Changxin Storage cho biết cấu trúc 4F² đã đạt được tiến triển quan trọng, dự kiến sẽ phát triển bộ nhớ máy chủ

Công ty chip lưu trữ Trung Quốc Trường Tân Lưu Trữ (CXMT) cho biết họ đã đạt được những tiến bộ quan trọng trong một cấu trúc lưu trữ mới. Samsung Electronics và SK Hynix cũng đang thúc đẩy các cấu trúc tương tự để tăng cường mật độ lưu trữ. Tổng giám đốc Công ty Tào Khán Vũ đã phát biểu tại một sự kiện ngành ở Thượng Hải rằng Trường Tân Lưu Trữ dự kiến sẽ ra mắt sản phẩm bộ nhớ máy chủ mới dựa trên cấu trúc này trước cuối năm 2026, thông tin này được lấy từ tuyên bố của công ty.

Cấu trúc này có thiết kế 4F², tức là mỗi đơn vị lưu trữ chiếm diện tích 4F², trong đó F là chiều rộng đường dẫn tối thiểu của bán dẫn. Công ty cho biết, thiết kế transistor độc quyền này có thể cải thiện mật độ lưu trữ và hiệu suất bằng cách chứa nhiều đơn vị lưu trữ hơn trên một chip đơn. Hiện tại, DRAM thương mại chủ yếu sử dụng cấu trúc đơn vị 6F².