三星

ChainCatcher 消息，随着投资者对人工智能交易的热情降温，以及监管机构加强抑制需求的措施，韩国与芯片制造商挂钩的杠杆 ETF 本月资金流出接近 10 亿美元。截至目前，追踪三星电子的杠杆产品 8 月资金流出 3.81 亿美元，追踪 SK 海力士的相关产品资金流出 6.01 亿美元，是这些产品自 5 月底推出以来首次出现月度资金流出。尤其在 7 月全球 AI 交易遭遇抛售期间，当时韩国 Kospi 指数经历了历史性暴跌，单月跌幅达到 22%。此后韩国监管机构提高了新投资者购买此类产品的最低保证金要求，并要求投资者进行为期 5 天的模拟交易。

ChainCatcher 消息，分析指出，中国主要 DRAM 厂商 CXMT 月度晶圆产出已在 2025 年末触及约 24 万片峰值，并预计 2026 年维持持平。受美国对先进半导体设备尤其是 EUV 光刻机出口管制收紧影响，其扩产能力受限，实质性扩产最早要到 2027 年，且取决于本土设备供应链进展。高盛数据显示，CXMT 对国内 DRAM 需求覆盖率 2026 年仅约 41%，2028 年约 50%，呈现多年结构性瓶颈。TrendForce 数据显示，传统 DRAM 合约价 2026 年一季度环比大涨 90%-95%，二季度再涨 58%-63%，Jefferies 预计三、四季度仍将分别上涨 40%-50% 与 30%-40%。服务器 DRAM 涨幅更陡，三星与 SK 海力士向微软、谷歌等客户提出一季度 60%-70% 涨价。S&P Global 预计三星传统 DRAM 每比特收入 2026 年同比升 116% 至 0.79 美元，美光 ASP 升 54% 至 1.06 美元；Bernstein 预计 SK 海力士 DRAM 毛利率 2026 年四季度可达 92.7%。多方预测认为有效供应缓解最早要到 2027 年末甚至 2028 年。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子与 SK 海力士计划至明年持续对中国 NAND 闪存量产线进行设备投资，以强化当地生产据点。三星今年上半年起已在西安 X2 产线推进 V9 NAND 转换投资，该产品为约 280 层堆叠的先进制程，预期可形成月产能 4 万至 5 万片；为稳定量产，公司已确定补充投资计划，核心是追加蚀刻工艺设备，相关采购订单有望年底前后明确，补充投资拟自明年下半年起执行。SK 海力士则自今年三季度起推进大连 2 厂 NAND 产品升级相关设备投资，讨论中的规模约合月产能 3 万片，关键制造设备自下月起陆续进场，并计划于明年上半年前完成部署。大连工厂系其 2020 年下半年收购英特尔 NAND 事业部后承接的资产，2022 年曾为扩产举行 2 厂开工仪式，后因市况等因素暂缓设备投入，目前投资重新启动。行业人士指出，上述安排旨在分阶段扩大中国境内先进 NAND 产能，以应对人工智能服务器等领域对高端存储需求的快速增长。

ChainCatcher 消息，Counterpoint Research 预测，三星电子今年将重夺智能手机市场领先地位，表明其对内存芯片价格上涨的抵御能力更强。今年以来内存供应短缺日益严重，Counterpoint 预计 2026 年全球手机出货量将下降 14.3%。三星凭借高度整合的供应链和成熟分销网络成为例外，预计出货量将增长 0.8%，表现好于其他厂商。Counterpoint 表示，预计 2027 年智能手机市场整体将再次下滑，随后在次年复苏。苹果与三星类似，有望抵御零部件涨价带来的压力，但该机构对苹果态度更为谨慎。除三星外，仅有中国华为建立起自有硬件供应体系，预计将保持显著增长。Counterpoint 首席分析师指出，三星重返榜首的关键在于内部零部件制造能力、丰富产品线以及与运营商和零售商的稳固关系。预计中国领先智能手机制造商将面临更大出货压力，在经济下行周期中行业整合加速仍是其基本预测。

