Samsung Electronics планирует увеличить производство 4-нм чипов для удовлетворения спроса на HBM4

Согласно отчету Money Today от 21 сентября, Samsung Electronics продвигает расширение мощностей по производству передовых технологий полупроводниковых пластин в связи с ростом рынка HBM, оценивая увеличение производства по 4-нм технологии для удовлетворения растущего спроса на чипы базового уровня HBM4. HBM4 от Samsung состоит из 10-нм 6-го поколения (1c) DRAM основных чипов и 4-нм логических базовых чипов, которые отвечают за высокоскоростной обмен данными с GPU и другими AI-ускорителями.

В отличие от SK Hynix, использующего 12-нм технологию TSMC, Samsung применяет собственную 4-нм технологию для базовых чипов HBM4. Эта производственная линия работает на полную мощность и принимает заказы, такие как Groq 3 LPU от NVIDIA, компания недавно повысила цены на новые заказы по 4-нм и базовые чипы HBM4. Samsung ожидает, что доходы от HBM4 в третьем квартале вырастут более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а доля HBM4 в доходах от HBM во второй половине года значительно превысит 60%. Дополнительное расширение P4 в Пхенчхане в основном будет использовано для 1c DRAM для HBM, более половины мощностей по 4-нм технологии полупроводниковых пластин уже распределено на базовые чипы HBM4.

HBM4E также использует 4-нм базовые чипы, Samsung предоставила образцы клиентам в мае. Компания также оценивает возможность строительства новой производственной линии по 2-нм технологии для HBM5, цель состоит в том, чтобы использовать структуру GAA и увеличить плотность TSV, что позволит увеличить скорость работы более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Citi ожидает, что в следующем году глобальный спрос на биты HBM достигнет 75,2 миллиарда Gb, что на 62% больше по сравнению с прошлым годом, при этом предложение составит около 59,4 миллиарда Gb, а дефицит составит около 21%.