Samsung Electro-Mechanics và Qualcomm cùng phát triển công nghệ đóng gói cầu hữu cơ 2.1D

Samsung Electro-Mechanics và Qualcomm đang cùng phát triển công nghệ cầu nối hữu cơ cho gói 2.1D, việc phát triển và xác minh liên quan đã diễn ra hơn một năm. Cầu nối hữu cơ tương tự như cầu silicon được Intel sử dụng EMIB, nhưng sử dụng vật liệu hữu cơ và được sản xuất bằng quy trình nền tảng, dùng để kết nối nhiều chip bán dẫn trong cùng một gói.

Samsung Electro-Mechanics đã chôn cầu nối hữu cơ trong nền tảng FC-BGA có rãnh, kết nối chip Qualcomm và đánh giá hiệu suất cũng như độ tin cậy. Qualcomm đang xem xét việc sử dụng nó cho các chip bán dẫn đa chip lớn trong trung tâm dữ liệu và đã nộp đơn xin cấp bằng sáng chế liên quan vào tháng 10 năm 2024. Samsung Electro-Mechanics cũng đang phát triển công nghệ này song song với nhiều khách hàng khác.

Mục tiêu của cầu nối hữu cơ là 5 đến 7 lớp tái bố trí, bề rộng và khoảng cách dây từ 1.5 đến 2 micromet, lỗ xuyên từ 4 đến 5 micromet, mật độ mẫu giữa các chip đạt từ 500 đến 1000 mẫu mỗi milimét. Samsung Electro-Mechanics tự sản xuất và đánh giá mẫu, đồng thời đánh giá nguồn cung bên ngoài và hợp tác với nhà máy gia công wafer của Samsung Electronics để thực hiện đánh giá gói.