ChainCatcher 消息， 据金十报道，知情人士透露，三星电子周五将宣布一项新的股东回报计划，规模可能高达110万亿韩元（790亿美元）。知情人士透露，三星董事会定于韩股收盘后、当地时间下午4点左右举行会议，会后不久将公布该计划的细节。据知情人士透露，此次股东回报计划的规模预计将在90万亿韩元至110万亿韩元之间。

ChainCatcher 消息，8 月 20 日，据《韩国经济日报》报道，三星电子计划于本月公布规模约 150 万亿韩元的股东回报方案，超过早前媒体报道的 100 万亿韩元数额。预计将包括股票回购注销和特别分红等措施，规模或创韩国上市公司历史新高。据业内人士透露，三星电子计划在本月召开董事会审议相关方案。此前市场曾预计回报规模最高可能达 200 万亿韩元，但考虑到公司将自由现金流（FCF）的 50% 用于股东回报的基本原则，最终规模预计在 150 万亿至 160 万亿韩元之间。三星电子高管表示，随着存储芯片行业复苏，公司现金创造能力大幅改善。券商预计，三星电子今年全年自由现金流约为 263 万亿韩元，2024 年至 2026 年股东回报政策周期内累计自由现金流预计约 319 万亿韩元，按 50% 回报比例计算总回报资金约 160 万亿韩元，扣除已执行及计划执行的 39.1 万亿韩元后，剩余资金接近 120 万亿韩元。市场预计，三星电子可能利用剩余资金，在维持每年每股 1,668 韩元常规分红之外追加大规模特别分红，并推进大规模股票回购注销。业内人士表示，继 SK 海力士之后，三星电子也推出大规模股东回报计划，或将成为推动韩国股市估值提升的重要因素。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子正加快在美国扩大尖端晶圆代工产能。公司计划于今年年底启动得克萨斯州泰勒晶圆厂二期建设，目标 2030 年量产，并已要求主要设备合作伙伴提前获取 SEMI 认证，以便后续设备导入与出口。SEMI 认证是评估半导体设备安全性的标准，通常为设备出境前的必要程序。泰勒晶圆厂承担三星最先进代工量产任务。一期目前正进行设备进场与安装，目标今年年底投产，主力量产工艺为 2 纳米，特斯拉被视为核心客户。三星在上月二季度业绩电话会上表示，为及时响应客户需求增长，泰勒二期将于今年年底开工。业内人士称，尽管二期具体规格尚未最终确定，三星代工业务已提前推动相关准备。此前三星曾因客户不足与市况疲软多次推迟泰勒一期投资，直至特斯拉于去年三季度与其签订约 22.76 万亿韩元代工协议后建设提速。二期实际量产节奏仍将取决于对特斯拉供货扩大及新增大客户进展。另有消息称，三星 E&A 正考虑向当地派遣数十名建设人员。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，三星电子涨幅扩大至 10%，消息称该公司将公布万亿韩元的股东回报计划。

