三星

ChainCatcher 消息，据韩媒报道，三星电子已就明年存储供应签署长期协议，覆盖比例约为 75% 至 80%，其中包括高带宽内存。报道称，三星电子已与英伟达、谷歌、微软等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士与美光也在加快锁定供应量，并与主要客户签署一系列大规模长期合同。三星电机据称接近与台湾电力电子公司台达电子签署价值 7000 亿韩元的长期协议，用于供应多层陶瓷电容器。

ChainCatcher 消息，IT之家援引 Money Today 10 月 8 日报道，三星电子移动体验（MX）部门已计划削减智能手机产量，2026 年第四季度产量最高降幅达 30%。多家 IT 行业知情人士称，三星 MX 部门已通知多家合作伙伴，要求将产品供应量减少 20% 至 30%。IT之家注明，原文未明确这 30% 是环比、同比，还是与此前预期产量对比。产量方面，三星电子原计划依托 Galaxy Z Fold8 等新产品，全年生产高达 2.7 亿部智能手机。第四季度大幅削减后，全年最终产量预计降至 2 亿部出头，降幅超出市场原先预期。IDC 数据显示，今年第一、二季度智能手机出货量分别为 6240 万部和 6270 万部，此前预测第三、四季度出货量分别为 5900 万部和 5200 万部，第四季度较第三季度下降约 12%。Money Today 报道称，内存价格上涨是减产的核心驱动因素。TrendForce 数据显示，今年第二季度智能手机低功耗 DRAM（LPDDR5X）12GB 规格售价为 145 至 146 美元，较去年同期上涨 175%。报道还称，人工智能需求推高存储器价格，预计第三季度智能手机 DRAM 价格将再涨约 20%，最高可达 180 美元。IT 行业人士称，当前三星手机销售已无利润，减产是维持整体盈利的策略。

ChainCatcher 消息，据 The Block 报道，三星于 10 月 7 日宣布，Samsung Wallet 和 Samsung Pay 将支持 Solana 上的 USDC 转账，用于跨境汇款，自 10 月最后一周起覆盖 8200 万台美国 Galaxy 设备。该功能内置于 Samsung Wallet，包含法币提现与充值通道，而非独立加密应用。 用户可将 USDC 发送至兼容的外部钱包，Solana 和 Sui 的基础设施在后台运行，底层框架与美国持牌稳定币托管方 Bastion 合作。三星不收取转账费用，收款钱包或交易所可能收费。该钱包还支持向 60 多个国家的合格银行账户转账，以收款人本地货币到账。 Coinbase 将通过 Coinbase Prime 托管 Samsung Wallet 中的 USDC。三星计划在符合当地监管要求的前提下将该服务扩展至更多市场。

ChainCatcher 消息，AMD 董事长兼首席执行官苏姿丰于 10 月 7 日下午约 4 时 44 分抵达首尔三星电子瑞草办公楼，与设备解决方案部门负责人全永铉副会长会面，距上次访韩约 7 个月。AMD 计算与图形集团负责人 Jack Huynh、副总裁 Joseph Macri 随行。苏姿丰表示，双方将讨论更广泛的伙伴关系，并称三星方面有许多合作伙伴；被问及是否会见李在镕时，她表示不便透露。访三星前，苏姿丰出席首尔 AMD 玩家日，将三星与 SK 海力士称为核心供应链伙伴，并称因人工智能需求上升正在规划长期供应链。她表示，新一代 MI455 与 Helios 系统已开始出货且均采用 HBM4，获两家支持，HBM 合作不会止于一代。报道称，Instinct MI455X 搭载 432GB HBM4，较前代 MI355X 的 288GB HBM3E 增加 50%。她称内存供应非常紧张，正与客户优化用量并要求伙伴扩大生产。TrendForce 于上月 29 日预计，HBM 与普通 DRAM 共用有限先进制程产能，供应紧张或延续至明年。报道称，双方今年 3 月签署以 HBM4 与下一代 DDR5 供应为中心的谅解备忘录，将三星定为 MI455X 用 HBM4 主要供应商，并讨论由三星代工生产 AMD 下一代产品。全永铉当时表示，三星可同时提供内存、代工与封装。

ChainCatcher 消息，三星电子公布三季度初步业绩，营业利润较去年同期飙升 783%，环比增 20.01%，略超分析师预期。人工智能芯片需求激增推动内存业务盈利增长。三星预计 Q3 营业利润为 107.4 万亿韩元（约合 801.7 亿美元），营收为 195 万亿韩元，同比增 127%。

ChainCatcher 消息，三星电子公布三季度初步业绩，第三季度营业利润为 107.4 万亿韩元，市场预期为 106.1 万亿韩元；第三季度营收为 195 万亿韩元，市场预期为 199 万亿韩元。

ChainCatcher 消息，据韩国经济日报报道，三星电子的下一代高带宽内存 “12 层 HBM4E” 产品已通过英伟达及主要超大规模数据中心运营商的质量验证。

