台积电

ChainCatcher 消息，台积电公布最新月度数据，8 月营收 5148.0 亿元新台币，同比增长 53.3%。累计 2026 年 1 月至 8 月，台积电合并营收约为新台币 3 兆 3,868 亿 7,000 万元，较 2025 年同期约 2 兆 4,320 亿元增长 39.3%。以绝对金额计算，前八个月营收较去年同期增加逾 9,500 亿新台币。

ChainCatcher 消息，中科管理局 9 日证实，台积电中科扩建二期 1.4 纳米建厂全面加速。第一座 P1 厂目前已完成钢构结构体，预计明年 4 月即可试机，明年下半年可望量产，较原订 2028 年量产进度超前。台积电已向中科管理局提出申请，在基地建置两座临时办公室，预计明年 4 月同步完工，首批将有 5400 余名营运及外包人员进驻。台积电中科二期园区先进制程新厂去年 10 月动工，规划兴建四座 1.4 纳米厂，近 2000 名工人日夜赶工。P1 厂正进行楼板与外墙施工，明年初完成厂房建设。P2 厂已展开基础厂房建设，将于明年 10 月完工，两座厂房有望明年陆续量产。P3 厂已取得建照，P4 厂正申请建照中，计划以半年落差建置，P3 预计 2028 年第 2 季完工，P4 订同年第 4 季完工。P2 厂明年下半年完工后将再增加 1000 名营运人员，整个二期四座新厂全数完工投产预计总员工数在 9000 至 1 万人。

ChainCatcher 消息，供应链传出，AI 芯片用高阶测试介面产能吃紧，NVIDIA 大举加价包下主流测试介面业者的探针卡及测试座产能，部分研发与工程验证需求受排挤。包括晶圆代工厂台积电及芯片厂已启动多元供应商验证，以应对产能被锁定后的供应压力。

ChainCatcher 消息，TrendForce 最新晶圆代工产业研究显示，2026 年第二季度全球前十大晶圆代工厂合计营收环比增长 11.5%，接近 534.9 亿美元，再创纪录。增长主要来自 AI 与 HPC 处理器先进制程持续供不应求，以及 PMIC、功率分立器件等外围 AI 芯片需求上升；电视、PC、笔记本等消费供应链提前备货，也使部分成熟制程产能趋紧。台积电继续领先，二季度营收接近 402 亿美元，环比增长 12.1%，市占率 72.5%。AI 服务器 GPU 与 XPU 需求使其 5/4 纳米及 3 纳米产能满载，新款 iPhone 初期备货亦有贡献，2 纳米首次贡献营收。三星晶圆代工排名第二，营收 32.6 亿美元，环比微增 1.8%，市占率降至 5.9%。中芯国际排名第三，营收超过 30 亿美元，环比大增 20%，市占率升至 5.4%，缩小与三星差距。联电维持第四，营收近 21.8 亿美元，环比增长 12.7%，市占率 3.9%。格芯第五，营收约 17.9 亿美元，环比增长 9.3%，市占率 3.2%。华虹集团第六，营收逾 12.7 亿美元，环比增长 3.5%。Tower、世界先进、晶合集成、力积电分列第七至第十，营收分别为 4.60 亿、4.51 亿、4.47 亿及 4.32 亿美元。

ChainCatcher 消息，台积电 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用荷兰 ASML 制造的极端紫外线（EUV）光刻装置新型“高 NA”机。双方同日还表示，将开展行业横断的高 NA 机改良工作。ASML 垄断供应用于形成纳米级超微细电路的 EUV 光刻机，并于 2023 年 12 月起开始出货可描绘更细电路的高 NA 机。英特尔已引入高 NA 机，台积电此前因成本高等原因推迟量产采用。台积电与 ASML 将启动行业横断项目，把作为电路原版的光掩模从目前的 6 英寸（约 15 厘米）方形大型化为 12 英寸方形，并开发对应大型掩模的高 NA 机及相关部件。计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应大型掩模的高 NA 机达到可投入先进半导体生产的状态。主要半导体制造商及掩模企业等已对参与表示兴趣。高 NA 机可描绘更细电路，但单次可描绘面积减为传统机型的一半，绘制大型芯片电路时需分多次曝光，工序复杂、成本上升。通过光掩模大型化可扩大曝光面积、降低成本。台积电董事长兼首席执行官魏哲家当日表示，将汇集全行业专业知识，持续推进使先进技术可广泛使用的技术创新，并传递其益处。