ChainCatcher 消息，据东亚日报报道，三星电子计划将京畿道平泽半导体事业场核心项目 P5 1·2 工厂（Fab 5·6）由原有双层晶圆厂扩大为三层晶圆厂建设，以应对全球人工智能半导体及存储器超级周期、最大化提升产能。三星电子近日已提交产业园区计划变更案，拟将容积率由 350% 上调至最高 490%，该变更须经京畿道知事审查并获国土交通部产业选址政策审议委员会批准后最终确定。平泽 P5 1·2 工厂为单一标准下全球最大规模半导体工厂，2022 年开工、目标 2030 年完工，将生产高带宽存储器（HBM）、高端 DRAM、下一代 V-NAND 及先进代工产品。目前已投产的平泽 P4 采用单栋 4 个洁净室的双层结构；若变更获批，P5 起将配置最多 6 个洁净室，洁净室数量与产能有望提升约 1.5 倍。SK 海力士亦计划将龙仁半导体集群新建晶圆厂全部采用三层结构。市场机构 Counterpoint Research 预计，全球存储器市场规模有望由去年约 360 万亿韩元增至今年 1500 万亿韩元、明年 2100 万亿韩元。在电力、用水与土地获取日趋困难的背景下，提高容积率建设三层晶圆厂，成为突破有限空间物理限制并依托既有半导体产业生态的重要路径。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士报道，三星电子已对部分先进代工服务新订单提价最高 15%，因 AI 芯片需求激增导致产能紧张。该公司长期在代工领域落后于台积电。中国客户需求尤为强劲，但三星需优先服务美国客户并预留部分产能支持自有芯片生产，无法承接全部订单。受美国先进芯片设备对华出口限制影响，中国企业更依赖海外代工厂，部分中国客户接受了最大幅度涨价。知情人士称，三星于 7 月上调 4 纳米（SF4）工艺价格，中国与美国客户涨幅 10% 至 15%，台湾客户为 5% 至 10%；5 纳米（SF5）晶圆涨价 10% 至 15%，较旧的 8 纳米工艺涨幅接近 10%。平泽工厂 SF4 产线自去年底以来满负荷运转，既为高通等客户生产逻辑芯片，也为三星自身 HBM 提供基础裸片。分析指出，台积电先进产能被订满后，客户转向三星与英特尔，使三星具备提价空间。三星代工业务自 2022 年以来持续亏损，但公司预计在稼动率提升、良率改善与价格走强推动下有望较快扭亏，下半年代工营收有望同比两位数增长，先进工艺占比将超一半，AI 与高性能计算应用占比将超 30%。特斯拉、苹果、博通、英伟达等已与三星达成相关合作，谷歌亦在洽谈使用 SF4 制程。

ChainCatcher 消息，币安合约平台于 8 月 11 日上线四个 U 本位永续合约交易对，包括快手（KUAISHOUUSDT）、美团（MEITUANUSDT），以及南方东英 SK 海力士每日杠杆（2X）产品（CSOPSKHYNIX2LUSDT）和南方东英三星电子每日杠杆（2X）产品（CSOPSAMSUNG2LUSDT）。快手和美团合约最高支持 20 倍杠杆，两只韩国半导体 ETF 产品最高支持 10 倍杠杆，资金费率上限均为正负 2%，每八小时结算一次，支持多资产模式。 其中 CSOPSKHYNIX2LUSDT 追踪港交所上市的南方东英 SK 海力士每日杠杆（2X）产品（代码 7709），CSOPSAMSUNG2LUSDT 追踪南方东英三星电子每日杠杆（2X）产品（代码 7747），分别对应韩国两大存储芯片巨头 SK 海力士与三星电子的两倍做多敞口。这是币安在传统资产永续合约领域的进一步拓展，将港股及韩国科技股杠杆产品引入加密衍生品市场。币安提醒用户数字资产价格具有高波动性，合约交易风险较高，投资者需自行承担相关风险。

ChainCatcher 消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途，从研发设施改为晶圆代工产线，主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用，采用“Send-Fab”模式，即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。 NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区，总投资约 20 万亿韩元，共规划 3 条产线，其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。 业内人士指出，NRD-K 2 号线规模相对较小，适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间，最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产，相关计划在本月被修改后，DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，韩国 KOSPI 指数盘初上涨 3.38%，三星电子上涨 4%，SK 海力士上涨 5%

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，日经 225 指数在 8 月 12 日收盘上涨 553.84 点，涨幅 0.83%，报 67,524.06 点。韩国 KOSPI 指数同日收盘上涨 233.51 点，涨幅 3.68%，报 6,579.04 点。芯片股大幅上涨，三星电子涨 6.68%，SK 海力士涨 5.54%。

ChainCatcher 消息，据韩国亚洲经济报道，新加坡主权财富基金淡马锡决定首次投资韩国股市，已选定三星电子和 SK 海力士作为投资标的，并正与韩国政府接触以探讨资金执行时机。淡马锡管理资产约 5180 亿新元（约合 572 万亿韩元），此次投资将采用内部直接管理方式，而非委托外部资管。 淡马锡认为 AI 价值链中存储半导体领域被市场低估，近期其在 AI 相关领域的投资持续加码，已持有英伟达、台积电、ASML 等半导体巨头股份，也是 OpenAI 和 Anthropic 的主要机构投资者之一。淡马锡计划在未来五年内将 AI 相关投资占比从当前的 6% 提升至最高 15%。此次如顺利执行，将是淡马锡首次直接进入韩国股票市场。

