SK 海力士加速扩大 1c DRAM 占比，明年年初成主力

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%；明年一季度或升至约 35%，首次超过 1b（约 33%）并成为主力工艺。1b（10 纳米级第五代）DRAM 占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。

二季度末，三星电子 1c 占比约 16%、美光约 19%，均高于 SK 海力士的约 13%。报道称，SK 海力士下半年加快转换，四季度或按约 34%超过三星电子约 31%。SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开，下半年将随 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率高于上半年。

三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps；SK 海力士此前以已验证的 1b DRAM 与先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，自下一代 HBM4E 起首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等预计，今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径下 HBM4 市场份额约为 SK 海力士 50% 中段、三星电子 20% 后段、美光 10% 后段。