삼성전자 고위 임원: 내년 HBM이 DRAM 웨이퍼 생산 능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상됨

재무연구소에 따르면, 현지 시간 9월 29일 보도에 따르면, 삼성전자 부사장 김태우는 내년 HBM이 DRAM 제조업체의 웨이퍼 총 생산능력의 거의 30%를 차지할 것으로 예상하며, 현재 이 비율은 약 20%라고 밝혔다. 그는 HBM과 전통적인 DRAM이 동일한 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁하고 있으며, HBM 생산 확대가 전통적인 DRAM 공급을 압박할 수 있다고 언급했다.

트렌드포스는 이전에 2027년 말까지 세계 3대 HBM 공급업체의 HBM 웨이퍼 투입량이 DRAM 웨이퍼 총 투입량의 약 30%를 차지할 것으로 예상했지만, 저장 용량 기준으로는 약 13%의 DRAM 총 공급량에 기여할 수 있다고 밝혔다. 또 다른 보도에 따르면, 삼성은 올해 2월부터 HBM4의 양산 출하를 시작했으며, 5월에는 엔비디아를 포함한 고객에게 12층 HBM4E 샘플을 제공했다. 업계에서는 삼성 HBM의 월 평균 웨이퍼 투입량이 올해 약 18만 장에서 내년 약 25만 장으로 증가할 것으로 예상하고 있다.

트렌드포스는 같은 날 AI 서버 수요가 지속되고 있으며, HBM과 범용 DRAM이 여전히 제한된 첨단 공정 생산능력을 공유할 것이라고 밝혔다. 2027년 저장 공급은 여전히 긴축 상태를 유지할 것이며, 2027년 HBM 가격 전망을 상향 조정하여 혼합 평균 판매가가 전년 대비 121% 상승할 것으로 예상하고 있다. 공급이 제한되고 시스템 비용 상승의 영향을 받아, 8층 HBM은 2027년 여러 제조업체가 우선 평가할 솔루션이 될 것으로 예상되며, 그 가격은 12층 제품보다 약 10%에서 20% 더 높을 것으로 보인다.