ChainCatcher 消息，据 The Elec 报道，三星电机的半导体玻璃基板投资日程出现推迟，原因是客户试制品可靠性评估出现瓶颈。受此影响，三星电机与东友 Fine Chem 的玻璃核心合资公司 GlaSSEM 的生产线建设日程也被顺延，相关设备发订单时间变得不确定。 报道称，GlaSSEM 未能向合作厂商传达设备发订单日程，此前发订单已从去年 12 月推迟至今年 3 月、6 月，至今已逾三次，6 月后连后续日程指引也未再提供。业内认为，主要原因是全球通信半导体客户未能通过玻璃基板试制品的可靠性评估认证。三星电机目前仍在其世宗厂区制作试制品，而量产线搭建所需的沉积、蚀刻、激光钻孔、检测等主要工序设备供应商大多已选定。 由于试制品需要重新制作并再次提交，原定投资计划不可避免将进一步推迟。三星电机曾在上月初设立 GlaSSEM 时提出 2027 年下半年量产的目标，但在上月财报会上已将该时间点调整至 2028 年，如今量产时间预计将进一步延后。

ChainCatcher 消息，据 ChosunBiz 报道，三星电子系统 LSI 事业部已引入 Anthropic 的 AI 编程工具 Claude Code，用于半导体设计及验证工作，部分任务周期缩短至原来的十分之一以下。在客户定制 SoC 的数据连接结构验证中，原本预计耗时超一个月的工作缩短至两天完成；一名入职两年的工程师借助 Claude Code 在一天内完成了 USB 设备模型开发及 Android 驱动适配，而此前类似工作通常需要一个月。 三星于今年 5 月向软件开发人员开放 Claude Code，随后扩展至半导体专业开发领域。系统 LSI 事业部约 6000 人，而其主要竞争对手高通员工约 5.2 万人。三星正试图通过 AI 工具弥补人力差距。与此同时，三星 DS 部门正推进“AI 大转型”，将生成式 AI 从研发扩展至生产、营销及支持等全业务流程。报道同时指出，Claude 在部分验证任务中曾出现将错误信息伪装为普通消息、或擅自修改设计代码的行为，三星强调需对 AI 任务范围与结果进行严格控制与人工复核。

ChainCatcher 消息，三星电子半导体研究所 Foundry 工艺开发团队朴昌民在“2026 下一代光刻+图案化学术大会”上表示，公司计划从 1 纳米（A10）工艺开始应用 High-NA EUV 技术，目标在 2030 年左右实现量产。三星目前在 2 纳米及以下工艺中仍采用现有 0.33 NA EUV 的多重图案化方案，计划 2029 年量产 1.4 纳米，后续再推进至 1 纳米。 High-NA EUV 将透镜数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，分辨率更高，可将原先需多重图案化的超微细工艺简化为单次图案化，有利于降低制造成本、提升生产效率和设计灵活性。但该技术难度高、设备昂贵，且需要配套材料技术同步升级。朴昌民预计 1.4 纳米和 1 纳米工艺仍以 0.33 NA EUV 多重图案化为主流，此后 High-NA 图案化将成为新一代工艺的核心技术。

ChainCatcher 消息，韩国半导体板块盘中震荡，SK 海力士与三星电子股价小幅回落，但相关合约市场交易依旧活跃。据 Gate 行情数据显示，SK 海力士（000660）盘中报 1002.56 美元，跌幅 0.21%；三星电子（005930）盘中报 162.15 美元，跌幅 0.64%。据 CoinGlass 数据显示，SKHYNIX 合约持仓量达 6.93 亿美元，其中 Gate 平台 SKHYNIX 合约持仓量达 1.31 亿美元，位列全网第二；SAMSUNG 合约持仓量达 4522.07 万美元，其中 Gate 平台 SAMSUNG 合约持仓量达 619 万美元，同样位列全网第二。

ChainCatcher 消息，据 Digital Asset 报道，三星电子计划于今年内在部分国家率先在三星钱包（Samsung Wallet）中引入稳定币账户开设、海外汇款及支付功能。后续将根据各国法规与市场环境逐步推进全球服务扩展。