삼성전자에서 맞춤형 AI 저장을 위한 세 가지 zNAND를 계획하고 있습니다

ZDNet Korea 10월 12일 보도에 따르면, 삼성전자는 차세대 NAND 플래시 메모리 zNAND의 적용 범위를 확대하고 있으며, 공개된 zNAND-O 외에 zNAND-O, zNAND-T, zNAND-I의 3가지 제품으로 세분화할 계획이다. 보도에 따르면, 삼성전자는 후자의 두 제품을 공식 발표하지 않았지만, 업계는 관련 방안이 AI 인프라에서 맞춤형 저장 수요 증가에 대응하기 위해 초기 개발 단계에 들어갔음을 알고 있다.

zNAND-O는 엣지 AI를 겨냥하고 있다. 전통적인 리드 본딩과는 달리, 이 방안은 실리콘 비아를 통해 NAND를 수직으로 4층 또는 8층 쌓아 데이터 전송 경로를 단축시키고 속도와 에너지 효율을 향상시킨다. 삼성전자는 올해 8월 미국 메모리 관련 행사에서 zNAND-O 모델을 처음 공개했다.

zNAND-T는 처리량에 중점을 두고 있으며, 고용량, 고성능 AI 데이터 센터를 겨냥하고 있다. 마찬가지로 수직 쌓기와 실리콘 비아를 통해 대역폭을 확대하며, 업계에서는 이를 고대역폭 플래시 메모리라고 부른다. zNAND-I는 초당 입출력 횟수를 증가시키는 데 중점을 두고 있으며, AI 추론에서 키-값 캐시와 같은 소용량 임시 데이터의 빈번한 처리를 위해 사용된다. 보도는 또한 SK 하이닉스가 AIN P, AIN D, AIN B 등의 AI NAND 제품 시리즈를 개발하고 있다고 언급했다.