三星電子規劃三款 zNAND，面向定制化 AI 存儲

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日報導，三星電子正擴大次世代 NAND 快閃記憶體 zNAND 的應用範圍，並規劃在已公開的 zNAND-O 之外，將產品細分為 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。報導稱，三星電子尚未正式宣布後兩款產品，但業界了解到相關方案已進入初期開發，以對應 AI 基礎設施中客製化儲存需求增加的情況。

zNAND-O 面向端側 AI。與傳統引線鍵合不同，該方案通過矽通孔將 NAND 垂直堆疊 4 層或 8 層，縮短數據傳輸路徑，並提升速度與能效。三星電子已於今年 8 月在美國儲存器相關活動中首次公開展示 zNAND-O 模型。

zNAND-T 側重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 數據中心，同樣以垂直堆疊和矽通孔擴大帶寬，業界將其稱為高帶寬快閃記憶體。zNAND-I 側重提升每秒輸入輸出次數，用於 AI 推理中對鍵值快取等小容量臨時數據的頻繁處理。報導同時提到，SK 海力士也在開發 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 產品系列。