AIチップ会社Groqは次世代チップに3DスタッキングDRAMを導入することを計画しています。

ZDNet Korea の 10 月 20 日の報道によると、英偉達に実質的に買収された AI チップ会社 Groq は、次世代チップに DRAM 三次元スタッキングパッケージを導入することを進めており、速度が速いが容量が小さい SRAM ソリューションに代わるものです。Groq は前 Google TPU デザイナーの Jonathan Ross によって 2016 年に設立され、昨年英偉達に間接的に買収されたと報じられています。

報道によれば、Groq が評価しているソリューションは 3DS であり、シリコンビアを通じて DRAM チップを垂直に接続する高容量パッケージです。三次元パッケージは複数の裸チップを垂直にスタッキングし、一つのチップとして機能させることができ、平面ソリューションに比べて面積を縮小し、電力効率を向上させます。3DS と HBM はどちらもシリコンビアを使用していますが、HBM は伝送速度に重点を置き、3DS は既存の DRAM インターフェースを維持し、容量の拡張に焦点を当てています。匿名の業界関係者は、Groq が次世代チップに三次元パッケージを採用する計画であり、スタッキングされるのは SRAM ではなく DRAM であると述べています。別の関係者は、市場の需要がより大容量のチップにシフトしているため、Groq は容量で優位性のある DRAM を選択したと述べています。