삼성이 엔비디아 맞춤형 NVHBM을 개발하여 8층 고속 HBM4E를 추진하다

서울경제 보도에 따르면, 삼성전자는 엔비디아의 요구에 맞춘 HBM4E(7세대) 8층 제품을 개발하고 있으며, 이를 통해 맞춤형 고대역폭 메모리 NVHBM 공급의 핵심 파트너 자리를 차지할 계획이다. 이 제품은 원래 계획된 12층, 16층보다 스택 높이를 줄였으며, 엔비디아가 제시한 속도 사양은 17-18Gbps로, 삼성의 초기 HBM4E 샘플 속도(14.4Gbps)보다 약 20% 높다. 이 제품은 엔비디아가 공개한 NVLink 최적화 사양의 NVHBM에 사용될 예정이다.

8층 구조를 채택함으로써 이전의 스택 층수를 늘려 용량을 증가시키는 HBM 경쟁 논리와는 반대로 후공정 난이도와 수율 압박을 줄일 수 있어 공급 확대에 유리하며, 이는 엔비디아가 메모리 부족 문제를 완화하기 위한 전략으로 여겨진다. NVHBM은 내년 출시 예정인 차세대 AI GPU "Rubin Ultra"부터 적용될 것으로 예상되며, 이 GPU는 GPU 간 연결 규모를 72개에서 최대 576개로 확장하고, 더 빠른 HBM을 탑재한 수백 개의 GPU가 협력하여 전체 연산 능력을 향상시킬 것이다.

맞춤형 HBM 시장에서 삼성은 SK 하이닉스와 마이크론보다 더 경쟁력이 있으며, NVHBM은 DRAM과 로직 칩 기반의 기본 칩 설계 생산 능력이 필요하기 때문에 삼성은 통합적으로 대응할 수 있다. 업계 관계자는 삼성은 HBM4에서 업계 최고 수준의 속도를 검증했으며, 속도 경쟁에서 우위를 점할 수 있을 것이라고 전했다.