ChainCatcher 消息，据韩国《文化日报》报道，三星电子美国得克萨斯州泰勒晶圆厂预计本月底前后进入试运行，因特斯拉、博通、Arm 等 2 纳米订单持续涌入，投产前产能已接近满载。该厂自 2022 年起累计投资 370 亿美元，计划下月初试运行、明年量产，初期月产能约 5 万片晶圆，接近台积电约 8 万片水平。报道称，泰勒厂将生产特斯拉下一代人工智能芯片 AI5、博通新一代通信芯片及 Arm 智能设备 AI 芯片等。三星 2 纳米良率由今年初约 60% 升至近期约 80%。公司 6 月已向该厂派遣工艺、设备与良率人员，7 月开始安装设备。三星在近期业绩会上预计今年 2 纳米接单量较去年增加一倍以上，并称英伟达推理芯片 Grok3 已于上月开始量产；三星近期还将 4 纳米代工价格上调最多 15%。泰勒二厂计划今年底开工、2030 年量产，三星已要求主要合作商提前完成相关生产设备安全认证，部分合作商正考虑向当地派遣数十名人员。同期，英特尔上月发行约 200 亿美元新股并扩大 2 纳米级 18A 与 1.4 纳米级 14A 投资，日本 Rapidus 上月在北海道完成 2 纳米工厂并进入晶圆试投阶段。

ChainCatcher 消息，台积电、美光等企业加码资本支出扩产，带动半导体厂务工程五强汉唐、亚翔、帆宣、洋基、圣晖合计在手订单已逾 8800 亿元，创新高。台积电日前在半导体展表示，建置中晶圆厂高达 20 座，整体产能建置规模较过去倍数增加，但仍无法满足客户需求。美国关税政策带动美国制造建厂需求。亚翔在手订单金额 4400.73 亿元为最多，董事长姚祖骧指出近四年来在新加坡承接统包案累计金额上看 6000 亿元，后续可望再接新案。汉唐在手订单金额约 1939.37 亿元续创新高，受惠于台积电、美光等大客户持续建厂。帆宣在手订单金额 1351 亿元新高，董事长高新明透露订单能见度至少到 2028 年，客户端在 2029 年、2030 年相关专案已进入规划，帆宣已部署材料、人力及在地施工团队支援客户在台湾、美国亚利桑那、日本及德国同步扩产需求，并投入 CoPoS 等技术发展。圣晖在手订单金额超过 600 亿元，台湾占比 68%，半导体订单占比 63%，上半年税后纯益 29.44 亿元，每股纯益 23.73 元，创同期新高。洋基上半年税后纯益 23.17 亿元，每股纯益 17.46 元，在手订单金额约 517.7 亿元，订单能见度达 2027 年底。

ChainCatcher 消息，经济日报报道，AI 与高速运算多元应用需求上升，台积电应客户要求，3 纳米以下先进制程加开更多产能。法人看好台积电下半年 3 纳米贡献可望首度超越 5 纳米，估计第三季单季产值首度超过 4000 亿元创新高，占营收比重逾三成，并可挹注毛利率表现。

