hbm4

Отдел полупроводникового производства компании Samsung Electronics в технологии 4 нм недавно достиг более 50% доли в массовом производстве базовых чипов для шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4. В отрасли сообщают, что этот отдел во второй половине года выделит более половины своих 4-нм пластин на производство базовых чипов HBM4, чтобы увеличить поставки для таких компаний, как NVIDIA, Broadcom и AMD.Samsung первой запустила массовое производство HBM4 в феврале этого года и планирует увеличить объем поставок с третьего квартала, значительно увеличив соответствующие инвестиции в пластины с середины года. Этот чип основан на технологии полупроводникового производства Samsung 4 нм (SF4). По состоянию на прошлый месяц более 50% всех мощностей 4 нм уже были выделены для базовых чипов HBM4. Источники сообщают, что на данный момент Samsung работает на полную мощность на 4 нм, при этом доля базовых чипов HBM4 составляет около 50% до 60%, и в второй половине года она останется высокой.Samsung производит 4-7 нм чипы на своих заводах в Пхенчхане 2 и 3, где мощность 4 нм составляет около 30 000 пластин в месяц, что позволяет оценить, что инвестиции в пластины для базовых чипов HBM4 составляют около 15 000 пластин в месяц. На телефонной конференции по результатам второго квартала Samsung заявила, что ожидает, что выручка от HBM4 в третьем квартале увеличится более чем в 3 раза по сравнению с предыдущим кварталом, а во второй половине года выручка от HBM4 превысит 60% от общей выручки компании от HBM.

Сообщение ChainCatcher, согласно корейским СМИ, Samsung Electronics сотрудничает с NVIDIA (NVDA.O) для разработки 8-слойной седьмой генерации высокоскоростной памяти (HBM4E), что значительно снижает высоту стеков по сравнению с первоначальными планами на 12 и 16 слоев. Спецификация скорости, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости образцов HBM4E от Samsung на уровне 14.4 Гбит/с. Сообщается, что этот продукт будет использоваться в NVHBM.

Сообщение ChainCatcher, SemiAnalysis выпустил новый выпуск подкаста, в котором отмечается, что SK Hynix и Micron продолжают сталкиваться с проблемами в достижении максимальной скорости HBM4. В частности, SK Hynix пришлось переработать свои базовые чипы, что привело к задержкам в поставках HBM4 для платформы NVIDIA Rubin.На данный момент Samsung обладает лучшей технологией HBM4. Broadcom традиционно сильно зависит от Samsung для своих поставок HBM. Показатели Samsung в поколении HBM3E были неудовлетворительными, что создало недостаток для ASIC Broadcom. Тем не менее, сейчас Samsung с HBM4 опережает своих конкурентов, и эта же цепочка поставок стала преимуществом для Jalapeño.

Согласно сообщениям ChainCatcher, по данным Seoul Economic Daily, Samsung Electronics разрабатывает продукт HBM4E (седьмое поколение) с 8 слоями, соответствующий требованиям NVIDIA, чтобы занять ключевую партнерскую позицию в поставках кастомизированной высокоскоростной памяти NVHBM. Этот продукт имеет меньшую высоту упаковки по сравнению с первоначально запланированными 12 и 16 слоями, а скорость, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости первоначальных образцов HBM4E от Samsung (14.4 Гбит/с) и будет использоваться для оптимизированных спецификаций NVLink от NVIDIA.Использование 8 слоев, в отличие от предыдущей логики HBM, которая увеличивала емкость за счет увеличения количества слоев, позволяет снизить сложности на последующих этапах и давление на выходные показатели, что способствует расширению поставок и рассматривается как стратегия NVIDIA по смягчению нехватки памяти. Ожидается, что NVHBM будет применяться с выходом следующего поколения AI GPU "Rubin Ultra", который будет запускаться в следующем году и увеличит масштаб соединений между GPU с 72 до 576, что позволит сотням GPU с более быстрой HBM совместно повысить общую вычислительную мощность.На рынке кастомизированной HBM Samsung более конкурентоспособен по сравнению с SK Hynix и Micron, поскольку NVHBM требует производственных мощностей для проектирования и производства DRAM и базовых чипов на основе логики, что позволяет Samsung интегрированно справляться с этой задачей. Представители отрасли утверждают, что Samsung уже достигла высочайшего уровня скорости в верификации HBM4, что может дать ей преимущество в конкурентной борьбе за скорость.

