nand

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士报道，长鑫存储 CXMT 正准备进入 NAND 闪存芯片市场，将在核心 DRAM 业务之外扩展，并与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储竞争。长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线运营或大规模商业制造的时间表尚不明确。全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少持续至 2027 年。制造商优先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长鑫存储 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储于 2022 年被列入实体清单。

ChainCatcher 消息，据电子新闻 9 月 15 日报道，中国最大 NAND 闪存厂商长江存储（YMTC）已着手武汉第 3 工厂（FAB3）生产设备连接工作，年底初期投产逐渐可见。中国电子系统工程第二建设有限公司近日就“武汉 YMTC FAB3 二次配管 A 段 B 包工艺设备配管总承包项目”的“气体 3 段”选定施工企业。该工程将工厂已建气体、用水等公用设施供应网连接至各生产设备。招标条件要求具备 YMTC 或长鑫存储相关项目或同等规模 12 英寸半导体工厂施工实绩。YMTC 武汉 3 厂预计今年年底初期投产，完全运转时产能约合 12 英寸晶圆月产 10 万片。据 Counterpoint Research，YMTC 今年二季度全球 NAND 比特出货量占比 14%，升至世界第三，三星电子 25% 居首，SK 海力士 22% 居次。

ChainCatcher 消息，界面新闻从产业链独家获悉，苹果已接受三星电子 2027 年一季度存储芯片报价：DRAM 接近 2.0 美元 /Gb，NAND 闪存接近 0.33 美元 /Gb，较今年三季度报价上涨 30%-40%。界面新闻就此消息向苹果求证，截至发稿暂无回应。

ChainCatcher 消息，市场消息：日本 NAND 巨头铠侠控股正考虑在美国上市筹集 100 亿美元。该公司正在与美国银行、高盛和摩根大通进行洽谈，以寻求在美国获得更多流动性。

ChainCatcher 消息，调研机构群智咨询（Sigmaintell）发布存储价格风向标显示，2026 年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM（动态随机存取存储器）、NAND Flash（闪存）全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到 10% 以内。

ChainCatcher 消息，SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正在研究深化与日本存储芯片客户及供应商合作的方式，并谨慎评估如何共同发展 NAND 闪存市场。对于公司在铠侠持有的重要间接权益，他表示目前「没有任何确定计划」。东芝本月减持后，为 SK 海力士持有相关股份的投资工具 BCPE Pangea Cayman2 已成为铠侠最大股东，持股比例为 14.19%。SK 海力士持有可转换为该投资工具几乎全部投票权的债券；根据此前协议，除非获得铠侠同意，其投票权益在 2028 年前不得超过 15%。此外，SK 海力士正投资逾 40 亿美元在美国印第安纳州建设其首座美国 HBM 封装基地。工厂洁净室预计于 2028 年 10 月启用，下一代 HBM 计划于 2029 年下半年量产，全面运营后预计将雇用约 1000 人。公司同时仍在评估美国 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性，但尚未作出决定。

ChainCatcher 消息，P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示，目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早，现有数据多为厂商说法，如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善，但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在，耐久性是关键未知数，若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄，仅面向 AI 推理，尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型，并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s，属 HBM3E 级别，适合顺序读取以加载模型权重，更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求，而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决，闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化，UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面，Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验，SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力，但量产仍待证实。整体来看，存储正转向分层专业化市场，NAND 短缺预计持续至 2028 年，HBF 可能进一步影响供需。

ChainCatcher 消息，据韩媒 Chosun Biz 报道，SK 海力士 NAND 因旧工艺产线转换落后，效率差距难缩小。截至今年第二季度，其 176 层产品占比仍约 50%，三星已完成以 236 层为主力的转换。Omdia 数据显示，美光 232 层占比 53%，YMTC 达 68%。NAND 价格上升周期中，先进工艺占比高的企业成本与利润改善更好。SK 海力士（含 Solidigm）NAND 营收份额从去年第四季度 21.4% 降至今年第一季度 16.4%，YMTC 从 11.5% 升至 16.2%。SK 海力士设备投资优先 DRAM 和 HBM，NAND 投资连续三年减少，从 2023 年 35 亿美元降至 2025 年 29 亿美元，拖慢转换。目前正考虑对老旧 NAND 资产减值以优化成本。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，存储芯片制造商铠侠控股（Kioxia Holdings）计划在其日本北部工厂新建生产设施，项目投资预计将超过 1 万亿日元（约 62.7 亿美元）。铠侠目前在全球 NAND 闪存市场中排名第三，仅次于三星电子和 SK 海力士。该公司此举旨在跟随韩国竞争对手提升产能，以应对市场需求。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 报道，长鑫存储与长江存储持续扩张，近期苹果积极寻求导入两家中系记忆体供应链，外界关注其打入苹果供应体系。业界透露，两家厂商实则借苹果证明中国 DRAM 及 NAND Flash 品质已达国际水准，檯面下则透过第三方组装，辗转外销北美新云端（neocloud）业者，扩大云端与企业级市占。长鑫存储母公司长鑫科技已完成人民币 295 亿元募资，长江存储拟 IPO 募资约 330 亿元，用于量产线升级与研发。长江存储 2024 年已转盈，2026 年第一季归母净利达 333.79 亿元；其三期新厂将提前至 2026 年第四季投产，总产能每月 10 万片，其中约 20% 试产 LPDDR，成为其首个 DRAM 据点。供应链称，两家最快有望在 2027 年底至 2028 年将中国本土记忆体自给率提升至 50% 以上。长江存储以 NAND 销往第三方模组厂并组装为企业级 SSD 出货，规避产地敏感；长鑫存储已导入美、加等地中小型云端业者认证。美国民间企业原则上可向两家采购，实体清单主要限制其获取美国技术，并未全面禁止民间采购。云端业者亦透过租用算力或第三方持有资产等方式降低合规风险。业界认为，苹果对产业供需影响力下降，两家并无意大量供货苹果或削价竞争，扩产仍难短期满足苹果在中国市场需求。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子与 SK 海力士计划至明年持续对中国 NAND 闪存量产线进行设备投资，以强化当地生产据点。三星今年上半年起已在西安 X2 产线推进 V9 NAND 转换投资，该产品为约 280 层堆叠的先进制程，预期可形成月产能 4 万至 5 万片；为稳定量产，公司已确定补充投资计划，核心是追加蚀刻工艺设备，相关采购订单有望年底前后明确，补充投资拟自明年下半年起执行。SK 海力士则自今年三季度起推进大连 2 厂 NAND 产品升级相关设备投资，讨论中的规模约合月产能 3 万片，关键制造设备自下月起陆续进场，并计划于明年上半年前完成部署。大连工厂系其 2020 年下半年收购英特尔 NAND 事业部后承接的资产，2022 年曾为扩产举行 2 厂开工仪式，后因市况等因素暂缓设备投入，目前投资重新启动。行业人士指出，上述安排旨在分阶段扩大中国境内先进 NAND 产能，以应对人工智能服务器等领域对高端存储需求的快速增长。

