nvhbm

NVIDIA потребовала от Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology использовать голые чипы на основе технологии 3 нм от TSMC для производства NVHBM, в то время как основные голые чипы будут использовать технологию DRAM шестого поколения. Samsung Electronics решила принять технические требования NVIDIA, но не будет комментировать вопросы, касающиеся клиентов.

Согласно сообщениям ChainCatcher, по данным Seoul Economic Daily, Samsung Electronics разрабатывает продукт HBM4E (седьмое поколение) с 8 слоями, соответствующий требованиям NVIDIA, чтобы занять ключевую партнерскую позицию в поставках кастомизированной высокоскоростной памяти NVHBM. Этот продукт имеет меньшую высоту упаковки по сравнению с первоначально запланированными 12 и 16 слоями, а скорость, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости первоначальных образцов HBM4E от Samsung (14.4 Гбит/с) и будет использоваться для оптимизированных спецификаций NVLink от NVIDIA.Использование 8 слоев, в отличие от предыдущей логики HBM, которая увеличивала емкость за счет увеличения количества слоев, позволяет снизить сложности на последующих этапах и давление на выходные показатели, что способствует расширению поставок и рассматривается как стратегия NVIDIA по смягчению нехватки памяти. Ожидается, что NVHBM будет применяться с выходом следующего поколения AI GPU "Rubin Ultra", который будет запускаться в следующем году и увеличит масштаб соединений между GPU с 72 до 576, что позволит сотням GPU с более быстрой HBM совместно повысить общую вычислительную мощность.На рынке кастомизированной HBM Samsung более конкурентоспособен по сравнению с SK Hynix и Micron, поскольку NVHBM требует производственных мощностей для проектирования и производства DRAM и базовых чипов на основе логики, что позволяет Samsung интегрированно справляться с этой задачей. Представители отрасли утверждают, что Samsung уже достигла высочайшего уровня скорости в верификации HBM4, что может дать ей преимущество в конкурентной борьбе за скорость.