Сообщение ChainCatcher, что Samsung Electronics и SK Hynix планируют увеличить поставки 8-слойной HBM4 памяти для NVIDIA во второй половине этого года.Этот шаг обусловлен стратегией поставок NVIDIA и направлен на обеспечение стабильности поставок HBM памяти, а также на контроль за тепловыделением продукции.

Сообщение ChainCatcher, SemiAnalysis опубликовал, что Nvidia Rubin Ultra будет оснащен 192 ГБ HBM4 8-hi памяти. Это не только значительно ниже первоначально запланированных 1 ТБ HBM, но даже меньше, чем стандартная версия Rubin с объемом 288 ГБ.Причины сокращения конфигурации HBM до примерно одной пятой от первоначальной включают: отмену схемы с четырьмя кристаллами Rubin Ultra, в результате чего количество кубов уменьшилось до 8; высота стеков снижена с 16-hi до 8-hi; и используется HBM4 с 24 Гб кристаллами, а не HBM4E с 32 Гб кристаллами. В дальнейшем может быть выпущена обновленная версия 8-hi HBM4E.

Сообщение от ChainCatcher, согласно анализу UBS по списку материалов (BOM) сверхчипа Vera Rubin, доля полупроводниковой памяти в общей стоимости платформы возросла до примерно 62%, что значительно выше, чем 53% у предыдущего поколения Blackwell Ultra (GB300). Общая стоимость сверхчипа Vera Rubin (включая 1 процессор Vera и 2 графических процессора Rubin) составляет около 38,902 долларов, из которых затраты на память составляют 24,297 долларов. Стоимость HBM4 составляет около 4,943 долларов (12.7% от общей стоимости), в то время как стоимость SOCAMM2, соединяющего процессор, составляет около 19,355 долларов (49.8% от общей стоимости), что является основным драйвером роста затрат на память.SOCAMM2 — это серверный модуль памяти на основе энергоэффективной DRAM LPDDR5X, поддерживающий максимальную емкость 1.5TB на один процессор. Шкаф Vera Rubin NVL72 (включая 72 графических процессора Rubin и 36 процессоров Vera) в общей сложности оснащен 74.7TB DRAM, из которых HBM4 составляет 20.7TB, а процессоры используют LPDDR5X на 54TB; объем LPDDR на один шкаф эквивалентен примерно 4,500 высококлассным смартфонам. Однако, из-за неопределенности поставок LPDDR5X и HBM4E, NVIDIA рассматривает возможность снижения конфигурации HBM следующего поколения Rubin Ultra.

Сообщение ChainCatcher, Samsung Electronics опубликовала финансовый отчет за второй квартал 2026 года, выручка составила 171.5 трлн вон (примерно 118.8 млрд долларов США), что на 130% больше по сравнению с прошлым годом и на 28% больше по сравнению с предыдущим кварталом, что является историческим рекордом за квартал; операционная прибыль составила 89.5 трлн вон (примерно 62.0 млрд долларов США), что на 1813.8% больше по сравнению с прошлым годом и на 56.4% больше по сравнению с предыдущим кварталом, что превышает рыночные ожидания примерно на 5%; чистая прибыль составила 71.62 трлн вон (примерно 49.6 млрд долларов США), что на 1299.9% больше по сравнению с прошлым годом. Прибыль на акцию составила 10849 вон, что на 52% больше по сравнению с прошлым годом.Выручка подразделения решений для устройств (DS) составила 127.5 трлн вон, операционная прибыль составила 89.2 трлн вон, что на 56% больше по сравнению с предыдущим кварталом, бизнес по производству памяти был стимулирован спросом на AI-серверы, выручка и прибыль достигли исторического рекорда. HBM4 уже запущен в массовое производство, образцы HBM4E были переданы ключевым клиентам. Выручка подразделения пользовательского опыта (DX) снизилась на 9% по сравнению с предыдущим кварталом, при этом бизнес MX пострадал от давления со стороны стоимости компонентов, выручка составила 33.2 трлн вон, зафиксировав операционный убыток в 0.7 трлн вон.Samsung ожидает, что во второй половине года спрос на серверную DRAM, eSSD и HBM останется сильным, рыночное предложение останется напряженным, но спрос на мобильные устройства и ПК может частично замедлиться. Компания планирует увеличить продажи высокодоходных продуктов, таких как HBM4, DDR5, SOCAMM2, и запустить в массовое производство новые мобильные продукты с использованием технологии второго поколения 2nm, с целью достичь двузначного роста выручки в контрактном бизнесе.