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ChainCatcher 消息，界面新闻从产业链独家获悉，苹果已接受三星电子 2027 年一季度存储芯片报价：DRAM 接近 2.0 美元 /Gb，NAND 闪存接近 0.33 美元 /Gb，较今年三季度报价上涨 30%-40%。界面新闻就此消息向苹果求证，截至发稿暂无回应。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 15 日报道，三星电子与 SK 海力士三季度营业利润共识在三个月内再次上调。综合主要券商与海外投行报告，三星电子三季度营业利润预估约 114 万亿韩元，较三个月前的 101.9052 万亿韩元上调 12.2836 万亿韩元（12%），较二季度 89.4 万亿韩元增长 28%。SK 海力士三季度预估为 78.8035 万亿韩元，较三个月前的 75.7249 万亿韩元上调 4%，较二季度 60.5426 万亿韩元增长 30%。TrendForce 预计三季度通用 DRAM 固定交易价格环比上涨 13% 至 18%，NAND 闪存上涨 10% 至 15%。证券界关注三星电子 HBM4 营收占比由一季度 5% 扩大至二季度约 35%，且良率改善。SK 海力士维持 HBM 市场份额第一，但三星 HBM4 量产改善或稀释其供应溢价。花旗证券因韩元走强将 SK 海力士三季度营业利润预估由 76.7 万亿韩元下调至 74 万亿韩元。美光将于 30 日公布 2026 财年第四季度（6 月至 8 月）业绩，营收指引为 490 亿至 510 亿美元。

ChainCatcher 消息，HIP-3 市场部署者 Entropy 花费 500 枚 HYPE（约合 38,950 美元）拍下代码 DRAM，预计将上线 io:DRAM 永续合约交易。此前 Trade.xyz 已部署 xyz:DRAM 永续合约交易。DRAM 为 Roundhill Memory ETF（DRAM），是全球首只纯内存主题 ETF。

ChainCatcher 消息，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储 CXMT 近日启动上海新厂合作商设备招标，并推进多地产能扩张。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量产 DRAM，产能估约每月 20 万片中段，年底或超过每月 30 万片。CXMT 计划今年四季度开上海新厂，相关设备招标已启动。半导体设备业人士称，该厂拟分两阶段扩建，产能将显著超过每月 10 万片。随后计划明年上半年开合肥新厂、最早明年下半年开北京新厂，后年上半年再开合肥新厂。设备业人士称，CXMT 已与多方沟通多地建厂时点。若计划全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 万至 8 万片产能，长期或超每月 60 万片。三星电子与 SK 海力士 DRAM 产能分别估约每月 70 万片、60 万片。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）在利润率方面已领先全球竞争对手，超越 SK 海力士和美光。该公司利用商品级 DRAM 供应紧张的局面，在第二季度占据优势。长鑫存储的主要产品包括 DDR5 内存，近几个月价格出现上涨。报道称，这一情况出现在由韩国、美国和日本供应商主导的存储芯片行业。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日，该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示，实现该技术除设计与发热问题外，还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠，更是打破存储器与逻辑边界的技术；随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称，过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路，现在则像时刻变化的弯道，除内部能力外，把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。

ChainCatcher 消息，长鑫科技召开 2026 年半年度业绩说明会。有投资者询问长鑫科技第三季度 DRAM 价格情况，公司高级副总裁、财务负责人黄丹阳认为，展望 2026 年下半年，全球 DRAM 产品供给紧缺格局将延续。

ChainCatcher 消息，韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，明年可用供应将明显不足。该机构周一报告指出，人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。关键因素是向 HBM4 过渡，HBM4 所需晶圆约为传统 DRAM 的三倍，晶圆产能有限将减少传统 DRAM 可用产能。KB Securities 预计明年 DRAM 和 NAND 需求将超过供应 10 个百分点以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智能服务器将消耗 HBM、服务器 DDR5 和企业级固态硬盘，可能导致历史性短缺。全球超大规模数据中心运营商将明年人工智能基础设施投资预期上调至 1.3 万亿美元，较上年增长 60%。该机构预计明年存储半导体将占人工智能基础设施总投资的 57%，高于去年的 14%，TrendForce 预计这一比例可能高达 68%。三星电子股价较高点跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，长鑫科技召开 2026 年半年度业绩说明会。公司独立董事陈武朝在回复投资者提问时表示，2026 年上半年，全球 DRAM 产品景气度提升，价格上涨。目前，公司仍处于产能扩张和技术升级的关键投入期，需要在保障必要资本开支的前提下逐步为股东创造回报。随着盈利能力持续增强，公司将依法依规适时启动分红方案的论证。

