Samsung Electronics năm tới sẽ tăng gấp đôi sản lượng HBM4, HBM4E ít nhất

Theo báo cáo của Seoul Economic, Samsung Electronics dự kiến sẽ mở rộng sản lượng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E trong năm tới ít nhất gấp đôi so với năm nay. Công ty dự định tăng lượng kính nền cần thiết cho việc gia công DRAM HBM từ 20.000 tấm mỗi tháng năm nay lên 50.000 tấm mỗi tháng vào năm tới, tăng 2,5 lần so với năm nay. Nhu cầu hàng tháng cho kính nền này vào năm ngoái khoảng 10.000 tấm, năm nay đã gấp đôi so với năm ngoái.

HBM4 và HBM4E mà Samsung Electronics tập trung mở rộng sản xuất chủ yếu là các sản phẩm có độ chồng chất cao từ 12 lớp trở lên. Công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu 10nm (1c) và chip nền quy trình 4nm từ tháng 2 năm nay, và vào tháng 5 đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng như NVIDIA. Ngành công nghiệp dự đoán, tính theo lượng wafer trung bình hàng tháng, công suất HBM của Samsung Electronics sẽ tăng từ khoảng 180.000 tấm năm nay lên khoảng 250.000 tấm vào năm tới, tăng gần 40%; tỷ lệ xuất khẩu của dòng sản phẩm HBM4 có thể tăng từ khoảng 40% năm nay lên khoảng 80% vào năm tới.