SK Hynix cho biết việc phát triển 3D DRAM có thể tận dụng quy trình gia công

SK Hynix ngày 9 cho biết, thế hệ bộ nhớ tiếp theo 3D DRAM có thể phát triển bằng quy trình gia công. Ngày trước đó, công ty đã tổ chức Diễn đàn Tương lai SK Hynix 2026 tại trung tâm Supex ở khu công nghiệp Lợi Xuyên, phó chủ tịch Kim Kyoung-hoon và Sun Ho-young đã đề xuất các hướng công nghệ chính của 3D DRAM, bao gồm việc sử dụng quy trình gia công logic cho mạch ngoại vi DRAM, tối đa hóa băng thông bus dữ liệu, và truyền tải khoảng cách siêu ngắn.

3D DRAM là thế hệ DRAM tiếp theo, trong đó các đơn vị lưu trữ được xếp chồng theo chiều dọc để tăng cường độ tích hợp. Hai người cho biết, để hiện thực hóa công nghệ này, ngoài vấn đề thiết kế và nhiệt độ, còn cần giải quyết các vấn đề khó khăn trong lĩnh vực đóng gói như liên kết vi mô, gắn kết, và tích hợp quy trình. Khi ranh giới giữa đóng gói trước và sau, gia công và công nghệ bộ nhớ ngày càng gần lại, việc tối ưu hóa chung vượt ra ngoài các lĩnh vực hiện có sẽ trở nên quan trọng hơn. Sun Ho-young cho biết, công nghệ 3D đang thay đổi ranh giới kỹ thuật giữa nhà máy wafer và đóng gói, cần kết hợp với đổi mới công nghệ đóng gói tiên tiến để xây dựng hệ thống tối ưu hóa và hợp tác mới vượt ra ngoài các lĩnh vực hiện có.

Giáo sư Shin Chang-hwan từ Đại học Cao Ly phát biểu cùng chủ đề cho biết, 3D DRAM không chỉ là việc xếp chồng chip theo chiều dọc, mà còn là công nghệ phá vỡ ranh giới giữa bộ nhớ và logic; khi sự thu nhỏ của thiết bị gần đạt giới hạn, việc di chuyển dữ liệu giữa hệ thống và bộ nhớ dẫn đến tăng thời gian và tiêu thụ năng lượng, việc chuyển sang công nghệ 3D là điều không thể tránh khỏi, và đề xuất một khung thiết kế tích hợp 3D liên kết bốn lĩnh vực vật liệu, thiết bị, đóng gói và kiến trúc bằng trí tuệ nhân tạo. Chủ tịch SK Hynix Guo Lu trong bài phát biểu của mình cho biết, trước đây thị trường bộ nhớ giống như một con đường thẳng xem ai chạy nhanh hơn, giờ đây giống như một khúc cua luôn thay đổi, ngoài khả năng nội bộ, việc nắm bắt tốc độ và hướng thay đổi của môi trường bên ngoài và thích ứng linh hoạt cũng rất quan trọng.