấy, giá hợp đồng DRAM truyền thống trong quý 1 năm 2026 tăng mạnh 90%-95% so với quý trước, quý 2 tiếp tục tăng 58%-63%, Jefferies dự đoán quý 3 và quý 4 vẫn sẽ tăng lần lượt 40%-50% và 30%-40%. Giá DRAM cho máy chủ tăng mạnh hơn, Samsung và SK Hynix đã đề xuất tăng giá 60%-70% cho Microsoft, Google và các khách hàng khác trong quý 1. S&P Global dự đoán doanh thu mỗi bit của DRAM truyền thống Samsung sẽ tăng 116% so với năm trước lên 0,79 USD vào năm 2026, trong khi ASP của Micron tăng 54% lên 1,06 USD; Bernstein dự đoán biên lợi nhuận gộp của SK Hynix DRAM có thể đạt 92,7% vào quý 4 năm 2026.Nhiều bên dự đoán rằng nguồn cung hiệu quả sẽ được cải thiện sớm nhất vào cuối năm 2027 hoặc thậm chí vào năm 2028.

Tin tức từ ChainCatcher, báo cáo nghiên cứu của Goldman Sachs vào ngày 23 tháng 8 chỉ ra rằng, dự báo thiết bị trước wafer (WFE) cho năm 2026 đến 2028 đã được điều chỉnh tăng lên 150 tỷ, 218 tỷ và 281 tỷ USD, cao hơn lần lượt 6%, 17% và 35% so với dự báo trước đó. Tốc độ tăng trưởng hàng năm trong ba năm điều chỉnh là 36%, 45% và 29%, trong khi dự báo trước đó là 28%, 32% và 12%.Goldman Sachs cho rằng, DRAM và gia công quy trình tiên tiến là động lực chính trong ngắn hạn. Trong lĩnh vực DRAM, dự báo chi tiêu vốn của Samsung và SK Hynix đã được điều chỉnh tăng lần lượt 22% và 19%, sản xuất hàng loạt HBM4 đã thúc đẩy nhu cầu thiết bị như khắc, lắng đọng; trong lĩnh vực gia công, chi tiêu vốn hàng năm của TSMC đã được điều chỉnh tăng thêm 8 tỷ USD, quy trình N2 đã bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt. NAND và logic/các lĩnh vực khác (bao gồm Terafab) sẽ tiếp tục hỗ trợ trong trung hạn, khoản đầu tư thiết bị giai đoạn ban đầu khoảng 16,8 tỷ USD mà SpaceX và Tesla cam kết đã được đưa vào dự báo WFE.Goldman Sachs lạc quan về cổ phiếu thiết bị bán dẫn toàn cầu, đặc biệt khuyến nghị Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec và Ebara.

Tin tức từ ChainCatcher, ngày 21 tháng 8, công ty sản xuất chip tích hợp 3D Qianhe Yibang đã công bố rằng chip tích hợp 4 lớp 3D DRAM đầu tiên trên thế giới do họ tự nghiên cứu đã thành công trong việc quay lại và được kích hoạt, đánh dấu bước chuyển giao từ xác minh sang giai đoạn triển khai kỹ thuật. Chip này sử dụng kiến trúc tính toán gốc tích hợp ba chiều, băng thông truy cập dữ liệu được cải thiện gấp một bậc so với các giải pháp truyền thống, tiêu thụ năng lượng truy cập dữ liệu, độ trễ và chi phí xử lý dữ liệu một lần đều giảm gấp một bậc.Qianhe Yibang được thành lập vào tháng 1 năm 2024, được ươm tạo bởi NetEase, gần đây đã hoàn thành vòng gọi vốn B trị giá hơn 2 tỷ nhân dân tệ.

