nvhbm

Согласно сообщениям ChainCatcher, по данным Seoul Economic Daily, Samsung Electronics разрабатывает продукт HBM4E (седьмое поколение) с 8 слоями, соответствующий требованиям NVIDIA, чтобы занять ключевую партнерскую позицию в поставках кастомизированной высокоскоростной памяти NVHBM. Этот продукт имеет меньшую высоту упаковки по сравнению с первоначально запланированными 12 и 16 слоями, а скорость, предложенная NVIDIA, составляет 17-18 Гбит/с, что примерно на 20% выше скорости первоначальных образцов HBM4E от Samsung (14.4 Гбит/с) и будет использоваться для оптимизированных спецификаций NVLink от NVIDIA.Использование 8 слоев, в отличие от предыдущей логики HBM, которая увеличивала емкость за счет увеличения количества слоев, позволяет снизить сложности на последующих этапах и давление на выходные показатели, что способствует расширению поставок и рассматривается как стратегия NVIDIA по смягчению нехватки памяти. Ожидается, что NVHBM будет применяться с выходом следующего поколения AI GPU "Rubin Ultra", который будет запускаться в следующем году и увеличит масштаб соединений между GPU с 72 до 576, что позволит сотням GPU с более быстрой HBM совместно повысить общую вычислительную мощность.На рынке кастомизированной HBM Samsung более конкурентоспособен по сравнению с SK Hynix и Micron, поскольку NVHBM требует производственных мощностей для проектирования и производства DRAM и базовых чипов на основе логики, что позволяет Samsung интегрированно справляться с этой задачей. Представители отрасли утверждают, что Samsung уже достигла высочайшего уровня скорости в верификации HBM4, что может дать ей преимущество в конкурентной борьбе за скорость.