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블룸버그 통신에 따르면, UBS 그룹의 분석가는 향후 10년 내에 중국 반도체 제조 능력이 충분히 빠른 진전을 이루기 어려울 것으로 예상하며, 이는 ASML의 첨단 EUV 광刻 기술을 진정으로 대체할 수 있는 솔루션을 개발하는 데 어려움을 겪을 것이라는 의미입니다. UBS 분석가는 보고서에서 "현재 그들이 처해 있는 단계는 2004년 ASML과 유사해 보인다"고 언급하며, 특허 신청 활동을 기준으로 할 때, 특히 광원 및 레이저 서브시스템 분야에서 중국의 현재 기술 성숙도는 ASML이 EUV 장비를 대규모 생산하기 전 15년의 수준과 대략 동등하다고 설명했습니다.UBS는 또한 중국이 향후 2~5년 내에 침수식 DUV 광刻기의 대규모 양산 능력을 갖출 것으로 예상하고 있습니다. 침수식 DUV는 EUV만큼 진보적이지는 않지만 여전히 칩 제조에 필수적인 장비입니다. ASML의 침수식 DUV 가격은 거의 9000만 달러이며, EUV 장비는 대당 2억 달러를 초과합니다. 중국은 ASML의 최대 시장 중 하나이지만, 수출 제한으로 인해 ASML은 중국에 EUV 장비를 판매하는 것이 금지되어 있습니다. UBS는 수율과 생산 능력의 차이 및 규제 제한을 고려할 때, 중국의 광刻 장비가 해외에서 사용될 가능성은 낮다고 지적했습니다. ASML 대변인은 논평 요청에 응답하지 않았습니다. 이 보고서는 UBS 분석가의 예측 관점을 바탕으로 하며, 실제 진전은 산업 동향에 따라 달라질 수 있습니다.

삼성전자 반도체 연구소 파운드리 공정 개발 팀의 박창민은 "2026 차세대 광각+패턴화학술대회"에서 회사가 1 나노(A10) 공정부터 High-NA EUV 기술을 적용할 계획이며, 2030년경에 양산을 목표로 하고 있다고 밝혔습니다. 삼성은 현재 2 나노 이하 공정에서 여전히 기존 0.33 NA EUV의 다중 패턴화 방안을 사용하고 있으며, 2029년에 1.4 나노 양산을 계획하고, 이후 1 나노로 나아갈 예정입니다.High-NA EUV는 렌즈의 수치 조리개(NA)를 0.33에서 0.55로 향상시켜 해상도를 높이며, 원래 다중 패턴화가 필요했던 초미세 공정을 단일 패턴화로 간소화할 수 있어 제조 비용을 낮추고 생산 효율성 및 설계 유연성을 향상시키는 데 유리합니다. 그러나 이 기술은 난이도가 높고 장비가 비싸며, 이에 따른 소재 기술의 동시 업그레이드가 필요합니다. 박창민은 1.4 나노와 1 나노 공정이 여전히 0.33 NA EUV 다중 패턴화가 주류가 될 것으로 예상하며, 이후 High-NA 패턴화가 차세대 공정의 핵심 기술이 될 것이라고 말했습니다.