ChainCatcher 消息，8 月 24 日，据路透社报道，中国最大的闪存芯片制造商长江存储（YMTC）母公司长江存储科技控股（CCSH Corporation）在上交所科创板的上市申请已获受理，市场预计该公司将于明年上市。此次 IPO 预计将募集 330 亿元人民币（约 49 亿美元）资金。CCSH 计划发行 19.8 亿至 24.3 亿股新股。招股书显示，公司 2026 年第一季度（1 月至 3 月）营收达到 470 亿元人民币，同比增长近 5 倍；净利润为 333.8 亿元人民币，超过 2025 年全年净利润 142.1 亿元的两倍。YMTC 旗下工厂目前接近满负荷运行，并在供应趋紧的 NAND 闪存市场持续扩大销量。2026 年第一季度 NAND 闪存平均售价达到 2025 年平均水平的 2.73 倍，毛利率也从 2025 年的 35.3% 大幅升至 76.8%。CCSH 计划将此次上市募集资金中的 208 亿元人民币用于扩充产线，另外 122 亿元人民币用于研发下一代 NAND 闪存及高速存储产品。

ChainCatcher 消息，SK 海力士已重启其大连第二座 NAND 闪存工厂建设，预计将该地区月产能提升约 50%。新产线设计月产能约 5 万片晶圆，叠加现有大连一厂 10 万片月产能，SK 海力士在华 NAND 总产能将增至约 15 万片每月。该工厂于四年前动工，后因存储芯片市场下行及美国对华设备出口限制暂停，仅完成结构框架。 大连二厂的投资由 SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 推动，最早于今年 11 月启动设备搬入，计划明年上半年建立量产体系。受 AI 数据中心扩张推动，企业级 SSD 需求激增，NAND 价格较一年前上涨近 10 倍，带动投资重启。SK 海力士将采取双轨策略：大连工厂利用英特尔成熟浮栅架构生产百层级别 NAND，清州 M17 等国内工厂则聚焦 300 层以上先进 NAND 生产，后者已宣布投资 19.1 万亿韩元。业内预计大连二厂设备配置与一厂相近，月产能维持在 4 万至 6 万片区间。

ChainCatcher 消息，据日经新闻报道，日本 NAND 厂商铠侠（Kioxia）最大股东已由东芝变更为特殊目的公司 BCPE Pangea Cayman 2（SPC2），后者持有铠侠 14.19% 股份，略高于东芝减持后的 14.06%。SPC2 是 SK 海力士通过可转换债券（CB）投资的主体。 东芝于 7 月 15 日至 8 月 3 日期间分 7 次减持铠侠股份，持股比例从 15.10% 降至 14.06%。SK 海力士 2018 年通过两个 SPC 向铠侠投资约 4 万亿韩元，其中与贝恩资本等共同出资的 SPC1 已于今年 6 月贝恩资本退出时完成股份出售，而 SK 海力士独自出资约 1.3 万亿韩元的 SPC2 继续持有。若 CB 转换为股票，SK 海力士将获得表决权。但业界评估认为，实际影响铠侠经营的可能性较低，因表决权行使需通过各国竞争与反垄断审批，日本政府出于本国半导体供应链保护考虑，可能不会轻易放行。铠侠目前为全球第三大 NAND 厂商，仅次于三星电子和 SK 海力士。

ChainCatcher 消息，日本 NAND 厂商铠侠（Kioxia）正加速布局 AI 用 NAND 市场，今年已启动第 10 代（BiCS 10）332 层 3D NAND 量产，并基于此推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD“CM10”，顺序读取性能较前代提升达 92%。此外，铠侠计划于今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储，数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍，主攻端侧 AI 移动设备市场。据 TrendForce 数据，铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%，位列第三，次于三星电子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。 韩厂同样加快脚步。三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”，搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 计划于第四季度量产。三星还宣布本月起量产第 10 代 V-NAND（约 430 层），首次应用混合键合及三堆叠工艺。行业分析认为，铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力，但产能规模仍与韩厂存在差距，后续 AI 存储市场竞争将更趋激烈。