Changxin Storage dự định tiến quân vào thị trường NAND flash

Theo Reuters dẫn nguồn tin từ những người có hiểu biết, Longxin Storage CXMT đang chuẩn bị gia nhập thị trường chip flash NAND, mở rộng ngoài lĩnh vực kinh doanh DRAM cốt lõi và cạnh tranh với Samsung Electronics, SK Hynix, Micron và Yangtze Memory.

Longxin Storage dự định thiết lập dây chuyền nghiên cứu và sản xuất NAND flash tại nhà máy mới ở Bắc Kinh, và thành lập viện nghiên cứu bao gồm các dự án phát triển NAND tại Bắc Kinh. Công ty đã thảo luận về kế hoạch liên quan với khách hàng, trong đó có một công ty khởi nghiệp dự định mua chip cho hệ thống AI và siêu máy tính. Thời gian hoạt động của dây chuyền nghiên cứu và sản xuất thương mại quy mô lớn vẫn chưa rõ ràng.

Sự thiếu hụt bộ nhớ toàn cầu được thúc đẩy bởi nhu cầu từ máy chủ AI, dự kiến sẽ kéo dài ít nhất đến năm 2027. Các nhà sản xuất ưu tiên chi tiêu cho DRAM và HBM, hạn chế việc tăng công suất NAND. Longxin Storage đã huy động được 57,92 tỷ nhân dân tệ từ đợt IPO vào tháng 7. Yangtze Memory đã được đưa vào danh sách thực thể vào năm 2022.