存储

ChainCatcher 消息，韩国存储基板厂商 TLB 已与两家国内外大型存储制造商启动 AI 服务器低功耗内存模块规格 SOCAMM3 基板开发。据业界 22 日消息，TLB 近期开始与两家现有存储客户协商设计方向和制造工艺，规格尚未确定，存储厂商计划先与基板厂商完成设计后再纳入规格，实际基板量产预计在 2028 年。SOCAMM 将移动端低功耗 DRAM 做成可拆卸的 AI 服务器模块，由英伟达率先用于自有 AI 服务器，SOCAMM2 已发展为 JEDEC 标准。目前英伟达 Vera CPU 旁每颗 CPU 搭载 8 个基于 LPDDR5X 的 SOCAMM2，单颗 CPU 最大容量 1.5TB、带宽每秒 1.2TB。SOCAMM2 基板需经过五次叠层，SOCAMM3 叠层次数将增加，微孔加工等工艺难度上升。适用系统尚未公开，2028 年量产时点与英伟达路线图重合，英伟达今年 3 月在 GTC 宣布将于 2028 年推出 Feynman GPU 与新 CPU Rosa。TLB 的 SOCAMM2 基板已于今年初量产，二季度产量和销售额较前一季度增长三倍以上，生产时间与单价均约为既有模块基板的两倍。业界预计今年 TLB 的 SOCAMM 基板销售额约 700 亿韩元，明年约 1400 亿韩元。券商预计公司今年整体营收约 3500 亿至 3700 亿韩元，同比增长约 40%，明年约 4500 亿韩元。公司下月将在越南北宁省安丰产业园开工建设二厂，目标明年四季度投产，但 SOCAMM 基板短期内仍仅在安山总部生产。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股开盘，道指涨 0.3%，标普 500 指数涨 0.3%，纳指涨 0.7%。SK 海力士、闪迪涨 4%，美光科技涨 3%，SpaceX 涨 8%，英伟达涨 2%。

ChainCatcher 消息，美光科技副总裁李哲在首尔 COEX 举行的韩国半导体展 SEDEX 2026 上表示，公司正在研发面向物理 AI 的边缘推理存储器 EIM。业内预计该产品将于 2028 年下半年量产。美光正研究把 EIM 用于 LPDDR6，以服务自动驾驶、人形机器人等对低功耗 DRAM 的需求，并正与主要客户讨论相关产品。科创板日报报道，EIM 位于 AI 芯片与内存之间，做法是把 LPDDR 堆叠在逻辑芯片上，以高速处理推理数据，计算架构尚未完全公开。李哲称，目前机器人 AI 模型约 10 亿至 20 亿参数，带宽需求不高；更先进的视觉语言模型出现后，仅靠 LPDDR 不够，HBM 最终会用于人形机器人。美光预计，未来高性能人形机器人约需 200 GB DRAM 和 4 TB 存储，目前服务型机器人约为 12 GB DRAM 和 256 GB 存储。美光 CEO 桑贾伊·梅洛特拉称，人形机器人单机存储容量是普通 L2+ 乘用车的约 10 倍，存储行业或从 2030 年前后进入持续数十年的需求增长，原因包括需同步处理上百路传感器数据，并在本地运行大模型做毫秒级控制。Counterpoint Research 预计，全球人形机器人 DRAM 需求将从今年约 8300 Tbit 增至 2030 年约 17.2 万 Tbit。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股盘前存储板块普涨，美光科技涨 2.4%，闪迪涨 3.64%，SK 海力士涨 3.6%，西部数据和希捷科技涨超 2%。

ChainCatcher 消息，市场研究机构 Counterpoint Research 与 TrendForce 于 18 日表示，中国 DRAM 厂商长鑫存储月晶圆产能预计将从目前约 32 万片扩大至 2027 年的 42 万片，一年多时间新增约 10 万片，增幅达 31.3%。行业预计，长鑫存储月 DRAM 晶圆产能到 2028 年底将达到 50 万至 60 万片。若按上限 60 万片计算，较当前水平增加 28 万片，增幅约 87.5%。

ChainCatcher 消息，白毛股神 Serenity 表示，存储芯片行业正获得前所未有的长期需求可见性，谷歌等大型云服务商甚至寻求签订期限延伸至 2035 年的长期供应协议，但市场仍受到 AI 基础设施投资可持续性及融资风险等担忧的影响。 Serenity 同时援引戴尔 CEO 迈克尔·戴尔的观点称，存储芯片供应短缺可能持续约 4 年，新增晶圆厂建设周期较长，相关产能预计要到 2029 年至 2030 年才能释放。戴尔预计，2027 年存储芯片供需失衡情况可能进一步恶化。

