SK Hynix ускоряет увеличение доли 1c DRAM, станет основным продуктом в начале следующего года

Согласно сообщению газеты "Чосон Ильбо" от 7 сентября, SK Hynix ускоряет увеличение доли производства DRAM шестого поколения (1c) на уровне 10 нанометров. Данные отрасли показывают, что доля 1c DRAM увеличилась с примерно 10% в первом квартале этого года до около 13% во втором квартале, в третьем квартале ожидается достижение около 24%, а в четвертом квартале — около 34%; в первом квартале следующего года она может достичь около 35%, впервые превысив 1b (около 33%) и став основной технологией. Доля 1b (пятое поколение на уровне 10 нанометров) DRAM, достигнув около 43% во втором квартале этого года, начала снижаться.

На конец второго квартала доля 1c у Samsung Electronics составила около 16%, у Micron — около 19%, что выше примерно 13% у SK Hynix. Сообщается, что SK Hynix ускоряет переход во второй половине года, и в четвертом квартале может превысить Samsung Electronics, которая составляет около 31%, с долей около 34%. На телефонной конференции по результатам второго квартала SK Hynix заявила, что поставки DRAM с использованием технологии 1c начались с второго квартала, а во второй половине года, с увеличением объемов HBM4 и поставок универсального DRAM 1c, темпы роста будут выше, чем в первой половине года.

Samsung Electronics начала использовать 1c DRAM с HBM4, скорость работы составляет около 11.7 Гбит/с; SK Hynix ранее обеспечивала стабильность массового производства с помощью проверенной 1b DRAM и передовой упаковки MR-MUF, а с следующего поколения HBM4E впервые использует 1c DRAM в качестве основного чипа HBM. По прогнозам Counterpoint Research и других, в этом году доля рынка HBM4 для Nvidia, Google и AMD составит около 50% для SK Hynix, около 20% для Samsung Electronics и около 10% для Micron.