Longxin Storage cuối năm sẽ đạt công suất sản xuất DRAM hàng tháng là 350.000 miếng, gần với Micron

Theo báo cáo của TechPowerUp, nhà sản xuất DRAM Trung Quốc Changxin Storage (CXMT) dự kiến đến cuối năm 2026, công suất sản xuất wafer DRAM hàng tháng sẽ đạt khoảng 350.000 wafer, trong khi Micron ước tính khoảng 375.000 wafer trong cùng thời gian. Thời gian xây dựng phòng sạch của Changxin Storage khoảng 12 tháng, ngắn hơn so với thời gian thông thường của ngành là từ 21 đến 24 tháng.

Do bị Mỹ trừng phạt không thể nhận được EUV, Changxin Storage sử dụng công nghệ khắc DUV cũ hơn và công nghệ đa hình. Công ty đã bắt đầu xuất xưởng chip 16 Gb DDR5 với tốc độ 8000 MT/s, diện tích chip 67 mm², mật độ 0.239 Gb/mm², đơn vị G4 nhỏ hơn G3 20%. Mô-đun 24 Gb được sản xuất hàng loạt với tốc độ khoảng 6000 MT/s, mô-đun LPDDR5X-10667 (12 Gb và 16 Gb) cũng đã được sản xuất hàng loạt. Chính phủ Trung Quốc đang khuyến khích Changxin Storage chuyển giao IP DRAM cho các nhà sản xuất trong nước như JHICC, Swaysure và công ty con Changjiang Storage XMC.