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first_img 台積電は2030年からASMLの高NA EUVリソグラフィ装置を量産する予定です。

台積電は9月8日、2030年からオランダのASMLが製造した極端紫外線(EUV)露光装置の新型「高NA」機を量産に採用することを発表しました。双方は同日、業界横断的な高NA機の改良作業を行うことも発表しました。ASMLはナノレベルの超微細回路を形成するためのEUV露光機の供給を独占しており、2023年12月からより細い回路を描画できる高NA機の出荷を開始します。インテルは高NA機を導入しており、台積電は以前、コストが高いなどの理由で量産の採用を延期していました。台積電とASMLは業界横断プロジェクトを開始し、回路の原版としての光マスクを現在の6インチ(約15センチメートル)から12インチの大型に変更し、それに対応する大型マスク用の高NA機および関連部品を開発します。2031年までに大型マスクの試作生産ラインを設立し、2033年までに大型マスクに対応する高NA機を先進的な半導体生産に投入できる状態にする計画です。主要な半導体製造業者やマスク企業などが参加に興味を示しています。高NA機はより細い回路を描画できますが、一度に描画できる面積は従来の機種の半分に減少し、大型チップ回路を描く際には複数回の露光が必要で、工程が複雑になり、コストが上昇します。光マスクの大型化により露光面積を拡大し、コストを削減できます。台積電の会長兼CEOである魏哲家は当日、業界全体の専門知識を集め、先進技術を広く利用可能にする技術革新を継続的に推進し、その利益を伝えていくと述べました。
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