SK Hynix tăng cường mở rộng tỷ lệ DRAM 1c, sẽ trở thành lực lượng chính vào đầu năm sau

Theo báo cáo của nhật báo Triều Tiên vào ngày 7 tháng 9, SK Hynix đang tăng tốc nâng cao tỷ lệ sản xuất DRAM thế hệ thứ sáu (1c) 10 nanomet. Dữ liệu trong ngành cho thấy, tỷ lệ DRAM 1c của họ đã tăng từ khoảng 10% trong quý đầu năm lên khoảng 13% trong quý hai, và dự kiến sẽ đạt khoảng 24% trong quý ba, khoảng 34% trong quý bốn; quý đầu năm sau có thể tăng lên khoảng 35%, lần đầu tiên vượt qua 1b (khoảng 33%) và trở thành quy trình chính. Tỷ lệ DRAM 1b (thế hệ thứ năm 10 nanomet) đã đạt đỉnh khoảng 43% trong quý hai năm nay và sau đó bắt đầu giảm.

Cuối quý hai, tỷ lệ 1c của Samsung Electronics khoảng 16%, Micron khoảng 19%, đều cao hơn khoảng 13% của SK Hynix. Báo cáo cho biết, SK Hynix sẽ tăng tốc chuyển đổi trong nửa sau năm nay, quý bốn có thể vượt qua khoảng 34% của Samsung Electronics khoảng 31%. SK Hynix đã cho biết trong cuộc gọi hội nghị kết quả quý hai rằng, việc cung cấp DRAM sử dụng quy trình 1c đã bắt đầu thực sự từ quý hai, nửa sau năm nay sẽ tăng trưởng cùng với việc tăng sản lượng HBM4 và xuất khẩu DRAM 1c, tỷ lệ tăng trưởng bit cao hơn so với nửa đầu năm.

Samsung Electronics đã sử dụng DRAM 1c từ HBM4, với tốc độ hoạt động khoảng 11.7Gbps; SK Hynix trước đó đã ưu tiên đảm bảo tính ổn định sản xuất hàng loạt với DRAM 1b đã được xác nhận và gói MR-MUF tiên tiến, từ thế hệ HBM4E tiếp theo sẽ lần đầu tiên sử dụng DRAM 1c làm chip lõi HBM. Counterpoint Research và các tổ chức khác dự đoán, trong năm nay, thị phần HBM4 của Nvidia, Google, AMD tổng hợp dưới quy mô khoảng 50% giữa SK Hynix, 20% cuối của Samsung Electronics, và 10% cuối của Micron.