ChainCatcher 消息，台积电资深副总经理暨副共同营运长侯永清 9 月 2 日表示，AI 需求变化速度远超过去产业经验。以台积电设备需求为例，去年底预估今年所需设备量若以 1 倍计算，仅一季后提高至 1.5 倍，至今年 7 月已达 1.9 倍，短短半年需求接近翻倍。侯永清指出，过去 30 年半导体产业从未面临如此快速的需求变化，整体产业需在极短时间内提供接近原先 2 倍的设备、产能与资源。台积电目前在台湾同步兴建 13 座晶圆厂，海外约 5 至 6 座，全球合计接近 20 座，建厂规模放大至过去约 3 至 4 倍，但仍无法完全满足客户需求。他强调，AI 时代需整个系统或模块最佳化，接棒式合作已无法满足需求，供应链必须重构为更紧密整合的全新合作模式。整个生态系尚未准备好如此快速成长，设备需求半年内接近翻倍，几乎没有供应商能完全避开产能限制。

ChainCatcher 消息，据材料行业消息人士 9 月 2 日透露，台积电预计短期内继续使用传统微凸块技术而非混合键合，用于连接高带宽存储器 HBM 与 AI 加速器的先进封装。考虑到相关材料开发周期，更细间距微凸块预计将沿用至 HBM4 后期及 HBM5 早期。台积电已要求材料和设备合作伙伴开发约 5 微米级凸块的键合和底部填充解决方案，韩国和日本供应商已开始开发，5μm 级凸块量产预计于 2028 年下半年开始。目前第三代扩展 HBM 即 HBM3E 的凸块高度约 15–25μm，HBM4 接近约 10μm。日本材料供应商此前表示难以保证 15μm 以下品质。缩短并细化凸块是因为 HBM 立方体高度限制及更高互连密度需求。JEDEC 规定 HBM 堆叠最大高度为 775μm。在台积电先进 CoWoS 封装中，GPU 与存储器供应商已组装的 HBM 堆叠通过微凸块安装到硅中介层上，16 层 DRAM 晶粒堆叠由 SK hynix 和三星电子等在 HBM 封装内完成。第一代和第二代 HBM 使用较大焊料凸块，微凸块在 HBM3 代左右成为主流。SK hynix 使用 MR-MUF 工艺，三星电子使用 TC-NCF。混合键合通过直接键合铜焊盘可实现更薄更密互连，台积电已在 SoIC 平台用于逻辑芯片堆叠，但 HBM 仍以微凸块连接中介层。

ChainCatcher 消息，据钜亨网报道，三星电子率先调高部分先进与成熟制程报价后，市场预期台积电也将跟进，旗下各制程价格可能全面上调 10% 至 15%。根据 TrendForce 与野村证券报告，台积电今年年中已与客户完成新一轮价格协商，调涨下半年供需吃紧的部分 3 纳米 N3 制程最高 15%。市场进一步预期，最晚至 2027 年初，台积电 N2、N3 及 N5 等先进制程价格还可能再调升 5% 至 10%。台积电 N2 与 N3 产能几乎已被苹果与辉达预订。连续 3 年未调价的 N12、N16 及 N28 等成熟制程，价格也可能同步调升，最高涨幅约 10%。里昂证券预估，台积电 2027 年资本支出将达 800 亿美元，2028 年进一步增加至 900 亿美元，今年资本支出已上调至 520 亿至 560 亿美元。台积电 7 月宣布扩大美国投资至 2650 亿美元。据路透报道，三星 7 月已调高部分先进制程新订单价格，其中 4 纳米 SF4 针对中国与美国客户涨幅达 10% 至 15%。

ChainCatcher 消息，LG 电子将委托三星电子代工 AI 家电芯片，以摆脱对台积电的依赖。CoAsia SEMI 将为 LG 开发两款物联网芯片，项目总费用 310 亿韩元（约合 1.51 亿元人民币），时间从 2026 年 7 月持续至 2030 年 12 月。该项目隶属韩国政府「K-On-Device AI 半导体技术开发」计划，该计划总预算约 8000 亿韩元。

ChainCatcher 消息，据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正着手多元化高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商，这些 HBM 是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成的。据悉，该公司正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。到目前为止，SK 海力士一直完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。此举被视为建立多供应商代工策略的努力，以减少供应链对台积电的集中度，同时增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。根据行业消息人士 8 月 31 日的说法，SK 海力士正在推进一项计划，即 HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从 HBM4E 世代开始。由于市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担将进一步增加。由于 HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士也难以立即通过提高产品价格将更高的代工成本转嫁给客户。因此，行业观察人士认为，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。

