BTC $80,188.58 -0.49%
ETH $2,323.19 -1.21%
BNB $743.93 +0.37%
XRP $1.30 -0.24%
SOL $101.12 -0.51%
TRX $0.3304 +0.19%
DOGE $0.0775 +0.44%
ADA $0.2064 +0.33%
BCH $280.49 +0.40%
LINK $11.47 -0.36%
HYPE $79.40 +2.90%
AAVE $136.04 -1.47%
SUI $0.9160 -1.41%
XLM $0.1688 -0.36%
ZEC $1,236.93 +0.89%
AAPL $343.89 -0.89%
AMZN $249.40 +0.01%
GOOGL $318.48 -1.15%
MSFT $531.70 +1.58%
META $637.09 -1.02%
NVDA $216.54 +1.77%
TSLA $395.69 +5.97%
SNDK $1,275.58 +1.45%
INTC $91.94 +5.23%
SPCX $148.90 -0.19%
MU $914.49 +2.05%
AMD $533.53 +1.81%
BTC $80,188.58 -0.49%
ETH $2,323.19 -1.21%
BNB $743.93 +0.37%
XRP $1.30 -0.24%
SOL $101.12 -0.51%
TRX $0.3304 +0.19%
DOGE $0.0775 +0.44%
ADA $0.2064 +0.33%
BCH $280.49 +0.40%
LINK $11.47 -0.36%
HYPE $79.40 +2.90%
AAVE $136.04 -1.47%
SUI $0.9160 -1.41%
XLM $0.1688 -0.36%
ZEC $1,236.93 +0.89%
AAPL $343.89 -0.89%
AMZN $249.40 +0.01%
GOOGL $318.48 -1.15%
MSFT $531.70 +1.58%
META $637.09 -1.02%
NVDA $216.54 +1.77%
TSLA $395.69 +5.97%
SNDK $1,275.58 +1.45%
INTC $91.94 +5.23%
SPCX $148.90 -0.19%
MU $914.49 +2.05%
AMD $533.53 +1.81%
first_img

Samsung Electronics продвигает расширение завода P5 в Пхенчхане до трехуровневого полупроводникового завода

2026-08-19 18:20:41

Сообщение ChainCatcher, согласно информации из Восточноазиатской ежедневной газеты, компания Samsung Electronics планирует расширить ключевой проект полупроводникового завода P5 1·2 в Пхенчхане, провинция Кёнгидо, с двухслойного завода на трехслойный, чтобы справиться с глобальным суперциклом полупроводников для искусственного интеллекта и памяти, максимизируя производственные мощности. Samsung Electronics недавно подала заявку на изменение плана промышленного парка, предлагая увеличить коэффициент застройки с 350% до максимума в 490%. Это изменение должно быть проверено губернатором Кёнгидо и окончательно утверждено Комитетом по политике размещения промышленности Министерства земельных ресурсов и транспорта.

Завод P5 1·2 в Пхенчхане является крупнейшим в мире полупроводниковым заводом по единому стандарту, строительство началось в 2022 году, а завершение запланировано на 2030 год. Завод будет производить высокоскоростную память (HBM), высококачественную DRAM, память следующего поколения V-NAND и передовые продукты контрактного производства. В настоящее время запущенный завод P4 в Пхенчхане имеет двухслойную структуру с четырьмя чистыми помещениями в одном здании; если изменение будет одобрено, P5 будет оснащен до шести чистых помещений, что позволит увеличить количество чистых помещений и производственные мощности примерно на 1,5 раза. SK Hynix также планирует построить новый завод по производству полупроводников в Лонгине с полностью трехслойной структурой.

Агентство Counterpoint Research ожидает, что объем мирового рынка памяти вырастет с примерно 360 триллионов вон в прошлом году до 1500 триллионов вон в этом году и 2100 триллионов вон в следующем. В условиях все более сложного получения электроэнергии, воды и земли, увеличение коэффициента застройки для строительства трехслойных заводов становится важным путем для преодоления физических ограничений ограниченного пространства и опоры на существующую экосистему полупроводниковой промышленности.

app_icon
ChainCatcher Building the Web3 world with innovations.