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韩国《中央日报》报道，其取得的三星电子部长出身、前长鑫存储（CXMT）设备投资负责人全某的陈述书显示，CXMT 前 CEO 王宁国曾于 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韩国团队，要求带回三星电子工艺配方计划（PRP）及设备信息，并称若不带回将向韩国政府举报，还警告对方有核实人脉、不要说谎。全某称当时感到害怕。报道称，CXMT 管理层当时以“黄山”作为三星电子的代号。全某在三星电子工作 28 年后加入 CXMT，因涉嫌未经授权泄露并使用三星投入 1.6 万亿韩元、当时全球率先开发的 18 纳米 DRAM 工艺被起诉，今年 4 月一审被判 7 年有期徒刑，目前处于二审。PRP 包含 DRAM 制造约 600 个步骤的顺序、设备、条件值及设备公司与型号。三星工艺设计工程师出身的朴某于 2016 年 9 月将相关内容手抄在 12 页笔记中带出，目前处于国际刑警组织红色通报状态。全某在庭审中陈述，与中国方面沟通时出现过做不出 18 纳米就不向 CXMT 提供投资的说法，并称后来得知对方从一开始就想要该技术，CXMT 起初并无自行开发打算。上述施压发生在为申请投资准备会议之前。CXMT 于 2016 年由合肥市政府下属合肥产业投资出资 144 亿人民币设立，约 10 年未盈利，去年首次年度盈利，净利润 71 亿人民币。

ChainCatcher 消息，据华尔街日报报道，三星向由 KKR 和英伟达支持的人工智能基础设施公司 Helix Digital 投资 10 亿美元，该投资将使 Helix Digital 的总资本承诺额超过 110 亿美元。

ChainCatcher 消息，英伟达首席执行官黄仁勋将于当地时间 9 月 28 日在纽约再度会晤三星电子会长李在镕、SK 集团会长崔泰源，距三人 7 月在旧金山会面约两个月。据 27 日商界消息人士，李在镕与崔泰源计划出席当日晚 6 点在纽约举办的韩国协会年度晚宴，黄仁勋将作为本年度范弗利特奖得主出席，三星电子正在推进与英伟达的相关合作。业界关注的议题包括高带宽内存。消息称，三星电子设备解决方案事业部副会长全永铉曾在黄仁勋 6 月访韩期间与其会面，双方探讨 HBM4E、HBM5 等下一代高带宽内存的长期合作。纽约会晤还可能涉及晶圆代工服务与先进封装，6 月会谈中也讨论了下一代晶圆代工合作。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；

ChainCatcher 消息，据 Digital Asset 报道，全球支付公司 Stripe 已在 React Native SDK 0.75.0 版本中，为其加密资产法币购买服务 Crypto Onramp 新增 Android 端 Samsung Pay 支持，涵盖支付配置、可用性检查、支付方式收集及集成示例。使用 React Native 开发的 Android 应用可接入 Samsung Pay，让用户通过该支付方式使用法币购买加密资产。此前，该服务已支持信用卡、借记卡、Apple Pay、Google Pay 及 ACH 银行转账等支付方式。

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。该公司拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量，由今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。三星电子重点扩产的 HBM4 与 HBM4E 以 12 层及以上高堆叠产品为主。该公司今年 2 月开始量产出货采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片的 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。业界预计，以月均晶圆投入计，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅近 40%；HBM4 系列出货占比或由今年约 40% 升至明年约 80%。

ChainCatcher 消息，三星电子上月聘用前财政经济部外汇制度课长李熙坤为 IR 团队常务。李熙坤曾担任外汇制度课长、资金市场政策课长等职，负责外汇制度及海外投资应对，今年 4 月参与韩国纳入世界国债指数工作并获特别表彰，预计负责海外投资者及全球资本市场应对。SK 海力士上月聘用前财政经济部战略经济总括课长郑汝珍为传播总括下属副社长。郑汝珍曾任气候环境预算课长、经济副总理秘书官、外汇制度课长、外汇资金课长等职。两家公司正推进美国生产投资，三星电子计划投入 370 亿美元在得克萨斯州泰勒建设晶圆代工厂，SK 海力士计划投入 40 亿美元在印第安纳州建设先进封装工厂。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士报道，长鑫存储 CXMT 正准备进入 NAND 闪存芯片市场，将在核心 DRAM 业务之外扩展，并与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储竞争。长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线运营或大规模商业制造的时间表尚不明确。全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少持续至 2027 年。制造商优先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长鑫存储 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储于 2022 年被列入实体清单。

ChainCatcher 消息，三星电子在美国得克萨斯州泰勒的代工厂开始为特斯拉提供 AI5 芯片的原型生产。由于 AI 芯片需求激增，三星提前了原型产量以进行良率验证，计划今年年底完成大规模生产验证，并于明年全面供应。

ChainCatcher 消息，美国国际贸易委员会（ITC）当地时间 9 月 16 日宣布，已对某些配备特定音频技术的电子设备展开专利侵权调查。调查对象包括三星电子及其美国子公司、苹果公司和谷歌公司。启动调查本身不构成专利侵权认定。该调查基于 BoomCloud 360 Inc. 于 8 月 14 日提交、8 月 31 日补充的投诉。投诉方指控相关设备在进口美国并销售时侵犯其专利，违反 1930 年关税法第 337 条，并请求 ITC 发布有限排除令和停止令。案件将交由行政法官审理并举行证据听证会，作出是否违反第 337 条的初步裁定，再经 ITC 审查后作出最终决定。ITC 将在立案后 45 天内设定完成调查的目标日期。救济命令发布即生效，并在 60 天后成为最终命令，除非美国贸易代表在 60 天内以政策理由否决。