ChainCatcher 消息，苹果首款 2 纳米 M6 芯片正式亮相，配备 12 核心 CPU、12 核心 GPU 及双 16 核心神经网络引擎，统一内存带宽最高达每秒 170GB，首波搭载于新款 Mac mini。该芯片由台积电 2 纳米制程打造，首度采用环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，为全球最先亮相的消费级 2 纳米芯片。供应链关注后续高阶 M 系列封装架构。从前代 M5 Pro、M5 Max 的 Fusion Architecture 及 M5 Ultra 四晶粒设计推演，苹果芯片已由单一大型裸晶走向模块化。未来 M6 Pro、Max 或 Ultra 有望提升 SoIC-MH、WMCM 等先进封装需求，以 SoIC-MH 提高互连密度，WMCM 整合逻辑、LPDDR 内存及高速 I/O。台积电积极备战扩产，竹南 AP6 为 SoIC 主力量产基地，龙潭 AP3 升级 WMCM，嘉义 AP7 承接相关产能。法人预估 WMCM 月产能至 2026 年底约 6 万片，2027 年逾 12 万片。设备厂弘塑、均华、印能及材料厂长兴、新应材、永光等有望受惠。

ChainCatcher 消息，高盛 8 月 23 日研报指出，将 2026 至 2028 年晶圆前端设备（WFE）预测上调至 1500 亿、2180 亿和 2810 亿美元，较此前预测分别高出 6%、17% 和 35%。调整后三年同比增速为 36%、45% 和 29%，此前预期为 28%、32% 和 12%。高盛认为，DRAM 和先进制程代工是短期主要驱动力。DRAM 领域，三星和 SK 海力士资本开支预测分别上调 22% 和 19%，HBM4 量产拉动刻蚀、沉积等设备需求；代工领域，台积电每年资本开支上修 80 亿美元，N2 制程进入量产爬坡阶段。NAND 和逻辑/其他（含 Terafab）将在中期接力，SpaceX 与特斯拉承诺的约 168 亿美元 Terafab 初始阶段设备投入已纳入 WFE 预测。高盛看多全球半导体设备股，重点推荐应用材料、泛林半导体、ASML、东京电子、ASMI、BESI、Lasertec 和荏原。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，市场盛传台积电有意斥资逾 300 亿元新台币，收购友达位于中科、邻近台积电厂区的 L7、L5C 两座旧世代面板厂，为 CoPoS、FOPLP 等大尺寸封装预留腹地。知情人士指出，台积电已派员完成实地稽核，友达规划优先处分两座厂区，目标于 10 月提报董事会，预估明年首季底前完成产线搬迁及厂房腾空。台积电与友达均未证实此交易。半导体业者分析，台积电从 A14 先进制程、先进封装延伸至 COUPE 硅光子平台，搭配台中精密光学元件重镇角色，将中科打造为 CPO 生态系。台积电中科既有 Fab 15A 以 28 纳米制程为主，可支援硅中介层制造；中科二期 Fab 25 规划兴建四座 A14 晶圆厂，前两座已进入钢构施工，首座厂房力争 2027 年 4 月前完工。既有中科先进封测 AP5 已投入 CoWoS 生产，未来透过 COUPE 平台整合电子与光子芯片。光学端方面，大立光近期在台中南屯、台中工业区及邻近精密机械聚落连续取得土地与厂房，三笔交易合计约 25.68 亿元，市场解读为 CPO 量产暖身。公司已取得首张光纤阵列量产订单，首条自动化试产线拼第三季底完成，最快 2027 年中量产，并同步布局微透镜阵列及整合型 FAU。

