Longxin Storage HBM3 tỷ lệ sản xuất thử nghiệm dừng lại ở 25%
Theo báo cáo của nhật báo Triều Tiên, nhà sản xuất DRAM lớn nhất Trung Quốc là Changxin Storage (CXMT) đã khởi động sản xuất thử nghiệm bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ tư HBM3, với tỷ lệ sản phẩm đạt yêu cầu ban đầu dừng lại ở mức 25%, khoảng một phần ba so với tỷ lệ vàng trong sản xuất hàng loạt là 80%. SK Hynix đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm tương tự từ năm 2022, với tỷ lệ đạt yêu cầu vượt quá 90%.Tỷ lệ đạt yêu cầu của quy trình trước cho sản phẩm HBM3 8 lớp của Changxin Storage khoảng 30%, trong khi quy trình sau đạt khoảng 70% trở thành sản phẩm cuối cùng đạt yêu cầu. Công ty cung cấp một số mẫu cho các doanh nghiệp Trung Quốc như Alibaba, PingTouGe, và Cambricon, đồng thời tiếp tục cải thiện tỷ lệ đạt yêu cầu. Quy trình G4 (17nm) của DRAM thông thường không gặp vấn đề lớn, nhưng chip DRAM dùng cho HBM có diện tích lớn hơn và tiêu chuẩn điện tử nghiêm ngặt hơn.Ngành công nghiệp chỉ ra rằng nguyên nhân là do độ trưởng thành của công nghệ lỗ xuyên silicon TSV chưa đủ. Phân tích của Nomad Semi cho thấy, mỗi chip HBM2 của Samsung có hơn 5000 lỗ TSV, HBM3 của SK Hynix có hơn 8000 lỗ, trong khi Changxin Storage chỉ có khoảng 3000 lỗ. So với Samsung và SK Hynix, có khoảng cách từ 4 đến 5 năm.