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 集邦咨询最新存储器产业研究，2026 年第二季由于 Conventional DRAM（一般型 DRAM）合约价显著上涨，推升整体 DRAM 产业营收季增 59.5%，近 1,547.3 亿美元。随着 LLM 模型训练、AI 推理刺激 AI Server 需求，HBM3e、LPDDR5X 和高容量 RDIMM 出货同步成长，Agentic AI 应用则带动各容量规格的 RDIMM 拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足 Server 应用，第二季整体 DRAM 位元出货量小幅成长。

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%；明年一季度或升至约 35%，首次超过 1b（约 33%）并成为主力工艺。1b（10 纳米级第五代）DRAM 占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。二季度末，三星电子 1c 占比约 16%、美光约 19%，均高于 SK 海力士的约 13%。报道称，SK 海力士下半年加快转换，四季度或按约 34%超过三星电子约 31%。SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开，下半年将随 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率高于上半年。三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps；SK 海力士此前以已验证的 1b DRAM 与先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，自下一代 HBM4E 起首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等预计，今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径下 HBM4 市场份额约为 SK 海力士 50% 中段、三星电子 20% 后段、美光 10% 后段。

ChainCatcher 消息，台湾 DRAM 制造商南亚科技（股票代码：2408）9 月 2 日公布，2026 年 8 月未经审计合并净销售额为 446.90268 亿新台币，较 7 月的 438.67609 亿新台币环比增长 1.88%，较 2025 年 8 月的 67.62501 亿新台币同比增长 560.85%。该公司同步披露，2026 年年初至今合并销售额为 2201.94 亿新台币，同比增长 638.19%。详细数据可查阅公司官网投资者关系栏目或台湾证券交易所网站。

ChainCatcher 消息，谷歌供应链基础设施高级总监 Nikhil Cherian 透露，为突破内存瓶颈，谷歌正在开发软件和硬件解决方案，并拆解退役服务器回收 DDR4 组件以建立内部回收供应链。谷歌已设计特殊硬件适配器，可将上一代 DDR4 连接到新一代人工智能服务器，同时进口退役服务器拆除其 DDR4 模块进行回收利用。Cherian 表示，人工智能行业已迅速从计算受限转向内存受限，高性能内存约占给定人工智能服务器物料清单成本的 75%。高盛报告指出，第三季度内存价格将继续增长，预计个人电脑 DRAM 价格上涨 18% 至 23%，服务器 DRAM 价格上涨 13% 至 18%。Trendforce 数据显示，8 月现货市场上 DDR4 8GB 和 DDR5 8GB 价格分别上涨至 142 美元和 133 美元。谷歌今年推出的两种 TPU ASIC 对内存进行了优化设计，称有望将内存需求降低至原来的六分之一。TPU8i 芯片采用专用分层内存设计，依靠高速 DDR5 内存架构执行主机级任务，每颗芯片搭载 288GB 的 HBM3e 高带宽内存。

ChainCatcher 消息，日经中文网 9 月 3 日报道，来自英伟达的人工智能服务器相关需求正在助推半导体存储器 DRAM 行情加速走高。用于个人电脑等设备的通用 DRAM 产品价格环比上涨 5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应 AI 服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。DRAM 除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的 AI 服务器等设备，承担数据临时存储功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按月度或季度开展谈判确定大宗交易价格。用于 PC、游戏机、服务器的通用型号 DDR5 的 16Gb 规格产品 7 月大宗交易价格敲定在约 40.2 美元，环比上涨 5%。价格实现连续 7 个月走高，电子商社高管表示已经刷新历史最高价位。

ChainCatcher 消息，调研机构群智咨询（Sigmaintell）发布存储价格风向标显示，2026 年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM（动态随机存取存储器）、NAND Flash（闪存）全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到 10% 以内。