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của Thời báo Công thương, dưới sự thúc đẩy của AI, nhu cầu về bộ nhớ và đóng gói tiên tiến sẽ tăng trưởng lâu dài, Công ty Điện tử Hwa Bang đã khởi động kế hoạch mở rộng nhà máy ở Đài Loan tại Lục Châu, sẽ hợp nhất giai đoạn hai và ba thành Module B để phát triển đồng thời, dự kiến sẽ bắt đầu xây dựng phòng sạch vào năm 2027, nhanh nhất là vào đầu năm 2029 sẽ bắt đầu lắp đặt máy móc, và sẽ theo nhu cầu của khách hàng để dự đoán và đưa thiết bị vào theo từng giai đoạn LTA. Hiện đã có khách hàng thương thảo trước về công suất cho năm 2029 và 2030.Các tổ chức cho biết, trong quý ba, DRAM dạng niche và SLC NAND của Công ty Điện tử Hwa Bang đang trong tình trạng cung không đủ cầu, giá dự kiến tăng khoảng 50% theo quý; NOR Flash được hưởng lợi từ việc các nhà cung cấp dịch vụ đám mây lớn tích trữ hàng, giá dự kiến tăng khoảng 30% theo quý. Giá bộ nhớ trong quý bốn dự kiến sẽ tăng trưởng thu hẹp xuống còn 2% đến 5%, nhưng nhờ vào việc tăng công suất DRAM và lượng hàng xuất khẩu tăng trưởng, doanh thu và lợi nhuận vẫn có thể duy trì tăng trưởng theo quý. Doanh thu hợp nhất của Công ty Điện tử Hwa Bang trong quý hai đạt 59.843 tỷ Đài tệ, tăng 56,4% theo quý và tăng 184,7% theo năm, giá DRAM tăng khoảng 100% theo quý, giá Flash tăng khoảng 43%, tỷ lệ lợi nhuận gộp hợp nhất tăng lên 66,2%, lợi nhuận ròng sau thuế trên mỗi cổ phiếu đạt 5,40 Đài tệ.Kế hoạch sản phẩm Module B bao gồm Standard DRAM, CUBE DRAM, Wafer-on-Wafer (WoW) và điện dung silicon (Si-Cap), sẽ hỗ trợ quy trình DRAM 14 nanomet và quy trình DRAM 12 nanomet trong tương lai, và cũng có kế hoạch đưa vào thiết bị EUV sau này.

Tin tức từ ChainCatcher, theo báo cáo của "The Wall Street Journal", Apple đang thử nghiệm chip nhớ từ nhà sản xuất DRAM Trung Quốc Trường Tân Tồn Trữ (CXMT), dự kiến sẽ áp dụng cho các dòng sản phẩm như iPhone và MacBook. Bối cảnh của động thái này là nhu cầu AI đã đẩy giá nhớ toàn cầu tăng cao, Apple đã từng vận động với phía Mỹ rằng mức giá hiện tại từ các nhà cung cấp Hàn Quốc và Mỹ là "không bền vững". Báo cáo cho biết, Apple đang tìm kiếm sự chấp thuận từ Nhà Trắng để hợp tác với các nhà cung cấp chip Trung Quốc, hiện tại Mỹ cho phép các nhà mua hàng nhập khẩu chip hàng hóa nhưng hạn chế các sản phẩm tùy chỉnh.Thị phần của Trường Tân Tồn Trữ gần đây đã mở rộng nhanh chóng, doanh thu quý hai tăng trưởng hơn 8 lần so với cùng kỳ năm trước, thị phần DRAM toàn cầu đã tăng lên 7%, và đã hoàn thành IPO trên Sàn giao dịch Khoa học và Công nghệ vào tháng trước. Trong khi đó, các nhà sản xuất PC như HP, Acer đã bắt đầu sử dụng chip nhớ của Trường Tân Tồn Trữ trong một số thiết bị bán ra tại thị trường không phải Mỹ để giảm bớt áp lực cung ứng. Nếu Apple cuối cùng đạt được thỏa thuận mua sắm, có thể sẽ đối mặt với sự cản trở chính trị từ Washington.

Tin tức từ ChainCatcher, Micron Technology đã cho biết tại hội nghị FMS 2026 với Deutsche Bank rằng AI đang định hình lại cấu trúc ngành công nghiệp bộ nhớ, tỷ lệ bộ nhớ trong tổng giá trị hệ thống đã tăng từ khoảng 10% cách đây ba mươi năm lên gần 50% hiện nay, và xu hướng này vẫn đang gia tăng. Hiện tại, cả DRAM và NAND đều đang trong tình trạng cầu vượt cung, do việc nâng cấp bộ nhớ cần phải tháo rời hệ thống, nhu cầu bộ nhớ trong hệ thống AI càng cứng nhắc hơn, độ đàn hồi giá thấp hơn so với kỳ vọng của thị trường. Thỏa thuận khách hàng chiến lược (SCA) dự kiến sẽ bao phủ khoảng 40% doanh số, cung cấp cơ chế ổn định giá cho cả hai bên.Ban lãnh đạo Micron mô tả nhu cầu AI Agent ở phía CPU là "khởi động trước mùa", coi đây là một trụ cột mới bên ngoài hệ sinh thái GPU. Đối với các công nghệ mới nổi như SRAM, Micron cho rằng khả năng mở rộng của chúng là hạn chế, không thể thách thức vị trí cốt lõi của HBM, hiện chỉ khoảng 5% hệ thống chạy các tải trọng cụ thể như vậy. Deutsche Bank duy trì đánh giá "Mua vào", cho rằng Micron có lợi thế độc đáo "tăng trưởng mà không hy sinh lợi nhuận". Trong thời gian FMS, Sandisk và SK Hynix đã công bố tiêu chuẩn công nghệ HBF đầu tiên, nhưng Micron cho rằng giá trị thực tế và triển vọng thương mại của nó vẫn còn gây tranh cãi.