hbm4e

TrendForce 12 октября со ссылкой на Chosun Biz сообщает, что с увеличением количества вычислительных и накопительных чипов в AI упаковке, промежуточный слой, соединяющий вычислительные чипы с HBM, ожидается, что значительно увеличится, и охлаждение следующего поколения HBM станет более важным. Samsung Electronics готовит несколько технологий для решения проблем охлаждения HBM4E, массовое производство которого начнется в следующем году.В настоящее время площадь промежуточного слоя AI составляет примерно 5,5 раза больше максимальной площади одного экспонирования EUV фотолитографической машины в 858 квадратных миллиметров. Представители полупроводникового оборудования ожидают, что промежуточный слой, несущий HBM, может увеличиться до 9, 12 раз этой площади, а в конечном итоге до примерно 40 раз. Причины включают ограничения в миниатюризации процессов и распространение чиплетной 2.5D упаковки, где несколько вычислительных чиплетов и HBM укладываются на одном промежуточном слое.Samsung рассматривает смешанное соединение меди и тепловых путей. Первое заменяет микровыпуклости между слоями DRAM на прямое соединение медь-к-меди, что может уменьшить межслойные зазоры, сделать укладку тоньше и улучшить охлаждение, что Samsung демонстрировала на NVIDIA GTC в марте 2026 года. Тепловые пути отвечают за создание специализированного теплового пути в области D2D PHY, обеспечивающей высокоскоростную передачу с GPU, Samsung проверяет это с HBM4E и планирует внедрить в HBM5. По данным ETNews, iHBM от SK Hynix размещает охлаждающие материалы с высокой теплопроводностью, но электрической изоляцией вокруг D2D PHY, где сосредоточено тепло, что, как ожидается, снизит тепловое сопротивление примерно на 30%.

Согласно отчету Корейской экономической газеты, следующая генерация высокоскоростной памяти Samsung Electronics "12-слойная HBM4E" прошла проверку качества от NVIDIA и основных операторов гипермасштабных дата-центров.

Согласно отчету Seoul Economic Daily, Samsung Electronics планирует в следующем году увеличить объем производства шестого поколения высокоскоростной памяти HBM4 и седьмого поколения HBM4E, а также других продуктов серии HBM4 как минимум вдвое по сравнению с текущим годом. Компания намерена увеличить объем очистки стеклянных подложек, необходимых для тонкой обработки HBM на DRAM, с 20 000 штук в месяц в этом году до 50 000 штук в месяц в следующем году, что составляет увеличение в 2,5 раза. В прошлом году месячный спрос на эти подложки составлял около 10 000 штук, в этом году он удвоился по сравнению с прошлым годом.Основное внимание Samsung Electronics уделяет увеличению производства HBM4 и HBM4E, которые в основном состоят из высоких многослойных продуктов с 12 слоями и более. Компания начала массовое производство HBM4 с использованием шестого поколения DRAM на уровне 10 нм (1c) и чипов на основе 4 нм в феврале этого года, а в мае предоставила образцы HBM4E с 12 слоями клиентам, таким как NVIDIA. Ожидается, что с учетом среднемесячного ввода вафель, производственные мощности HBM Samsung Electronics увеличатся с примерно 180 000 штук в этом году до примерно 250 000 штук в следующем году, что составляет рост почти на 40%; доля отгрузок серии HBM4 может вырасти с примерно 40% в этом году до примерно 80% в следующем году.

Сообщение ChainCatcher, согласно корейским СМИ, Samsung Electronics сотрудничает с NVIDIA (NVDA.O) для разработки 8-слойной седьмой генерации высокоскоростной памяти (HBM4E), что значительно снижает высоту стеков по сравнению с первоначальными планами на 12 и 16 слоев. Спецификация скорости, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости образцов HBM4E от Samsung на уровне 14.4 Гбит/с. Сообщается, что этот продукт будет использоваться в NVHBM.

Согласно сообщениям ChainCatcher, по данным Seoul Economic Daily, Samsung Electronics разрабатывает продукт HBM4E (седьмое поколение) с 8 слоями, соответствующий требованиям NVIDIA, чтобы занять ключевую партнерскую позицию в поставках кастомизированной высокоскоростной памяти NVHBM. Этот продукт имеет меньшую высоту упаковки по сравнению с первоначально запланированными 12 и 16 слоями, а скорость, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости первоначальных образцов HBM4E от Samsung (14.4 Гбит/с) и будет использоваться для оптимизированных спецификаций NVLink от NVIDIA.Использование 8 слоев, в отличие от предыдущей логики HBM, которая увеличивала емкость за счет увеличения количества слоев, позволяет снизить сложности на последующих этапах и давление на выходные показатели, что способствует расширению поставок и рассматривается как стратегия NVIDIA по смягчению нехватки памяти. Ожидается, что NVHBM будет применяться с выходом следующего поколения AI GPU "Rubin Ultra", который будет запускаться в следующем году и увеличит масштаб соединений между GPU с 72 до 576, что позволит сотням GPU с более быстрой HBM совместно повысить общую вычислительную мощность.На рынке кастомизированной HBM Samsung более конкурентоспособен по сравнению с SK Hynix и Micron, поскольку NVHBM требует производственных мощностей для проектирования и производства DRAM и базовых чипов на основе логики, что позволяет Samsung интегрированно справляться с этой задачей. Представители отрасли утверждают, что Samsung уже достигла высочайшего уровня скорости в верификации HBM4, что может дать ей преимущество в конкурентной борьбе за скорость.