スイス銀行：今後10年以内に中国がASMLの最先端EUV露光装置に匹敵するものを開発するのは難しく、DUV量産には2年から5年かかる可能性がある。

彭博社の報道によると、UBSグループのアナリストは、今後10年間で中国の半導体製造能力が十分に速い進展を遂げることは難しいと予測しており、ASMLの最先端EUVリソグラフィ技術を本当に代替できるソリューションを開発することは困難であるとしています。UBSのアナリストは報告書の中で、「彼らが現在いる段階は、ASMLが2004年にいた段階とほぼ同等のように見える」と述べており、特に光源やレーザーサブシステムの分野における特許申請活動から判断すると、中国の現在の技術成熟度は、ASMLがEUV装置の大規模生産を開始する前の15年のレベルに大体相当しています。

UBSは同時に、中国が今後2〜5年以内に浸漬式DUVリソグラフィ装置の大規模量産能力を持つことが期待されると予測しています。浸漬式DUVはEUVほど先進的ではありませんが、依然としてチップ製造に不可欠な装置です。ASMLの浸漬式DUVの価格は約9000万ドルで、EUV装置は1台あたり2億ドルを超えます。中国はASMLの最大市場の一つですが、輸出制限の影響を受け、ASMLは中国にEUV装置を販売することが禁止されています。UBSは、良品率や生産能力の差、規制の制約を考慮すると、中国のリソグラフィ装置が海外で使用される可能性は低いと指摘しています。ASMLのスポークスマンはコメントのリクエストに応じていません。この報道はUBSアナリストの予測に基づいており、実際の進展は業界の動向によります。