ChainCatcher 消息，分析师 Jukan 发文讨论存储行业周期，认为算力与存储将同步趋紧或同步宽松，不存在算力持续短缺而存储单独转向过剩的情况。他同时表示，做空存储并做多硬盘的逻辑不成立，硬盘与存储周期绑定，若本轮周期回落，硬盘难以单独保持安全。Jukan 称，市场对 2027 年之后的走势缺乏明确判断。历史上，价格往往在供应放量前一到两个季度见顶，随后出货扩张、利润池收缩。他认为，本轮与个人电脑、智能手机和通用服务器周期不同，使用的并非标准化产品，触发因素也不同。一些仍按过去上行获利、下行亏损经验看待存储的投资者主导定价，使存储估值偏低。他表示，类似以往的急剧崩塌难以再现，逐步回落则有可能；即便三星与 SK 海力士利润率较当前水平减半，市盈率仍可能处于十几倍，约为硬盘公司估值的一半。他还认为，存储价格下行时，其他需求会在各个价格台阶承接供应，其中由本地 AI 带动的个人 AI 需求有望出现。若超大规模云厂商推高的存储价格不能得到控制，本地 AI 难以扩散。参照大型机转向个人电脑、云转向智能手机的路径，他预计本轮 AI 周期将从前沿实验室转向本地开源 AI，并由后者承接存储需求。他同时表示，存储价格不会维持十年以上，价格终将回落，但开源驱动的本地 AI 等新消费需求可能提供底部支撑。

ChainCatcher 消息，市场研究机构 IDC 表示，智能手机市场在 9 月季度出现有记录以来最严重的下滑，出货量下降 22%，主要受存储成本上升影响，且情况还将恶化。过去一年存储成本上升，主要由人工智能行业订单需求推动，损害了移动行业盈利能力，迫使企业提价、削减规格并放弃面向预算市场的机型。在主要品牌中，小米和 Oppo 受冲击最大，苹果和三星因高端机型组合更大而表现相对较好。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 发文称，彭博旗下研究机构彭博情报预计，高带宽内存市场规模到 2030 年将达到 6410 亿美元，高于此前 2600 亿美元的预测。该账号援引的预测还显示，彭博情报预计 HBM3E 与 HBM4 价格将在 2027 年上涨 30% 至 45%，高带宽内存平均价格将从 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，财联社 10 月 12 日援引市场调研机构 Counterpoint Research 称，人工智能基础设施建设持续挤占存储芯片供应，消费电子面临成本与供应压力。初步数据显示，2026 年第三季度全球智能手机出货量同比下降 20%，降至 2012 年以来同期最低水平。存储芯片危机已连续第二个季度冲击智能手机市场，芯片成本上涨推高整机物料清单成本，厂商上调终端售价，2026 年以来全球智能手机零售价格累计上涨约 20%。三星仍居全球首位，第三季度份额升至 23%，出货量同比下降 3%，为主要厂商中份额增幅最大者。苹果份额升至 22%，为其第三季度份额首次突破 20%，但出货量同比下降。当年缺少基础款 iPhone 18，新品上市首月渠道铺货规模低于上一年 iPhone 17 全系列上市时的水平，iPhone 18 Pro 系列在中国和印度表现强于前代。小米第三季度出货量同比下降超过 30%，份额降至 10%。OPPO、vivo 出货量均同比下降超过 20%，份额分别降至 9% 和 8%。Counterpoint 高级分析师 Shilpi Jain 称，消费者持有现有设备的时间更长，更多考虑翻新机。Counterpoint 表示，在存储芯片成本与供应改善之前，全球智能手机出货量恐难明显复苏。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情，港股存储概念走低，南方两倍做多海力士（07709.HK）跌超 17%，南方两倍做多三星电子（07747.HK）跌超 14%。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据，美股存储及光通信板块跌幅收窄。存储板块方面，美光科技（MU）跌 2.88%，西部数据（WDC）跌 2.11%，闪迪（SNDK）跌 5.68%，希捷科技（STX）跌 3.62%，SK 海力士（SKHY）跌 3.67%。光通信概念股方面，Applied Optoelectronics（AAOI）跌 6.47%，Coherent（COHR）跌 7.14%，Credo（CRDO）跌 5.69%，Lumentum（LITE）跌 1.57%，诺基亚（NOK）跌 2.99%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。

ChainCatcher 消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）称，其在一种新存储结构上取得关键进展。三星电子与 SK 海力士也在推进同类结构，以提高存储密度。公司总裁曹侃宇在上海一场产业活动上表示，长鑫存储计划在 2026 年底前推出基于该结构的新服务器内存产品，相关说法来自公司声明。该结构为 4F² 设计，即每个存储单元占用面积为 4F²，其中 F 为半导体最小线宽。公司称，这一专有晶体管设计可通过在单颗芯片上容纳更多存储单元来提高存储密度，并改善效率。目前主流商用 DRAM 采用 6F² 单元结构。

ChainCatcher 消息，据韩媒报道，三星电子已就明年存储供应签署长期协议，覆盖比例约为 75% 至 80%，其中包括高带宽内存。报道称，三星电子已与英伟达、谷歌、微软等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士与美光也在加快锁定供应量，并与主要客户签署一系列大规模长期合同。三星电机据称接近与台湾电力电子公司台达电子签署价值 7000 亿韩元的长期协议，用于供应多层陶瓷电容器。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，美股开盘，道指跌 0.62%，标普 500 指数跌 0.45%，纳指跌 0.61%。存储板块普跌，美光科技、希捷科技、西部数据、闪迪、SK 海力士跌约 2.5%。