ChainCatcher 消息，据韩国《首尔经济》8 月 31 日报道，AI 加速器所用 HBM 与 DRAM 价格持续高涨。韩国贸易协会数据显示，DRAM 出口量由 5 月约 6.817 亿个降至 7 月 5.9174 亿个，下降 13.2%，出口额则由 114.28 亿美元增至 135.52 亿美元，增长 18.5%，出口单价由 16.76 美元升至 22.9 美元，上涨 36.6%。HBM4 向英伟达等客户供应扩大，且初期良率低于 HBM3E，加剧整体 DRAM 供应短缺。三星电子内存事业部据称将至 2031 年约 70% 产能分配给长期供应协议，主要对象包括英伟达、微软、谷歌。Mega Grid Supply 数据显示，HBM3E 36GB 现货价 2100 美元，约为长期协议价的 4 至 5 倍；正在量产协调的 HBM4 16 层现货价约 3500 美元。金融投资界预计三星电子三季度营收 206.64 万亿韩元、营业利润 116.38 万亿韩元，营业利润将首次突破 100 万亿韩元。SK 海力士三季度营收预计 101.76 万亿韩元、营业利润 79.16 万亿韩元。三星电子正考虑最早明年将平泽园区唯一晶圆代工产线 S5 转为内存生产。

ChainCatcher 消息，长鑫科技发布 2026 年半年度报告，上半年营收 1503.10 亿元，同比增长 873.64%；归母净利润 776.05 亿元，去年同期亏损 23.32 亿元；经营活动现金流净额 1311.56 亿元，同比增长 2985.64%；毛利率 84.84%，研发投入 68.59 亿元，占营收 4.56%。截至报告期末，总资产 4680.78 亿元，净资产 2707.49 亿元。公司是全球第四、中国第一的 DRAM IDM 厂商，产品覆盖 DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 等，已与阿里云、字节、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo 等头部客户合作，第五代工艺技术平台正进行客户认证。截至 6 月 30 日，公司共拥有 4484 项境内专利及 3400 项境外专利，研发人员 7491 人，占比 33.42%。公司无控股股东和实际控制人，第一大股东清辉集电持股 21.67%。公司于 7 月 27 日登陆科创板，发行价 8.66 元/股，上市首日市值突破 3.5 万亿元。

ChainCatcher 消息，据韩国《朝鲜日报》报道，韩国 DRAM 出口价格持续飙升，AI 驱动的 HBM 生产正在挤压普通内存供应。数据显示，本月 1 日至 20 日，韩国 DRAM 出口单价达到每公斤 9.2183 万美元，同比上涨 401%，较 2023 年 1 月低点上涨约 12.5 倍。高盛预计 DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大至明年的 5.9%，并认为 AI 服务器所需的 HBM 以及大容量服务器 DRAM 正在吸收有限的生产产能，导致普通 DRAM 供应进一步收紧，供应短缺可能持续至 2028 年。TrendForce 预计，到明年底，三星、SK 海力士和美光用于 HBM 生产的晶圆投入量将占 DRAM 总晶圆投入的 30%，但 HBM 占实际 DRAM 比特供应量仅约 13%。内存厂商警告，AI 需求推动的 DRAM 和 NAND 供应紧张可能持续至 2027 年以后。SK 海力士表示，从供应端来看 2027 年可能成为内存行业历史上最严重的短缺年份。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，长鑫存储与长江存储持续扩张，近期苹果积极寻求导入两家中系记忆体供应链，外界关注其打入苹果供应体系。业界透露，两家厂商实则借苹果证明中国 DRAM 及 NAND Flash 品质已达国际水准，檯面下则透过第三方组装，辗转外销北美新云端（neocloud）业者，扩大云端与企业级市占。长鑫存储母公司长鑫科技已完成人民币 295 亿元募资，长江存储拟 IPO 募资约 330 亿元，用于量产线升级与研发。长江存储 2024 年已转盈，2026 年第一季归母净利达 333.79 亿元；其三期新厂将提前至 2026 年第四季投产，总产能每月 10 万片，其中约 20% 试产 LPDDR，成为其首个 DRAM 据点。供应链称，两家最快有望在 2027 年底至 2028 年将中国本土记忆体自给率提升至 50% 以上。长江存储以 NAND 销往第三方模组厂并组装为企业级 SSD 出货，规避产地敏感；长鑫存储已导入美、加等地中小型云端业者认证。美国民间企业原则上可向两家采购，实体清单主要限制其获取美国技术，并未全面禁止民间采购。云端业者亦透过租用算力或第三方持有资产等方式降低合规风险。业界认为，苹果对产业供需影响力下降，两家并无意大量供货苹果或削价竞争，扩产仍难短期满足苹果在中国市场需求。