ChainCatcher 消息，据 Liberty Times 等媒体报道，台积电已完成 angstrom 级 A16（1.6nm）制程的开发与验证，预计将于 2026 年第四季度进入大规模量产。该工艺采用台积电背面供电网络技术 Super Power Rail（SPR），将信号布线与电源布线分离，电源位于晶圆背面，以减少瓶颈。与 2nm 工艺相比，A16 据称可提升 8% 至 10% 的计算速度，降低 15% 至 20% 的能耗，并提高 8% 至 10% 的芯片密度。台积电将 1.6nm 工艺视为迈向 1.4nm 的过渡步骤，目标是在 2028 年开始 1.4nm 量产。

ChainCatcher 消息，8 月 21 日，日本政府将再拨款 1500 亿日元（约合 9.44 亿美元）支持芯片初创企业 Rapidus，加大支出以期与台积电等企业竞争。据一位知情人士透露，日本经济产业省将在 2027 财年预算中为这家日本国内代工芯片制造商寻求更多资金。这家政府支持的合资企业成立于 2022 年，目标是在 2027 年前制造尖端 2 纳米芯片，并帮助日本减少对台积电的依赖。政策制定者将 Rapidus 的成功以及在 AI、机器人和量子计算领域的技术独立性视为关乎国家安全的关键。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，PC 处理器先进制程竞争升温。市场消息称，英特尔下一代 Nova Lake 桌面处理器将优先导入 bLLC 大型末级缓存，以降低访问系统内存延迟，对标 AMD 的 3D V-Cache 技术；笔记本版本可能延至后续 Razor Lake-HX 世代推出。供应链透露，明年初问世的 Nova Lake 将采用英特尔 18A 与台积电 N2P 等不同制程组合，后续 Razor Lake 则可能进一步导入台积电高效能 2 纳米 N2X 制程。N2X 属于台积电 N2 平台的高效能延伸版本，锁定高频 CPU、AI 及 HPC 应用，晶体管技术由 FinFET 转向纳米片。若最终量产，英特尔采用台积电先进制程的合作有望延伸至更广泛的 2 纳米家族，有助于降低单一自有制程风险并优化高阶 CPU 上市时程与产能配置。除台积电直接受益外，相关供应链亦有望迎来商机。颂胜为台湾少数具备自主 CMP 研磨垫量产能力的厂商，上半年半导体合并营收年增 25%，占比升至 66%，Hard Pad 与先进封装需求强劲，Soft Pad 新线预计第三季试产、第四季逐步量产，并已有产品应用于 CoWoS 及 SoIC。中砂掌握 CMP 钻石碟及再生晶圆，第二季营收 24.9 亿元、年增 17.9%，毛利率升至 40.1%，2 纳米及 1.6 纳米相关钻石碟出货快速增加。

ChainCatcher 消息，据路透社援引知情人士报道，三星电子已对部分先进代工服务新订单提价最高 15%，因 AI 芯片需求激增导致产能紧张。该公司长期在代工领域落后于台积电。中国客户需求尤为强劲，但三星需优先服务美国客户并预留部分产能支持自有芯片生产，无法承接全部订单。受美国先进芯片设备对华出口限制影响，中国企业更依赖海外代工厂，部分中国客户接受了最大幅度涨价。知情人士称，三星于 7 月上调 4 纳米（SF4）工艺价格，中国与美国客户涨幅 10% 至 15%，台湾客户为 5% 至 10%；5 纳米（SF5）晶圆涨价 10% 至 15%，较旧的 8 纳米工艺涨幅接近 10%。平泽工厂 SF4 产线自去年底以来满负荷运转，既为高通等客户生产逻辑芯片，也为三星自身 HBM 提供基础裸片。分析指出，台积电先进产能被订满后，客户转向三星与英特尔，使三星具备提价空间。三星代工业务自 2022 年以来持续亏损，但公司预计在稼动率提升、良率改善与价格走强推动下有望较快扭亏，下半年代工营收有望同比两位数增长，先进工艺占比将超一半，AI 与高性能计算应用占比将超 30%。特斯拉、苹果、博通、英伟达等已与三星达成相关合作，谷歌亦在洽谈使用 SF4 制程。